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本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括基板，缓冲层，有源层和栅极绝缘层，所述有源层形成硅岛图案后，利用离子植入掺杂技术对无光阻保护的所述有源层侧面区域掺杂改性，将其表层变为高电阻区域，再利用化学沉积工艺制备栅极绝缘层，由于...
该专利属于武汉华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电技术有限公司授权不得商用。

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