一种SiC陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种SiC陶瓷及其制备方法，该SiC陶瓷，按重量份计，由75‑85份SiC和15‑25份烧结助剂热压烧结而成；所述烧结助剂包括10‑16.7份Mg2Si和5‑8.3份Al。本发明专利技术通过在SiC中加入烧结助剂Mg2Si、Al制备SiC陶瓷，降低了本发明专利技术SiC陶瓷的烧结温度，并提高了其致密度、相对密度和力学性能，其中，本发明专利技术SiC陶瓷的烧结温度可低至1350℃，致密度可高达99.3％，体积密度可高达3.03g/cm

【技术实现步骤摘要】
一种SiC陶瓷及其制备方法
本专利技术涉及陶瓷
，特别涉及一种SiC陶瓷及其制备方法。
技术介绍
SiC陶瓷具有高硬度、耐高温性、耐磨损性和抗热震性等优点，使其在结构工程中得到广泛的应用，特别是其独特的高温力学性能使之特别适宜于制造高温熔炉部件、火箭燃烧室内衬及燃气涡轮机叶片。SiC由于强共价键(Si-C键)、烧结致密化所需的体积扩散和晶界扩散速度较小，纯SiC烧结陶瓷很难致密，从而限制其应用。目前，一般通过设计烧结助剂体系的组成和控制烧结条件等来实现致密化，但仍然存在烧结温度高，致密化程度低的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术旨在提出一种SiC陶瓷及其制备方法，以解决现有SiC陶瓷烧结温度高、致密化程度低的问题。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：一种SiC陶瓷，按重量份计，由75-85份SiC和15-25份烧结助剂热压烧结而成；所述烧结助剂包括10-16.7份Mg2Si和5-8.3份Al。可选地，所述的SiC陶瓷，按重量份计，由75份SiC和25份烧结助剂热压烧结而成；所述烧结助剂包括16.7份Mg2Si和8.3份Al。可选地，所述SiC的粒径为0.3-0本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC陶瓷，其特征在于，按重量份计，由75‑85份SiC和15‑25份烧结助剂热压烧结而成；所述烧结助剂包括10‑16.7份Mg2Si和5‑8.3份Al。

【技术特征摘要】
1.一种SiC陶瓷，其特征在于，按重量份计，由75-85份SiC和15-25份烧结助剂热压烧结而成；所述烧结助剂包括10-16.7份Mg2Si和5-8.3份Al。2.根据权利要求1所述的SiC陶瓷，其特征在于，按重量份计，由75份SiC和25份烧结助剂热压烧结而成；所述烧结助剂包括16.7份Mg2Si和8.3份Al。3.根据权利要求1或2所述的SiC陶瓷，其特征在于，所述SiC的粒径为0.3-0.5μm；所述烧结助剂的粒径为2-5μm。4.制备权利要求1或2或3所述的SiC陶瓷的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)向所述SiC和所述烧结助剂中加入无水乙醇，球磨，得到粉料A；2)将所述粉料A烘干并...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊国，张睿成，罗杰，沈强，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42