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本发明涉及一种基于无线充电的肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括：选取SiO2衬底；在所述SiO2衬底表面形成第一Ge层；采用连续激光扫描所述第一Ge层，以及使连续激光扫描后的第一Ge层自然冷却后再结晶；在所述再结晶后的第一Ge层的表...
该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。

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