压力传感器结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种压力传感器结构及其制作方法。所述压力传感器结构采用背压式倒装焊接结构，包括基座、盖帽和压敏组件等，所述压敏组件被封装于基座与盖帽之间的封装区域内，所述基座上设置有导电图形，所述压敏组件的电信号经所述导电图形引出至所述封装区域外部。本发明专利技术提供的压力传感器结构的传感精度高，可靠性好，适用于绝大部分非腐蚀性环境。

Structure and fabrication method of pressure sensor

The invention discloses a pressure sensor structure and a manufacturing method thereof. The pressure sensor structure adopts a backpressure flip-chip welding structure, including a base, a cap and a pressure sensitive component, etc. The pressure sensitive component is encapsulated in the encapsulation area between the base and the cap. The base is provided with a conductive pattern, and the electrical signal of the pressure sensitive component is drawn out to the outside of the encapsulation area through the conductive pattern. The pressure sensor structure provided by the invention has high sensing accuracy and good reliability, and is suitable for most non-corrosive environments.

【技术实现步骤摘要】
压力传感器结构及其制作方法
本专利技术涉及一种压力传感器，特别涉及一种压力传感器结构及其制作方法，属于微电子机械系统

技术介绍
微电子机械系统(MEMS)制造技术是在集成电路制造技术的基础上发展起来的，它沿用了许多IC制造工艺，但同时还发展了许多新的微机械加工工艺，是近来发展迅速的一项高新技术。微型化，功耗低，精度高，价格便宜，可批量生产等是微电子机械系统的主要优势和特点。MEMS压力传感器是汽车工业、生物医学、航空航天、工业自动化等领域不可或缺的重要器件。汽车工业普遍采用各种压力传感器来测量发动机机油压力、燃油压力、进气管道压力、安全气囊压力及轮胎压力。在生物医学领域，压力传感器可用于医疗诊断系统和颅内压力检测等。在航空航天领域，宇宙飞船和航天飞行器的姿态控制、高速飞行器、喷气发动机、火箭、卫星等耐热腔体和表面各部分压力的测量都离不开MEMS压力传感器。MEMS压阻式压力传感器是利用半导体材料的压阻效应和压敏薄膜的良好弹性，采用硅微机械加工制造工艺制成的一种压力传感器。其大多采用扩散硅工艺技术，当传感器的半导体弹性膜片受到外界振动、压力等作用时将产生变形，硅基压敏薄膜内部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压力传感器结构，其特征在于包括基座、盖帽和压敏组件，所述压敏组件被封装于基座与盖帽之间的封装区域内，所述基座上设置有导电图形，所述压敏组件的电信号经所述导电图形引出至所述封装区域外部。

【技术特征摘要】
1.一种压力传感器结构，其特征在于包括基座、盖帽和压敏组件，所述压敏组件被封装于基座与盖帽之间的封装区域内，所述基座上设置有导电图形，所述压敏组件的电信号经所述导电图形引出至所述封装区域外部。2.根据权利要求1所述的压力传感器结构，其特征在于：所述封装区域包括形成在基座与盖帽之间的密封腔室，所述压敏组件包括依次设置在所述基座第一表面的压敏膜和压敏电阻，而与所述基座第一表面背对的第二表面设置有槽型腔室。3.根据权利要求1所述的压力传感器结构，其特征在于：所述槽型腔室的底壁包括第一区域和第二区域，所述第一区域与所述压敏电阻对应设置，所述第二区域内设置有低弹性模量材料层，所述第一区域位于所述槽型腔室的底壁中央。4.根据权利要求3所述压力传感器结构，其特征在于：所述低弹性模量的材料层包括金属层或介质层或者由金属层与介质层形成的混合层；优选的，所述低弹性模量的材料层的厚度为4-10μm。5.根据权利要求3所述的压力传感器结构，其特征在于：所述低弹性模量材料层用于隔离所述密封腔室和槽型腔室；和/或，所述导电图形设置于低弹性模量材料层上方；和/或，所述密封腔由盖帽、设置在盖帽上的凹槽与基座围合形成。6.根据权利要求1所述的压力传感器结构，其特征在于：所述压敏电阻为惠斯登电桥结构；和/或，所述压敏电阻设置于压敏膜的中央；和/或，所述压敏膜的厚度为25μm-60μm。7.根据权利要求1所述的压力传感器结构，其特征在于：所述基座与盖帽之间经键合焊盘密封键合，所述键合焊盘环绕所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘斌，范亚明，朱璞成，陈诗伟，刘芹篁，黄蓉，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院，
类型：发明
国别省市：江西,36