环境传感器系统技术方案

我们在此公开了一种环境传感器系统，其包括环境传感器，该环境传感器包括第一加热器和第二加热器，其中，与所述第二加热器相比，所述第一加热器配置成消耗更低的功率。该系统还包括与环境传感器连接的控制器。所述控制器被配置为检测是否存在目标环境参数的测量值。所述控制器被配置为基于所述目标环境参数的测量值的存在和/或结果来接通所述第一加热器和所述第二加热器中的至少一者。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】环境传感器系统
本专利技术涉及一种环境传感器系统，特别是但不排他地，本专利技术涉及气体传感装置和用于操作气体传感装置的方法。
技术介绍
已知基于电阻气体传感、量热气体传感或基于非色散红外(NDIR)的气体传感来制造气体传感器。这些传感器中的每一个都需要加热器。在电阻式气体传感器中，加热器将传感材料加热到高温，在该高温下，材料的电阻在存在气体时发生变化。在量热传感器中，加热器加热催化剂，并且在目标气体存在下装置的温度升高。在NDIR传感器中，加热器用于提供由IR检测器检测的红外辐射。IR检测器检测发射器和检测器之间的路径中的目标气体吸收了多少辐射，以确定气体浓度。使用的加热器可以是大容量装置，例如细丝线，或者在NDIR传感器的情况下使用的加热器可以是微型灯泡。或者，它可以在半导体芯片上制造，例如作为微型加热板，其中加热器嵌入由半导体衬底支撑的介电膜内。这些传感器的最大功耗来源是加热器的使用。已经采用不同的方法来降低功耗。使用的一种方法是提供操作传感器的低功率和高功率模式。当测量结果表明气体浓度低时，传感器以低功率模式运行，而当结果表明存在或高浓度气体时，传感器以高功率模式运行(US52本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种环境传感器系统，包括：环境传感器，包括至少第一加热器和第二加热器，其中，与所述第二加热器相比，所述第一加热器配置成消耗更低的功率；与所述环境传感器连接的控制器，其中，所述控制器被配置为基于预定技术接通所述第一加热器和所述第二加热器中的至少一者。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.31 US 15/168,5471.一种环境传感器系统，包括：环境传感器，包括至少第一加热器和第二加热器，其中，与所述第二加热器相比，所述第一加热器配置成消耗更低的功率；与所述环境传感器连接的控制器，其中，所述控制器被配置为基于预定技术接通所述第一加热器和所述第二加热器中的至少一者。2.根据权利要求1所述的传感器系统，其中所述控制器被配置为应用所述预定技术以检测是否存在目标环境参数的测量值，并且其中所述控制器被配置为基于所述目标环境参数的测量值的存在和/或结果接通所述第一加热器和所述第二加热器中的至少一者。3.根据权利要求1或2所述的传感器系统，其中所述控制器被配置为应用所述预定技术以根据基于时间的事件或根据所述传感器系统中的功率变化检测来接通所述第一加热器和所述第二加热器中的至少一者。4.根据任一前述权利要求所述的传感器系统，其中与所述第二加热器相比，所述第一加热器具有更小的尺寸。5.根据前述权利要求中任一项所述的传感器系统，其中所述控制器被配置为检测是否不存在所述目标环境参数的测量值。6.根据权利要求5所述的传感器系统，其中所述控制器被配置为接通所述第一加热器。7.根据前述权利要求中任一项所述的传感器系统，其中所述控制器被配置为分析所述测量值，并且如果所述测量值超过预定阈值限制，则所述控制器被配置为接通所述第二加热器。8.根据权利要求7所述的传感器系统，其中所述控制器被配置为如果所述测量值超过所述预定阈值限制，则接通所述第一加热器和所述第二加热器。9.根据权利要求1所述的传感器系统，其中所述控制器被配置为：存储一组测量值；从该组测量值分析预定数量的最近测量值；和基于所述预定数量的最近测量值的分析结果确定要接通所述第一加热器和所述第二加热器中的哪一个。10.根据权利要求9所述的传感器系统，其中如果控制器根据所分析的结果确定没有测量值或所述测量值小于预定阈值限制，则所述控制器被配置为接通所述第一加热器。11.根据权利要求9或10所述的传感器系统，其中如果所述控制器根据所分析的结果确定所述测量值大于所述预定阈值限制，则所述控制器被配置为接通所述第二加热器或所述第一加热器和所述第二加热器两者。12.根据任一前述权利要求所述的传感器系统，其中所述环境传感器包括：包括蚀刻部分的衬底；所述衬底上的介电区域，所述介电区域的形成使得在所述蚀刻部分附近形成介电膜；其中，所述第一加热器和所述第二加热器形成在所述介电膜中或所述介电膜上。13.根据任一前述权利要求所述的传感器系统，其中所述环境传感器包括：包括第一蚀刻部分和第二蚀刻部分的衬底；所述衬底上的介电区域，所述介电区域的形成使得在所述第一蚀刻部分附近形成第一介电膜，在所述第二蚀刻部分附近形成第二介电膜；其中，所述第一加热器形成在所述第一介电膜中或所述第一介电膜上，所述第二加热器形成在所述第二介电膜中或所述第二介电膜上。14.根据权利要求12或13所述的传感器系统，其中所述介电膜由以下任何一种形成：使用深反应离子蚀刻(DRIE)对所述衬底进行背面蚀刻，和使用各向异性蚀刻，例如氢氧化钾(KOH)或四甲基氢氧化铵(TMAH)。15.根据权利要求12至14中任一项所述的传感器系统，其中所述介电膜包括：包含二氧化硅和/或氮化硅的一个或多个介电层；玻璃...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·Z·艾利，S·J·斯黛茜，F·乌德雷亚，
申请(专利权)人：AMS传感器英国有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB