有机薄膜晶体管及其制造方法以及图像显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有机薄膜晶体管及图像显示装置，在通过印刷法制造的有机薄膜晶体管中，成品率良好，特别消除了栅电极与电容器电极的短路不良，能够得到充分的电容器电极面积。有机薄膜晶体管在绝缘性的基板上至少具有栅电极、电容器电极、至少2层以上的绝缘层、以及位于绝缘层上的源电极、漏电极及含有有机半导体材料的半导体层，其中，以至少覆盖电容器电极的方式形成有第一绝缘层，在第一绝缘层上形成有栅电极，以覆盖栅电极的方式形成有第二绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机薄膜晶体管及其制造方法以及图像显示装置
本专利技术涉及有机薄膜晶体管及其制造方法以及图像显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管广泛用于液晶显示装置(LCD)、有机电致发光(EL)显示装置、电子纸显示装置等有源矩阵方式的显示装置或传感器等。作为用于薄膜晶体管的半导体材料，使用非晶硅、多晶硅、或者氧化物半导体等成为主流，使用了这些半导体材料的薄膜晶体管一般使用真空成膜法和光刻等干式涂层法来制造。另一方面，近年来，使用有机材料作为半导体材料的有机薄膜晶体管受到关注(参照专利文献1)。对于有机薄膜晶体管，进行了不仅对半导体材料还对导电性材料和绝缘性材料等使用涂布或印刷等的湿式涂层法而进行制造的各种尝试。由此来期待使用了塑料基板的柔性设备形成及低成本化等的可能性。另外，由于印刷法同时进行成膜和图案化的工序，因此与使用以往的光刻工艺的真空成膜工艺相比，材料利用效率高，不需要显影、蚀刻工序，因此还可期待环境负荷少这一点(非专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-142091号公报非专利文献非专利文献1：T.Minari，M.Kano.T.Miyadera，S.D.Wang，Y本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机薄膜晶体管，在绝缘性的基板上至少具有栅电极、电容器电极、以覆盖该栅电极及该电容器电极的方式形成的绝缘层、形成在该绝缘层上的源电极及漏电极、以及在由该源电极和该漏电极夹着的范围内含有有机半导体材料的半导体层，其中，以至少覆盖所述电容器电极的方式形成有第一绝缘层，在该第一绝缘层上形成有所述栅电极，以覆盖所述栅电极及所述电容器电极的方式形成有第二绝缘层，在该第二绝缘层上至少形成有所述源电极、漏电极及半导体层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.23 JP 2016-162757;2016.11.22 JP 2016-227001.一种有机薄膜晶体管，在绝缘性的基板上至少具有栅电极、电容器电极、以覆盖该栅电极及该电容器电极的方式形成的绝缘层、形成在该绝缘层上的源电极及漏电极、以及在由该源电极和该漏电极夹着的范围内含有有机半导体材料的半导体层，其中，以至少覆盖所述电容器电极的方式形成有第一绝缘层，在该第一绝缘层上形成有所述栅电极，以覆盖所述栅电极及所述电容器电极的方式形成有第二绝缘层，在该第二绝缘层上至少形成有所述源电极、漏电极及半导体层。2.一种有机薄膜晶体管，在绝缘性的基板上至少具有栅电极、电容器电极、以覆盖该栅电极及该电容器电极的方式形成的绝缘层、形成在该绝缘层上的源电极及漏电极、以及在由该源电极和该漏电极夹着的范围内含有有机半导体材料的半导体层，其中，以至少覆盖所述电容器电极的方式形成有第一绝缘层，在该第一绝缘层上形成有所述栅电极，以覆盖所述栅电极且不覆盖所述电容器电极的方式形成有第二绝缘层，在该第二绝缘层上至少形成有所述源电极、漏电极及半导体层。3.根据权利要求1或2所述的有机薄膜晶体管，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层使用不同的材料。4.根据权利要求1～3中任一项所述的有机薄膜晶体管，其中，所述第一绝缘层的介电常数高于所述第二绝缘层的介电常数。5.根据权利要求1～4中任一项所述的有机薄膜晶体管，其中，所述第一绝缘层是将绝缘材料层叠2层以上而形成的。6.根据权利要求1～5中任一项所述的有机薄膜晶体管，其中，所述第二绝缘层是将绝缘材料层叠2层以上而形成的。7.一种有机薄膜晶体管，具有绝缘性的基板、栅电极、电容器电极、绝缘层、源电极、漏电极、以及含有有机半导体材料的半导体层，其中，所述绝缘层包括：第一绝缘层，覆盖所述基板和形成在所述基板上的所述栅电极；以及第二绝缘层，覆盖形成在所述第一绝缘层上的所述电容器电极。8.根据权利要求7所述的有机薄膜晶体管，其中，在所述第二绝缘层上至少形成有所述源电极、所述漏电极及所述半导体层。9.根据权利要求7所述的有机薄膜晶体管，其中，在所述第一绝缘层上至少形成有所述源电极、所述漏电极的一部分及所述半导体层。10.根据权利要求7～9中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田典昭，西泽诚，
申请(专利权)人：凸版印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP