一种肖特基器件的制备方法及结构技术

本发明专利技术提供一种肖特基器件的制备方法及结构，该方法包括：在衬底上形成沟槽；用高密度等离子体气相沉积法在沟槽底部填充底部氧化层；在沟槽内填满光阻后去除沟槽外的氧化层；在沟槽侧壁上生长栅氧层并于沟槽内填充导电材料；去除沟槽上部的部分导电材料及栅氧层，在沟槽中部保留栅氧层及导电材料；在衬底表面、沟槽上部沉积肖特基金属层；在肖特金属层上形成电极层和金属引线层；电极层下凹填满沟槽的上部空间。本发明专利技术有利于在保持器件低漏电、耐压的基础上增加器件的抗反向浪涌能力，有效的降低相同器件面积下的沟槽型肖特基器件的正向导通电压，可缩小沟槽间距，减小特征尺寸，提高芯片集成度，并易于实现，成本可控。

【技术实现步骤摘要】
一种肖特基器件的制备方法及结构
本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种肖特基器件的制备方法及结构。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，功率器件作为一种新型器件，被广泛地应用于磁盘驱动、汽车电子等领域。功率器件需要能够承受较大的电压、电流以及功率负载。而现有MOS晶体管等器件无法满足上述需求，因此，为了满足应用的需要，各种功率器件成为关注的焦点。肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)为正极，以N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的N型半导体中向浓度低的贵金属中扩散。显然，贵金属中没有空穴，也就不存在空穴自金属向N型半导体的扩散运动。随着电子不断从N型半导体扩散到贵金属，N型半导体表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为N型半导体→贵金属。但在该电场作用之下，贵金属中的电子也会产生从贵金属→N型半导体的漂移运动，从而削弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种肖特基器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1在N型外延层衬底上形成沟槽；S2采用高密度等离子体气相沉积法在所述沟槽底部填充一定厚度的底部氧化层，然后去除所述底部氧化层上方沟槽侧壁上的氧化层；S3在所述沟槽内填满光阻，然后去除所述沟槽外的氧化层；S4去除所述光阻，然后在暴露的所述沟槽侧壁上生长栅氧层，并于所述沟槽内填充导电材料；S5去除所述沟槽上部的部分所述导电材料、上部侧壁上的栅氧层及所述沟槽外部的栅氧层，在所述沟槽中部保留栅氧层及导电材料；S6在所述N型外延层衬底表面、所述沟槽上部的侧壁及暴露出的所述栅氧层和导电材料的表面沉积肖特基金属层；S7在所述肖特金属层上形成电极层，并...

【技术特征摘要】
1.一种肖特基器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1在N型外延层衬底上形成沟槽；S2采用高密度等离子体气相沉积法在所述沟槽底部填充一定厚度的底部氧化层，然后去除所述底部氧化层上方沟槽侧壁上的氧化层；S3在所述沟槽内填满光阻，然后去除所述沟槽外的氧化层；S4去除所述光阻，然后在暴露的所述沟槽侧壁上生长栅氧层，并于所述沟槽内填充导电材料；S5去除所述沟槽上部的部分所述导电材料、上部侧壁上的栅氧层及所述沟槽外部的栅氧层，在所述沟槽中部保留栅氧层及导电材料；S6在所述N型外延层衬底表面、所述沟槽上部的侧壁及暴露出的所述栅氧层和导电材料的表面沉积肖特基金属层；S7在所述肖特金属层上形成电极层，并在所述电极层上形成金属引线层；所述电极层覆盖所述N型外延层衬底表面的肖特基金属层并下凹填满所述沟槽的上部空间。2.根据权利要求1所述的肖特基器件的制备方法，其特征在于：所述沟槽的宽度为0.1-1.2μm，深度为0.5-6μm。3.根据权利要求1所述的肖特基器件的制备方法，其特征在于：步骤S2采用高密度等离子体气相沉积氧化层之前，先在所述沟槽内形成一层牺牲氧化层，然后湿法腐蚀去除所述牺牲氧化层，再在所述沟槽内生长一层底层氧化层。4.根据权利要求3所述的肖特基器件的制备方法，其特征在于：所述牺牲氧化层厚度为10-125nm。5.根据权利要求1所述的肖特基器件的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈茜，余俊良，杨月星，
申请(专利权)人：华润微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50