AMOLED面板的驱动薄膜晶体管电性侦测方法技术

本发明专利技术涉及一种AMOLED面板的驱动薄膜晶体管电性侦测方法。该电性侦测方法所涉及的AMOLED面板包括：在面板有效显示区呈陈列排布的多个像素单元，每行像素单元连接相应的扫描线，每列像素单元连接相应的数据线和侦测线；每个像素单元分别包括相应的AMOLED像素驱动电路，所述面板中第n行的像素单元所包含的AMOLED像素驱动电路的第一扫描信号(WR)和第二扫描信号(RD)分别为第n行的像素单元的第一扫描信号(WR(n))和第二扫描信号(RD(n))，在所述面板中，所述第n行的像素单元的第二扫描信号(RD(n))与第n+1行的像素单元的第一扫描信号(WR(n+1))短接。本发明专利技术采用特殊的侦测时序设计，实现对使用单栅极方式驱动的AMOLED面板的Vth及k值侦测。

【技术实现步骤摘要】
AMOLED面板的驱动薄膜晶体管电性侦测方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种AMOLED面板的驱动薄膜晶体管电性侦测方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示装置具有自发光，驱动电压低，发光效率高，响应时间短，使用温度范围宽等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示面板按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类。其中，AMOLED面板具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用于高清晰度的大尺寸显示装置。参见图1，其为一种现有的AMOLED像素驱动电路示意图，该AMOLED像素驱动电路主要包括：第一薄膜晶体管T1、作为驱动薄膜晶体管的第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第一电容Cst、第二电容Csen以及有机发光二极管D1；该AMOLED像素驱动电路通过侦测线连接侦测电路以实现侦测功能，侦测电路通过侦测线从AMOLED像素驱动电路获得侦测电压Vsamp，侦测电路可以包含于源极驱动器中，利用侦测电压Vsamp可补偿第二薄膜晶体管T2的阈值电压Vth，由于AMOLED面板为电流驱动型显示装置，驱动薄膜晶体管的均匀性和稳定性会影响显示效果，通过补偿第二薄膜晶体管T2的阈值电压Vth可提升显示质量。第一薄膜晶体管T1的栅极连接第一扫描信号WR，源极和漏极分别连接数据信号Data和第一节点g，第一薄膜晶体管T1在第一扫描信号WR的控制下将数据信号Data传输到第二薄膜晶体管T2的栅极；第二薄膜晶体管T2的栅极连接第一节点g，源极和漏极分别连接第二节点s和电源高电压VDD；第三薄膜晶体管T3的栅极连接第二扫描信号RD，源极和漏极分别连接第二节点s和侦测线；第一电容Cst的两端分别连接第一节点g和第二节点s；第二电容Csen的两端分别连接侦测线和接地；有机发光二极管D1的阳极连接第二节点s，阴极连接电源低电压VSS。侦测电路主要包括侦测引脚ADC和参考电压输出端；侦测引脚ADC通过第一开关K1连接侦测线，第一开关K1在侦测信号samp的控制下将侦测引脚ADC与侦测线连接，使侦测引脚ADC可以通过侦测线从AMOLED像素驱动电路获得侦测电压Vsamp，侦测电路通过侦测引脚ADC采样时，侦测线上电流趋近于0，此时可认为侦测电压Vsamp等于第二节点s也就是第二薄膜晶体管T2源极的电压Vs，侦测引脚ADC可进一步与模数转换电路连接以转换侦测电压Vsamp；参考电压输出端通过第二开关K2连接侦测线，第二开关K2在控制信号sen_pre的控制下将参考电压输出端与侦测线连接，使参考电压输出端可以通过侦测线向AMOLED像素驱动电路输出参考电压Vref进行预充电。包含现有AMOLED像素驱动电路的AMOLED面板一般采用双栅极(TwoGate)扫描驱动方案，第一扫描信号WR和第二扫描信号RD是来源于AMOLED像素驱动电路外部的两组单独的栅极扫描信号，而栅极扫描信号则一般来自于AMOLED像素驱动电路外部的栅极驱动器(GateDriver)或阵列基板行驱动(GOA)电路。对于大尺寸的AMOLED面板而言，两组栅极扫描信号的设计会牺牲较大的开口率，同时两组栅极扫描信号会增加栅极驱动器或阵列基板行驱动电路成本。为解决前述问题，欲使用单栅极方式驱动AMOLED像素驱动电路，但是伴随的问题是传统的驱动薄膜晶体管电性侦测方法不适用于单栅极方式驱动的AMOLED像素驱动电路。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种AMOLED面板的驱动薄膜晶体管电性侦测方法，应用于单栅极方式驱动的AMOLED像素驱动电路的驱动薄膜晶体管电性侦测。为实现上述目的，本专利技术提供了一种AMOLED面板的驱动薄膜晶体管电性侦测方法，该AMOLED面板包括在面板有效显示区呈陈列排布的多个像素单元，每行像素单元连接相应的扫描线，每列像素单元连接相应的数据线和侦测线；每个像素单元分别包括相应的子像素的AMOLED像素驱动电路，所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管，其栅极连接第一扫描信号，源极和漏极分别连接数据信号和第一节点；第二薄膜晶体管，其栅极连接第一节点，源极和漏极分别连接第二节点和电源高电压；第三薄膜晶体管，其栅极连接第二扫描信号，源极和漏极分别连接第二节点和侦测线；第一电容，其两端分别连接第一节点和第二节点；第二电容，其两端分别连接侦测线和接地；有机发光二极管，其阳极连接第二节点，阴极连接电源低电压；所述面板中第n行的像素单元所包含的AMOLED像素驱动电路的第一扫描信号和第二扫描信号分别为第n行的像素单元的第一扫描信号和第二扫描信号，在所述面板中，所述第n行的像素单元的第二扫描信号与第n+1行的像素单元的第一扫描信号短接；侦测电路包括侦测引脚和参考电压输出端；侦测引脚通过第一开关连接侦测线，第一开关在侦测信号的控制下将侦测引脚与侦测线连接导通，以使侦测引脚通过侦测线从AMOLED像素驱动电路获得侦测电压；参考电压输出端通过第二开关连接侦测线，第二开关在控制信号的控制下将参考电压输出端与侦测线连接，以使参考电压输出端通过侦测线向AMOLED像素驱动电路输出参考电压；当侦测第二薄膜晶体管的阈值电压Vth时，按照逐行扫描的方式顺序开启面板上每个AMOLED像素驱动电路，假设在面板的一帧显示时间内每行像素单元的扫描时间为t，则第一扫描信号持续打开第一薄膜晶体管的时间为2t，第二扫描信号持续打开第三薄膜晶体管的时间为2t，并且第一薄膜晶体管在第三薄膜晶体管之前时间t打开；顺序侦测面板每行像素单元的子像素的AMOLED像素驱动电路的第二薄膜晶体管的阈值电压Vth并保存结果，侦测完当前行像素单元后再侦测下一行像素单元。其中，侦测各子像素的AMOLED像素驱动电路的第二薄膜晶体管的阈值电压Vth时，通过数据线输入数据信号控制各子像素的AMOLED像素驱动电路的第二薄膜晶体管的栅极电压Vg，通过控制信号给第二薄膜晶体管的源极充电，以控制源极电压Vs；当源极电压Vs充电至Vg－Vth时，通过侦测信号控制侦测引脚进行采样以读取源极电压Vs，从而可以得到阈值电压Vth。其中，当侦测第二薄膜晶体管的k值时，按照逐行扫描的方式顺序开启面板上每个AMOLED像素驱动电路，假设在面板的一帧显示时间内每行像素单元的扫描时间为t，则第一扫描信号持续打开第一薄膜晶体管的时间为2t，第二扫描信号持续打开第三薄膜晶体管的时间为2t，并且第一薄膜晶体管在第三薄膜晶体管之前时间t打开；依次分别侦测整个面板某一类子像素的奇数行、偶数行的AMOLED像素驱动电路的第二薄膜晶体管的k值。其中，当侦测某一类子像素的奇数行、偶数行的AMOLED像素驱动电路的第二薄膜晶体管的k值，其他类子像素的AMOLED像素驱动电路的数据信号始终为低电位。其中，当侦测某一类子像素的奇数行的AMOLED像素驱动电路的k值时，奇数行的AMOLED像素驱动电路的数据信号输入数据电压Vdata+阈值电压Vth以对第二薄膜晶体管的栅极充电，得到栅极电压Vg，偶数行的AMOLED像素驱动电路的数据信号输入低电位；当侦测某一类子像素的奇数行时，奇本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AMOLED面板的驱动薄膜晶体管电性侦测方法，其特征在于，该AMOLED面板包括：在面板有效显示区呈陈列排布的多个像素单元，每行像素单元连接相应的扫描线，每列像素单元连接相应的数据线和侦测线；每个像素单元分别包括相应的子像素的AMOLED像素驱动电路，所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)，其栅极连接第一扫描信号(WR)，源极和漏极分别连接数据信号(Data)和第一节点(g)；第二薄膜晶体管(T2)，其栅极连接第一节点(g)，源极和漏极分别连接第二节点(s)和电源高电压(VDD)；第三薄膜晶体管(T3)，其栅极连接第二扫描信号(RD)，源极和漏极分别连接第二节点(s)和侦测线；第一电容(Cst)，其两端分别连接第一节点(g)和第二节点(s)；第二电容(Csen)，其两端分别连接侦测线和接地；有机发光二极管(D1)，其阳极连接第二节点(s)，阴极连接电源低电压(VSS)；所述面板中第n行的像素单元所包含的AMOLED像素驱动电路的第一扫描信号(WR)和第二扫描信号(RD)分别为第n行的像素单元的第一扫描信号(WR(n))和第二扫描信号(RD(n))，在所述面板中，所述第n行的像素单元的第二扫描信号(RD(n))与第n+1行的像素单元的第一扫描信号(WR(n+1))短接；侦测电路包括侦测引脚(ADC)和参考电压输出端；侦测引脚(ADC)通过第一开关(K1)连接侦测线，第一开关(K1)在侦测信号(samp)的控制下将侦测引脚(ADC)与侦测线连接导通，以使侦测引脚(ADC)通过侦测线从AMOLED像素驱动电路获得侦测电压；参考电压输出端通过第二开关(K2)连接侦测线，第二开关(K2)在控制信号(sen_pre)的控制下将参考电压输出端与侦测线连接，以使参考电压输出端通过侦测线向AMOLED像素驱动电路输出参考电压(Vref)；当侦测第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压Vth时，按照逐行扫描的方式顺序开启面板上每个AMOLED像素驱动电路，假设在面板的一帧显示时间内每行像素单元的扫描时间为t，则第一扫描信号(WR)持续打开第一薄膜晶体管(T1)的时间为2t，第二扫描信号(RD)持续打开第三薄膜晶体管(T3)的时间为2t，并且第一薄膜晶体管(T1)在第三薄膜晶体管(T3)之前时间t打开；顺序侦测面板每行像素单元的子像素的AMOLED像素驱动电路的第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压Vth并保存结果，侦测完当前行像素单元后再侦测下一行像素单元。...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED面板的驱动薄膜晶体管电性侦测方法，其特征在于，该AMOLED面板包括：在面板有效显示区呈陈列排布的多个像素单元，每行像素单元连接相应的扫描线，每列像素单元连接相应的数据线和侦测线；每个像素单元分别包括相应的子像素的AMOLED像素驱动电路，所述AMOLED像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)，其栅极连接第一扫描信号(WR)，源极和漏极分别连接数据信号(Data)和第一节点(g)；第二薄膜晶体管(T2)，其栅极连接第一节点(g)，源极和漏极分别连接第二节点(s)和电源高电压(VDD)；第三薄膜晶体管(T3)，其栅极连接第二扫描信号(RD)，源极和漏极分别连接第二节点(s)和侦测线；第一电容(Cst)，其两端分别连接第一节点(g)和第二节点(s)；第二电容(Csen)，其两端分别连接侦测线和接地；有机发光二极管(D1)，其阳极连接第二节点(s)，阴极连接电源低电压(VSS)；所述面板中第n行的像素单元所包含的AMOLED像素驱动电路的第一扫描信号(WR)和第二扫描信号(RD)分别为第n行的像素单元的第一扫描信号(WR(n))和第二扫描信号(RD(n))，在所述面板中，所述第n行的像素单元的第二扫描信号(RD(n))与第n+1行的像素单元的第一扫描信号(WR(n+1))短接；侦测电路包括侦测引脚(ADC)和参考电压输出端；侦测引脚(ADC)通过第一开关(K1)连接侦测线，第一开关(K1)在侦测信号(samp)的控制下将侦测引脚(ADC)与侦测线连接导通，以使侦测引脚(ADC)通过侦测线从AMOLED像素驱动电路获得侦测电压；参考电压输出端通过第二开关(K2)连接侦测线，第二开关(K2)在控制信号(sen_pre)的控制下将参考电压输出端与侦测线连接，以使参考电压输出端通过侦测线向AMOLED像素驱动电路输出参考电压(Vref)；当侦测第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压Vth时，按照逐行扫描的方式顺序开启面板上每个AMOLED像素驱动电路，假设在面板的一帧显示时间内每行像素单元的扫描时间为t，则第一扫描信号(WR)持续打开第一薄膜晶体管(T1)的时间为2t，第二扫描信号(RD)持续打开第三薄膜晶体管(T3)的时间为2t，并且第一薄膜晶体管(T1)在第三薄膜晶体管(T3)之前时间t打开；顺序侦测面板每行像素单元的子像素的AMOLED像素驱动电路的第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压Vth并保存结果，侦测完当前行像素单元后再侦测下一行像素单元。2.如权利要求1所述的AMOLED面板的驱动薄膜晶体管电性侦测方法，其特征在于，侦测各子像素的AMOLED像素驱动电路的第二薄膜晶体管(T2)的阈值电压Vth时，通过数据线输入数据信号(Data)控制各子像素的AMOLED像素驱动电路的第二薄膜晶体管(T2)的栅极电压Vg，通...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾玉超，黄泰钧，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44