薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括基板，缓冲层，有源层和栅极绝缘层，所述有源层形成硅岛图案后，利用离子植入掺杂技术对无光阻保护的所述有源层侧面区域掺杂改性，将其表层变为高电阻区域，再利用化学沉积工艺制备栅极绝缘层，由于干法刻蚀形成的所述有源层侧面具有一定倾斜角度，因此在其上沉积的所述栅极绝缘层较其他位置偏薄，将所述有源层侧面区域制作成高电阻结构，避免了因所述栅极绝缘层偏薄导致的工作时边缘非故意开启形成弱沟道电流，改善边界效应，提高了所述薄膜晶体管电学可靠性。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
现有的低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePolySilicon-Thin-filmtransistor，LTPS-TFT)中，为避免漏电流较大引起的显示不良，通常器件设计时使用顶栅结构，利用自对准特点制作轻掺杂漏(LightlyDopedDrain，LDD)结构以降低沟道漏电流。如图1所示，在实际生产中，由于LTPS-TFT是通过干法刻蚀形成硅岛图案，因此利用化学气相沉积工艺在硅岛100上形成栅极绝缘层200时，所述硅岛100侧面区域形成的栅极绝缘层201较薄，所述硅岛100顶面区域形成的栅极绝缘层202较厚，薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，TFT)工作时，所述栅极绝缘层202所在区域提前非故意开启形成弱沟道电流，引起驼峰(Hump)效应，导致器件电学可靠性下降。因此，提供一种可以缓解硅岛边界栅极绝缘层偏薄而导致Hump效应的技术，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法，以缓解现有硅岛边界栅极绝缘层偏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一玻璃基板，在所述基板上依次沉积形成缓冲层和多晶硅有源层；步骤S2、在所述有源层上涂布光阻，以使得所述有源层上未被所述光阻覆盖的部分刻蚀掉；步骤S3、对所述有源层侧面掺杂改性，使其成为高电阻区域；步骤S4、在所述有源层侧面掺杂改性完成后，将掺杂改性后的有源层顶面的光阻剥离；步骤S5、在所述有源层上制备栅极绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一玻璃基板，在所述基板上依次沉积形成缓冲层和多晶硅有源层；步骤S2、在所述有源层上涂布光阻，以使得所述有源层上未被所述光阻覆盖的部分刻蚀掉；步骤S3、对所述有源层侧面掺杂改性，使其成为高电阻区域；步骤S4、在所述有源层侧面掺杂改性完成后，将掺杂改性后的有源层顶面的光阻剥离；步骤S5、在所述有源层上制备栅极绝缘层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述有源层侧面掺杂改性，使其成为高电阻区域，包括：利用定向离子植入技术对所述有源层侧面掺杂改性，使其成为高电阻区域。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，所述步骤S3中所述有源层侧面掺杂的离子为V族化合物。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中所述有源层侧面掺杂的离子为三氢化磷(PH3)。5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述步骤S3中所述有源层侧面...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂晓辉，张嘉伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42