用于制备有机半导体层和有机电子器件的方法技术

本发明专利技术涉及一种在真空室中、在10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制备有机半导体层和有机电子器件的方法本专利技术涉及一种制备有机半导体层的方法，所述方法包括从单一真空热蒸发源升华组合物的步骤，其中所述组合物包含第一有机芳族基质化合物和第一碱金属有机络合物的物理混合物，本专利技术还涉及包含可通过该方法获得的有机半导体层的有机电子器件的制备方法。
技术介绍
包含有机芳族基质化合物和碱金属有机络合物的有机半导体层用于在有机电子器件中作为电荷传输层和电荷注入层，特别是用于有机发光二极管(OLED)。作为自发光器件的有机发光二极管具有广视角、优异的对比度、快速的响应、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩重现。典型的OLED包含依次堆叠在基底上的阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和阴极。就此而言，所述HIL、HTL、EML、ETL和EIL是由有机化合物形成的薄膜。当向所述阳极和阴极施加电压时，从所述阳极注入的空穴经由所述HIL和HTL移动到所述EML，并且从所述阴极注入的电子经由所述EIL和ETL移动到所述EML。所述空穴和电子在所述EML中复合，以产生激子。在现有技术的有机电子器件中包含的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在真空室中、在10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.30 EP 16186262.81.一种在真空室中、在10-5毫巴至10-9毫巴的压力下制备有机半导体层的方法，所述方法包括从布置在所述真空室中的单一真空热蒸发源将组合物升华的步骤，其中所述组合物包含下述物质的物理混合物：(a)分子量≥400且≤1,000的第一有机芳族基质化合物；和(b)分子量≥100且≤400的第一碱金属有机络合物。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一有机芳族基质化合物具有≥200℃且≤450℃的熔点和/或≥80℃且≤250℃的玻璃化转变温度，优选地具有≥250℃且≤430℃的熔点和/或≥90℃且≤230℃的玻璃化转变温度。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一碱金属有机络合物具有≥250℃且≤450℃的熔点和/或≥100℃且≤250℃的玻璃化转变温度。4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中用于在所述真空室中、在10-5毫巴至10-9毫巴的压力下升华根据权利要求1所述的第一有机芳族基质化合物的速率起始温度比根据权利要求1所述的组合物的熔点低至少10℃。5.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述第一有机芳族基质化合物选自膦、磷杂庚英、氧化膦、磷杂庚英氧化物、菲咯啉、苯并咪唑、苯并[k]荧蒽、芘、蒽、芴、螺(二芴)、菲、苝、三蝶烯、螺[芴-9,9'-呫吨]、晕苯、联三苯叉、呫吨、苯并呋喃、二苯并呋喃、二萘并呋喃、吖啶、苯并[c]吖啶、二苯并[c,h]吖啶、二苯并[a,j]吖啶、三嗪、吡啶、嘧啶、咔唑、噻吩并嘧啶、二噻吩并噻吩、苯并噻吩并嘧啶、苯并噻吩并嘧啶和三芳基硼烷化合物及其衍生物。6.根据前述权利要求中的任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯特芬·伦格，卡斯滕·罗特，朱莉恩·弗雷，乌韦·戈尔弗特，
申请(专利权)人：诺瓦尔德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE