一种基于无线充电的肖特基二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于无线充电的肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括：选取SiO2衬底；在所述SiO2衬底表面形成第一Ge层；采用连续激光扫描所述第一Ge层，以及使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶；在所述再结晶后的第一Ge层的表面形成第二Ge层；对所述第二Ge层进行离子注入，形成第一N型Ge层；在所述第一N型Ge层上形成第一电极和第二电极。应用本发明专利技术实施例能够提高基于无线充电的肖特基二极管的电子迁移率。

A Schottky Diode Based on Wireless Charging and Its Preparation Method

The invention relates to a Schottky diode based on wireless charging and a preparation method thereof. The preparation method includes: selecting a SiO 2 substrate; forming a first Ge layer on the surface of the SiO 2 substrate; scanning the first Ge layer by continuous laser and recrystallizing the first Ge layer after natural cooling after scanning by continuous laser; and forming a second Ge layer on the surface of the recrystallized first Ge layer. A first N-type Ge layer is formed by ion implantation into the second Ge layer, and a first electrode and a second electrode are formed on the first N-type Ge layer. The embodiment of the invention can improve the electronic mobility of the Schottky diode based on wireless charging.

【技术实现步骤摘要】
一种基于无线充电的肖特基二极管及其制备方法
本专利技术属于集成电路
，具体涉及一种基于无线充电的肖特基二级及其制备方法。
技术介绍
无线充电技术可以突破传统传输线的限制，使得输送电能无需依靠输电线，可以应用在多个领域，比如，给手机电池进行无线充电。具体的，电源可以通过无线充电系统的发射器将直流电转化为电磁波发射出去，由设置在手机内的无线充电系统的接收端将接收到的电磁波转化为直流电，实现对手机的无线充电。其中，转换效率是指无线充电系统将电磁波转化为直流电的效率，是评价无线充电系统性能的关键指标。整流天线是无线充电系统的接收端的关键部件，而整流二极管是整流电路的核心器件，因此，整流二极管的性能，尤其是整流二极管的电子迁移率可以决定无线充电系统的最大转换效率。目前，可以使用肖特基二极管作为整流二极管。但是，肖特基二极管的电子迁移率还有待提高。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种基于无线充电的肖特基二级管及其制备方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本专利技术实施例提供了一种基于无线充电的肖特基二级管的制备方法，包括：选取SiO2衬底；在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于无线充电的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：选取SiO2衬底；在所述SiO2衬底表面形成第一Ge层；采用连续激光扫描所述第一Ge层，以及使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶；在所述再结晶后的第一Ge层的表面形成第二Ge层；对所述第二Ge层进行离子注入，形成第一N型Ge层；在所述第一N型Ge层上形成第一电极和第二电极。

【技术特征摘要】
1.一种基于无线充电的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：选取SiO2衬底；在所述SiO2衬底表面形成第一Ge层；采用连续激光扫描所述第一Ge层，以及使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶；在所述再结晶后的第一Ge层的表面形成第二Ge层；对所述第二Ge层进行离子注入，形成第一N型Ge层；在所述第一N型Ge层上形成第一电极和第二电极。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述再结晶后的第一Ge层的表面形成第二Ge层的步骤，包括：采用磁控溅射的方法，在400℃～500℃下，将Ge靶材料溅射淀积在所述再结晶后的第一Ge层的表面，形成所述第二Ge层，其中，工艺压力为1.5×10-3mb，淀积速率为5nm/min，淀积厚度为600～700nm；所述对所述第二Ge层进行离子注入，形成第一N型Ge层的步骤，包括：在400℃～500℃下，在所述第二Ge层中注入P离子，形成所述第一N型Ge层，其中，注入时长为200s，注入计量为1.8×1014cm-3～2.0×1014cm-3，能量为30kev。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一N型Ge层上形成第一电极和第二电极的步骤，包括：在所述第一N型Ge层的表面上，预设的第一指定区域内注入P离子，以在所述预设的第一指定区域内形成第二N型Ge层；在所述第二N型Ge层的表面形成所述第一电极，以及在所述第一N型Ge层的表面形成所述第二电极。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一N型Ge层的表面上，预设的第一指定区域内的注入P离子，以在所述预设的第一指定区域内形成第二N型Ge层的步骤，包括：在所述第一N型Ge层的表面上，形成第一光刻胶；去除所述第一N型Ge层的表面上的预设的第一指定区域内的第一光刻胶；利用离子注入方法，在去除第一光刻胶后的预设的第一指定区域内注入P离子，以在预设的第一指定区域内形成所述第二N型Ge层。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第二N型Ge层的表面形成所述第一电极的步骤，包括：在所述第二N型Ge层的表面，利用电子束蒸发淀积铝金属层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘奕晨，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61