一种高热导液相烧结碳化硅陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高热导液相烧结碳化硅陶瓷及其制备方法，包括：将SiC粉体、稀土氧化物和溶剂混合，制备得到浆料，所述稀土氧化物为CeO2、Y2O3、Er2O3中的至少两种；将所得浆料经干燥、过筛、成型后得到坯体；将所得坯体经过热压烧结，得到所述高热导液相烧结碳化硅陶瓷。

【技术实现步骤摘要】
一种高热导液相烧结碳化硅陶瓷及其制备方法
本专利技术涉及一种高热导液相烧结碳化硅(SiC)陶瓷及其制备方法，属于高热导陶瓷领域。
技术介绍
高导热、电绝缘陶瓷在大规模集成电路、计算机技术、高温工业等领域具有广阔的应用前景，被大量研究并应用于电子、航空航天等领域。目前，广泛使用具有良好的电气绝缘和机械强度的氧化铝瓷(Al2O3)和氧化铍瓷(BeO)。Al2O3的热导率偏低(10～30W/m·K)，不适宜在高密度、大功率的器件中应用；BeO是最具代表性的高导热陶瓷，其化学稳定性、电绝缘性以及耐热性都极好，但是BeO具有很强的毒性，现在工业生产中已逐渐停止使用。随着半导体制品向高性能、小型轻量化、高可靠性方向发展，迫切需要同时具备良好电气绝缘(电阻率>109Ω·cm)和热传导，且热膨胀系数同硅半导体相近的新材料。碳化硅(SiC)陶瓷具有高强度、高硬度、高导热、耐高温、耐腐蚀、耐磨损、性能稳定、不易老化等优良的性能，现已被广泛应用于各工业领域。根据Slack的估计，纯SiC单晶的室温本征热导率为490W/(m·K)。但SiC陶瓷是一种强共价健的化合物，为实现其致密化烧结必须添加烧结助剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高热导液相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：将SiC粉体、稀土氧化物和溶剂混合，制备得到浆料，所述稀土氧化物为CeO2、Y2O3、Er2O3中的至少两种；将所得浆料经干燥、过筛、成型后得到坯体；将所得坯体经过热压烧结，得到所述高热导液相烧结碳化硅陶瓷。

【技术特征摘要】
1.一种高热导液相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：将SiC粉体、稀土氧化物和溶剂混合，制备得到浆料，所述稀土氧化物为CeO2、Y2O3、Er2O3中的至少两种；将所得浆料经干燥、过筛、成型后得到坯体；将所得坯体经过热压烧结，得到所述高热导液相烧结碳化硅陶瓷。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述SiC粉体的粒径为0.1～1.0μm。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述稀土氧化物的添加量占SiC粉体和稀土氧化物总质量的3.0～8.0wt%。4.根据权利要求1-3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述浆料中还包括分散剂，所述分散剂为四甲基氢氧化铵、聚丙烯酸和聚丙烯酸氨中的至少一种；优选地所述分散剂为SiC粉体和稀土氧化物总质量的0.5～1wt%。5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚秀敏，张辉，杨晓，刘学建，黄政仁，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31