一种电磁元件制造技术

本申请公开了一种电磁元件，电磁元件包括基板、磁芯、传输单元、及连接层，其中基板包括开设有多个内部导通孔的中心部及和开设有多个外部导通孔的外围部；中心部和外围部之间形成有环形容置槽；磁芯收容在环形容置槽内；传输单元，分别设置在基板相对两侧，每一传输单元均包括：传输线层，包括多条导线图案，每一导线图案连接一个内部导通孔和一个外部导通孔，多条导线图案沿磁芯的周向环绕设置；及连接层，位于传输线层上靠近基板的一侧，用于固定传输线层；其中，至少一个连接层的介电损耗不大于0.02。通过在传输线层之间设置介电损耗不大于0.02的连接层，可以减小传输线层中的信号损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种电磁元件
本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种电磁元件。
技术介绍
变压器由磁芯和线圈组成，线圈有两个或两个以上的绕组，其中接电源的绕组叫输入线圈，其余的绕组叫耦合线圈。它可以变换交流电压、电流和阻抗。现如今，随着变压器的小型化发展，通常采用将变压器的磁芯埋入PCB板中，然后再在PCB板两侧设置走线层从而形成输入线圈及耦合线圈。然而，由于PCB板设计空间的限制，变压器的输入线圈及耦合线圈经常会出现耦合效果不好，而导致变压器的性能下降。同时，此类变压器还具有集成度不高，导致变压器在安装时出现安装空间不足的问题。同时现有的变压器等电磁元件在传输信号的时通常会出现信号的传输损耗过大的问题。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种电磁元件，以解决现有技术中的现有的变压器等电磁元件在传输信号的时通常会出现信号的传输损耗过大的问题。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种电磁元件，电磁元件，包括：基板，包括：中心部，其上开设有贯穿所述基板的多个内部导通孔；和外围部，其上开设有贯穿所述基板的多个外部导通孔；所述中心部和所述外围部之间形成有环形容置槽；磁芯，收容在所述环形容置槽内；多个导电件，设置在所述内部导通孔和所述外部导通孔内，用于顺次连接所述两个传输线层上的所述导线图案，进而形成能够绕所述磁芯传输电流的线圈回路；以及传输单元，所述基板相对两侧各包括至少一个所述传输单元，每一所述传输单元均包括：传输线层，包括沿所述环形容置槽的周向间隔排布的多个导线图案，每一所述导线图案跨接于对应的一个所述内部导通孔和一个所述外部导通孔；及连接层，位于所述传输线层上靠近所述基板的一侧，用于固定所述传输线层；至少一个所述连接层的介电损耗小于或等于0.02。上述实施例的有益效果为：通过在传输线层之间设置介电损耗不大于0.02的连接层，可以减小传输线层中的信号损耗。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请一实施例中的变压器的立体图。图2是图1中变压器的截面的结构示意图。图3是图1中基板的立体结构示意图。图4是本申请一实施例变压器的俯视图。图5是图4中的变压器的仰视图。图6是本申请另一实施例变压器的俯视图。图7是本申请一实施例中第一传输线层上的线路图案示意图。图8是图7中第二传输线层上的线路图案示意图。图9是本申请一实施例中输入线和耦合线分层排布的结构示意图。图10是本申请一实施例中的变压器的制作方法的流程示意图。图11是本申请另一实施例中的变压器的制作方法的流程示意图。图12是本申请一实施例中的电磁元件的结构示意图。图13是本申请一实施例中集成变压器在滤波器和变压器同层设置时的平面示意图。图14是本申请一实施例中包含有多层基板的集成变压器的结构示意图。图15是本申请一实施例中集成变压器在滤波器和变压器分层设置时变压器的平面示意图。图16是本申请一实施例中集成变压器在滤波器和变压器分层设置时滤波器的平面示意图。图17是本申请一实施例中电磁器件的结构示意图。图18是图17所示的电磁器件的截面的结构示意图。图19是本申请另一实施例中电磁器件的结构示意图。图20是图19所示的电磁器件的截面的结构示意图。图21是本申请提供的一种集成变压器一实施例的截面示意图。图22是本申请提供的一种集成变压器另一实施例的截面示意图。具体实施方式下面将对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在一个方面，本申请提供一种变压器110。请参阅图1，图1是本申请一实施例中的变压器110的立体结构图，图2是图1中变压器110的截面图。如图1和图2所示，在本实施例中，该变压器110大体上可包括：基板10、嵌入基板10内的磁芯16、多个导电连接件17和设置在基板10相对两侧的二传输线层(分为第一传输线层20和第二传输线层30)。在一个实施例中，基板10的介电损耗可小于或等于0.02。具体地，基板10的材料为高速低速材料，该材料为有机树脂。例如，基板10的材料可以为台耀科技股份有限公司的型号为TU863F、TU872SLK的材料，也可以为松下电子材料有限公司的型号为M4、M6的材料，还可以为Nelco公司的MW1000材料以及台光电子的EM285的材料。在另一实施方式中，基板还可以由树脂材料制成。用增强材料浸以树脂胶黏剂，通过烘干、裁剪、叠合等工艺制成。请参阅图3，基板10可包括中心部12和环绕中心部12设置的外围部14。基板10的中心部12和外围部14之间形成一环形容置槽18，用于收容该磁芯16(图2中示出)。在本实施例中，中心部12与外围部14可为一体结构，即通过在基板10的中心处开设环形容置槽18以将该基板10分成中心部12和外围部14。当然，在其他实施例中，该中心部12与外围部14可以为分体结构，例如在基板10中心处开设圆形容置槽后再将中心部12通过例如粘结等方式固定于该圆形容置槽内，使该中心部12与外围部14之间形成该环形容置槽18，且中心部12与外围部14的两端面齐平。在本实施例中，该环形容置槽18的截面形状与磁芯16的截面形状大体相同，以便于磁芯16可容置在环形容置槽18内。其中，该环形容置槽18的横截面形状可以为圆环形、方环形、椭圆形等。对应地，该磁芯16的形状可以为圆环形、方环形、椭圆形等。继续参阅图1-3，在中心部12上开设有多个贯穿中心部12的内部导通孔13。其中，多个内部导通孔13邻近该中心部12的外侧壁设置，并沿该中心部12的周向排布。对应地，在外围部14上开设有多个贯穿外围部14的外部导通孔15，且多个外部导通孔15邻近外围部14的内侧壁设置，即：内部导通孔13在中心部12的顶面环绕该磁芯16的顶部内周壁设置，外部导通孔15在外围部14的顶面环绕该磁芯16的顶部外周壁设置。进一步地，在内部导通孔13和外部导通孔15内可以设置有多个导电件17，导电件17将位于基板10两侧的第一传输线层20和第二传输线层30电性连接。在一实施例中，该导电件17可以为金属柱，且与每一内部导通孔13或每一外部导通孔15对应的金属柱的直径小于或等于其所在的内部导通孔13或外部导通孔15的直径。该金属柱的材料包括不限于铜、铝、铁、镍、金、银、铂族、铬、镁、钨、钼、铅、锡、铟、锌或其合金等。在本实施例中，请参阅图2，可以通过例如电镀、涂覆等方式在内部导通孔13和外部导通孔15的内壁上形成金属层，由此将位于基板10相对两侧的传输线层20、30电性连接。该金属层的材料与上一实施例中的金属柱的材料相同，此处不再赘述。请参阅图4，在本实施例中，多个内部导通孔13包括第一内部导通孔132和第二内部导通孔134，且第一内部导通孔132的数量与第二内部导通孔134的数量相等。多个外部导通孔15包括第一外部导通孔152和第二外部导通孔1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁元件，其特征在于，包括：基板，包括：中心部，其上开设有贯穿所述基板的多个内部导通孔；和外围部，其上开设有贯穿所述基板的多个外部导通孔；所述中心部和所述外围部之间形成有环形容置槽；磁芯，收容在所述环形容置槽内；传输单元，所述基板相对两侧各包括至少一个所述传输单元，每一所述传输单元均包括：传输线层，包括沿所述环形容置槽的周向间隔排布的多个导线图案，每一所述导线图案跨接于对应的一个所述内部导通孔和一个所述外部导通孔；及连接层，位于所述传输线层上靠近所述基板的一侧，用于固定所述传输线层；至少一个所述连接层的介电损耗小于或等于0.02；多个导电件，设置在所述内部导通孔和所述外部导通孔内，用于顺次连接所述两个传输线层上的所述导线图案，进而形成能够绕所述磁芯传输电流的线圈回路。

【技术特征摘要】
1.一种电磁元件，其特征在于，包括：基板，包括：中心部，其上开设有贯穿所述基板的多个内部导通孔；和外围部，其上开设有贯穿所述基板的多个外部导通孔；所述中心部和所述外围部之间形成有环形容置槽；磁芯，收容在所述环形容置槽内；传输单元，所述基板相对两侧各包括至少一个所述传输单元，每一所述传输单元均包括：传输线层，包括沿所述环形容置槽的周向间隔排布的多个导线图案，每一所述导线图案跨接于对应的一个所述内部导通孔和一个所述外部导通孔；及连接层，位于所述传输线层上靠近所述基板的一侧，用于固定所述传输线层；至少一个所述连接层的介电损耗小于或等于0.02；多个导电件，设置在所述内部导通孔和所述外部导通孔内，用于顺次连接所述两个传输线层上的所述导线图案，进而形成能够绕所述磁芯传输电流的线圈回路。2.根据权利要求1所述的电磁元件，其特征在于，所述基板沿所述内部导通孔轴向的一侧设置一个所述传输单元，所述基板另外相对一侧也设置一个所述传输单元，两个所述传输单元中的至少一个所述连接层的介电损耗小于或等于0.02。3.根据权利要求1所述的电磁元件，其特征在于，所述基板沿所述内部导通孔轴向的一侧设置一个所述传输单元，所述基板另外相对一侧设置两个相邻的所述传输单元，两个相邻的所述传输线层之间的所述连接层的介电损耗小于或等于0.02。4.根据权利要求1所述的电磁元件，其特征在于，多个所述导线图案包括输入线及耦合线，多个所述内部导通孔包括第一内部导通孔和第二内部导通孔，多个所述外部导通孔包括第一外部导通孔和第二外部导通孔；每一所述输入线跨接于对应的一个所述第一内部导通孔和一个所述第一外部导通孔之间，且每一所述耦合线跨接于对应的一个所述第二内部导通孔和一个对应的所述第二外部导通孔之间。5.根据权利要求4所述的电磁元件，其特征在于，每一所述传输线层上均包括多条所述输入线及多条所述耦合线，同一所述传输线层上的多条所述输入线及多条所述耦合线沿所述磁芯的周向环绕交替设置。6.根据权利要求4所述的电磁元件，其特征在于，所述基板相对两侧中的至少一侧设置有两个所述传输单元，两个所述传输单元中的一者中的所述传输线层为输入线层，另一者中...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蓓蕾，郭伟静，曾浴华，缪桦，谢占昊，
申请(专利权)人：深南电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44