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本实用新型属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种高耐压的碳化硅肖特基二极管，半导体基板包括N型碳化硅衬底及N型碳化硅外延层，在N型碳化硅外延层内的上部设有若干个间隔分立的条形第一P型阱区及条形第一N型阱区，在条形第一P型阱区和条形第一N型阱...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

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