【技术实现步骤摘要】
一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺
本专利技术属于硅片抛光领域,尤其是涉及一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺。
技术介绍
在硅片制造领域,硅片边缘的粗糙程度在后续的加工品质中扮演着重要的角色,硅片边缘粗糙会导致后续外延加工时出现层错和位错等不良影响;也会导致边缘崩边、裂片等风险。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术旨在提出一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺,以。为达到上述目的,本专利技术的技术方案是这样实现的:一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺,包括将硅片放入边抛液中调节工艺参数如下,然后开始抛光,所述的工艺参数如下:V槽工位:抛光压力9-11N,抛光时间26-30s,抛光角度为0度、45度和-45度;边缘工位:抛光头转速235-245rpm,时间20-22s。优选的,所述的边抛工艺中工艺参数均为:V槽工位:抛光压力10N、抛光时间28s;边缘工位:抛光头转速240rpm、时间21s。优选的,所述的硅片为8英寸硅片。优选的,所述的边抛工艺还包括边抛前测量硅片倒角和边抛后用显微镜测试硅片边缘粗糙度、用轮廓仪进行倒角角度测试。优选的,所述的抛光液为203V边抛液。本专利技术的另一目的在于提出所述边抛工艺在降低硅片边缘粗糙度中的应用。本专利技术所述的边抛工艺可以有效地降低硅片边缘粗糙度,防止后续外延加工时出现层错和位错等不良现象,并且减少边缘应力,降低发生边缘崩边、裂片等风险。附图说明构成本专利技术的一部分的附图用来提供对本专利技术的进一步理解,本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1为使用本专利技术实施例1粗糙度分 ...
【技术保护点】
1.一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺,其特征在于:将硅片放入边抛液中调节工艺参数如下,然后开始抛光,所述的工艺参数如下:V槽工位:抛光压力9‑11N,抛光时间26‑30s,抛光角度为0度、45度和‑45度;边缘工位:抛光头转速235‑245rpm,时间20‑22s。
【技术特征摘要】
1.一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺,其特征在于:将硅片放入边抛液中调节工艺参数如下,然后开始抛光,所述的工艺参数如下:V槽工位:抛光压力9-11N,抛光时间26-30s,抛光角度为0度、45度和-45度;边缘工位:抛光头转速235-245rpm,时间20-22s。2.根据权利要求1所述的一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺,其特征在于:所述的边抛工艺中工艺参数均为:V槽工位:抛光压力10N、抛光时间28s;边缘工位:抛光头转速240rpm、时间21s。3....
【专利技术属性】
技术研发人员:张冲波,吴镐硕,刘秒,陈良臻,刘琦,武卫,孙晨光,
申请(专利权)人:天津中环领先材料技术有限公司,
类型:发明
国别省市:天津,12
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