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本发明提供了一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺，包括将硅片放入边抛机中喷淋边抛液，调节工艺参数如下，然后开始抛光，所述的工艺参数如下：V槽工位：抛光压力9‑11N，抛光时间26‑30s，抛光角度为0度、45度和‑45度；边缘工位：抛光头转速2...该专利属于天津中环领先材料技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津中环领先材料技术有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种降低硅片边缘粗糙度的边抛工艺，包括将硅片放入边抛机中喷淋边抛液，调节工艺参数如下，然后开始抛光，所述的工艺参数如下：V槽工位：抛光压力9‑11N，抛光时间26‑30s，抛光角度为0度、45度和‑45度；边缘工位：抛光头转速2...