场效应晶体管制造方法及场效应晶体管技术

提供一种场效应晶体管制造方法及场效应晶体管。该方法包括：获取目标基底、位于目标基底上的二维材料层及位于二维材料层上的源漏金属层(S201)，在源漏金属层上形成第一掩膜层，并以第一掩膜层做掩膜定义二维材料层的形状，形成剩余的第一掩膜层的区域(S202)，去除位于剩余的第一掩膜层的区域之外的源漏金属层及位于剩余的第一掩膜层的区域之外的二维材料层(S203)，去除剩余的第一掩膜层，形成定义的二维材料层及定义的源漏金属层(S204)，在定义的源漏金属层上形成第二掩膜层，并以第二掩膜层做掩膜定义沟道区域(S205)，去除位于沟道区域内的源漏金属层，形成源极、漏极和沟道区域(S206)，去除剩余的第二掩膜层，形成FET(S207)，从而，提升了FET的性能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，张臣雄，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44