【技术实现步骤摘要】
一种N3掺杂的ZnO材料及其制备方法与乙醇传感器
本专利技术涉及气体传感器领域,尤其涉及一种N3掺杂的ZnO材料及其制备方法与乙醇传感器。
技术介绍
ZnO是一种宽禁带的金属氧化物半导体材料,由于其在气体传感器方面有很好的应用前景,已经被广泛用于检测乙醇和其他有毒有害气体。近些年,学者们研究了各种各样提高传感器气敏特性的方法,如贵金属掺杂、形成异质结、构造纳米结构敏感材料等。但是这些方法往往合成过程复杂、条件苛刻、成本也较高。最近研究显示,光激发是实现增强敏感特性的有效手段。首先光激发产生的光生载流子增加了材料中载流子密度;其次光激发可以改变材料表面吸附物质的电荷状态,降低晶界势垒高度;再次光激发降低耗尽层宽度,提高载流子隧穿的可能性;最后光激发活化反应气体,加速吸附物质的化学反应和脱附。在此基础上,一些紫外光激发型气体传感器被开发出来。虽然在一定程度上改善了器件对于气体的敏感特性,但是紫外光激发型气体传感器也存在一些不足:如光生电子空穴对的快速复合限制了敏感材料活性的增强,从而限制了在室温或较低温度下敏感特性的进一步提高,另外ZnO的带隙较宽只能吸收紫外光,光电 ...
【技术保护点】
1.一种N3掺杂的ZnO材料的制备方法,所述N3为cis‑二硫氰酸基双(N,N'‑2,2'‑联吡啶‑4,4'‑二甲酸)钌的简称,其特征在于,包括步骤:首先将N3染料加入无水乙醇中,并超声,得到N3乙醇溶液;然后将二水合醋酸锌加入去离子水中,搅拌至二水合醋酸锌固体完全溶解,之后逐滴加入氨水,搅拌直至得到透明澄清的溶液,然后加入N3乙醇溶液;将得到的溶液转移至反应釜中进行反应,反应结束后依次进行冷却、洗涤及干燥,得到N3掺杂的ZnO材料。
【技术特征摘要】
1.一种N3掺杂的ZnO材料的制备方法,所述N3为cis-二硫氰酸基双(N,N'-2,2'-联吡啶-4,4'-二甲酸)钌的简称,其特征在于,包括步骤:首先将N3染料加入无水乙醇中,并超声,得到N3乙醇溶液;然后将二水合醋酸锌加入去离子水中,搅拌至二水合醋酸锌固体完全溶解,之后逐滴加入氨水,搅拌直至得到透明澄清的溶液,然后加入N3乙醇溶液;将得到的溶液转移至反应釜中进行反应,反应结束后依次进行冷却、洗涤及干燥,得到N3掺杂的ZnO材料。2.根据权利要求1所述的N3掺杂的ZnO材料的制备方法,其特征在于,所述反应的温度为80~120℃。3.根据权利要求1所述的N3掺杂的ZnO材料的制备方法,其特征在于,所述反应的时间为5~12h。4.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜宇,王泉,刘振华,周嘉熙,叶杰雄,
申请(专利权)人:深圳大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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