一种高耐压的碳化硅肖特基二极管制造技术

本实用新型专利技术属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高耐压的碳化硅肖特基二极管，半导体基板包括N型碳化硅衬底及N型碳化硅外延层，在N型碳化硅外延层内的上部设有若干个间隔分立的条形第一P型阱区及条形第一N型阱区，在条形第一P型阱区和条形第一N型阱区下方或下表面设有若干个间隔分立的条形第二P型阱区及条形第二N型阱区，条形第一P型阱区分别与条形第二P型阱区、条形第二N型阱区间呈30度~90度的夹角；本实用新型专利技术通过在条形第一P型阱区下方设置与条形第一P型阱区呈一定夹角的条形第二P型阱区，同时提高条形P型阱区间条形N型阱区的掺杂浓度，大幅增加器件的击穿电压，改善器件的浪涌电流能力。

【技术实现步骤摘要】
一种高耐压的碳化硅肖特基二极管
本技术涉及一种二极管及制造方法，尤其是一种高耐压的碳化硅肖特基二极管，属于半导体器件的制造

技术介绍
功率器件及其模块为实现多种形式电能之间转换提供了有效的途径，在国防建设、交通运输、工业生产、医疗卫生等领域得到了广泛应用。自上世纪50年代第一款功率器件应用以来，每一代功率器件的推出，都使得能源更为高效地转换和使用。传统功率器件及模块由硅基功率器件主导，主要以晶闸管、功率二极管、功率三极管、功率MOSFET以及绝缘栅场效应晶体管等器件为主，在全功率范围内均得到了广泛的应用，以其悠久历史、十分成熟的设计技术和工艺技术占领了功率半导体器件的主导市场。然而，随着功率半导体技术发展的日渐成熟，硅基功率器件其特性已逐渐逼近其理论极限。为了进一步提高功率器件的功率控制能力及能效，SiC、GaN等第三代宽禁带功率半导体应运而生，目前SiC、GaN宽禁带功率半导体性能、可靠性已得到广泛认可，是未来功率器件最主要的发展方向。碳化硅(SiC)相比传统的硅材料具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高等优势。禁带宽度大使碳化硅的器件临界击穿电场大幅提升，可以大幅提升器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高耐压的碳化硅肖特基二极管，包括半导体基板，所述半导体基板包括N型碳化硅衬底（2）及位于N型碳化硅衬底（2）上的N型碳化硅外延层（3），其特征在于，在所述N型碳化硅外延层（3）内的上部设有若干个间隔分立的条形第一P型阱区（6）及位于相邻条形第一P型阱区（6）间的条形第一N型阱区（7），在所述条形第一P型阱区（6）和条形第一N型阱区（7）下方或下表面设有若干个间隔分立的条形第二P型阱区（5）及位于相邻条形第二P型阱区（5）间的条形第二N型阱区（4），所述条形第一P型阱区（6）分别与条形第二P型阱区（5）、条形第二N型阱区（4）间呈30度~90度的夹角。

【技术特征摘要】
1.一种高耐压的碳化硅肖特基二极管，包括半导体基板，所述半导体基板包括N型碳化硅衬底（2）及位于N型碳化硅衬底（2）上的N型碳化硅外延层（3），其特征在于，在所述N型碳化硅外延层（3）内的上部设有若干个间隔分立的条形第一P型阱区（6）及位于相邻条形第一P型阱区（6）间的条形第一N型阱区（7），在所述条形第一P型阱区（6）和条形第一N型阱区（7）下方或下表面设有若干个间隔分立的条形第二P型阱区（5）及位于相邻条形第二P型阱区（5）间的条形第二N型阱区（4），所述条形第一P型阱区（6）分别与条形第二P型阱区（...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，周锦程，杨卓，叶鹏，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32