双向式硅控整流器制造技术

本发明专利技术公开了一种双向式硅控整流器，其包含一轻掺杂半导体结构、一第一轻掺杂区、一第二轻掺杂区、一第一掺杂井区、一第二掺杂井区、一第一重掺杂区、一第二重掺杂区、一第三重掺杂区与一第四重掺杂区。轻掺杂半导体结构、第一重掺杂区与第三重掺杂区属于第一导电型，第一轻掺杂区、第二轻掺杂区、第一掺杂井区、第二掺杂井区、第二重掺杂区与第四重掺杂区属于第二导电型。第一轻掺杂区的第一部分位于第一掺杂井区的下方，第二轻掺杂区的第二部分位于第二掺杂井区的下方。

【技术实现步骤摘要】
双向式硅控整流器
本专利技术涉及一种双向式硅控整流器，且特别关于一种能降低接面电容的双向式硅控整流器。
技术介绍
受到静电放电(ESD)的冲击而损伤，再加上一些电子产品，如笔记本电脑或手机亦作的比以前更加轻薄短小，对ESD冲击的承受能力更为降低。对于这些电子产品，若没有利用适当的ESD保护装置来进行保护，则电子产品很容易受到ESD的冲击，从而造成电子产品发生统重新启动，甚至硬件受到伤害而无法复原的问题。目前，所有的电子产品都被要求能通过IEC61000-4-2标准的ESD测试需求。对于电子产品的ESD问题，使用瞬时电压抑制器(TVS)是较为有效的解决方法，让ESD能量快速通过TVS予以释放，避免电子产品受到ESD的冲击而造成伤害。TVS的工作原理如图1所示，在印刷电路板(PCB)上，瞬时电压抑制器10并联欲保护装置12，当ESD情况发生时，瞬时电压抑制器10瞬间被触发，同时，瞬时电压抑制器10亦可提供一低电阻路径，以供瞬时的ESD电流进行放电，让ESD瞬时电流的能量通过瞬时电压抑制器10得以释放。在美国专利公开号20090032838中，公开了对称式与双向式硅控整流器，其包含一基板、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双向式硅控整流器，其特征在于，包含：一轻掺杂半导体结构，属于第一导电型；一第一轻掺杂区与一第二轻掺杂区，属于第二导电型，该第一轻掺杂区与该第二轻掺杂区设于该轻掺杂半导体结构中；一第一掺杂井区，属于该第二导电型，该第一掺杂井区设于该第一轻掺杂区中，该第一轻掺杂区的第一部分位于该第一掺杂井区的下方；一第二掺杂井区，属于该第二导电型，该第二掺杂井区设于该第二轻掺杂区中，该第二轻掺杂区的第二部分位于该第二掺杂井区的下方；一第一重掺杂区，属于该第一导电型，该第一重掺杂区设于该第一掺杂井区中；一第二重掺杂区，属于该第二导电型，该第二重掺杂区设于该第二掺杂井区中；一第三重掺杂区，属于该第一导电型，该...

【技术特征摘要】
2018.08.30 US 16/117,1471.一种双向式硅控整流器，其特征在于，包含：一轻掺杂半导体结构，属于第一导电型；一第一轻掺杂区与一第二轻掺杂区，属于第二导电型，该第一轻掺杂区与该第二轻掺杂区设于该轻掺杂半导体结构中；一第一掺杂井区，属于该第二导电型，该第一掺杂井区设于该第一轻掺杂区中，该第一轻掺杂区的第一部分位于该第一掺杂井区的下方；一第二掺杂井区，属于该第二导电型，该第二掺杂井区设于该第二轻掺杂区中，该第二轻掺杂区的第二部分位于该第二掺杂井区的下方；一第一重掺杂区，属于该第一导电型，该第一重掺杂区设于该第一掺杂井区中；一第二重掺杂区，属于该第二导电型，该第二重掺杂区设于该第二掺杂井区中；一第三重掺杂区，属于该第一导电型，该第三重掺杂区设于该第二掺杂井区中；以及一第四重掺杂区，属于该第二导电型，该第四重掺杂区设于该第一掺杂井区中。2.如权利要求1所述的双向式硅控整流器，其特征在于，该第一重掺杂区与该第四重掺杂区电性连接第一接脚，该第二重掺杂区与该第三重掺杂区电性连接第二接脚。3.如权利要求1所述的双向式硅控整流器，其特征在于，该第一轻掺杂区的该第一部分与该第二轻掺杂区的该第二部分分别作为第一轻掺杂埋区与第二轻掺杂埋区。4.如权利要求3所述的双向式硅控整流器，其特征在于，该轻掺杂半导体结构更包含：一轻掺杂基板，属于该第一导电型；以及一轻掺杂磊晶层，属于该第一导电型，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈致维，林昆贤，
申请(专利权)人：晶焱科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71