一种真空离子镀银工艺制造技术

技术编号:20756661 阅读:61 留言:0更新日期:2019-04-03 12:33
本发明专利技术提供一种真空离子镀银工艺,利用中频磁控溅射靶材放电将氩气离子撞击银靶材表面,靶材的原子被弹出而堆积在零件表面形成的镀层。以解决现有航空航天所用标准件的电镀技术较为落后,会产生大量的废气、废水和废渣,对环境污染严重的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种真空离子镀银工艺
本专利技术涉及一种真空离子镀银工艺,属于镀银

技术介绍
目前航空航天所用的标准件,都是采用传统的电镀技术,利用电镀液、电源等,会产生大量的废气、废水和废渣,对环境污染严重。
技术实现思路
本专利技术的目的在于:提供一种真空离子镀银工艺,以解决现有航空航天所用标准件的电镀技术较为落后,会产生大量的废气、废水和废渣,对环境污染严重的问题。为解决上述问题,拟采用这样一种真空离子镀银工艺,具体工艺如下:①刻蚀:真空:4.0x10-1Pa,偏压150伏,刻蚀电流:100-150A,用钛柱弧轰击5分钟;②中频镀银:真空:5.0x10-1Pa,光栓:20°,电压:100V,占空比:80%,电流:18-22A,时间:20min;③直流镀膜:真空:5.0x10-1Pa,光栓:20°,电压:100V,占空比:80%,电流:20-28A,时间:60min。上述工艺中,工架转速:8~10r/min;上述工艺中,优选地,刻蚀电流120A,中频镀银电流20A,直流镀膜电流25A;上述工艺中,刻蚀步骤中,电压从40伏逐渐增加,每5分钟加20伏,加到150伏后,稳定20min。工件利用上述工艺进行镀银的具体流程如下:工件验收→除油→清洗→上挂具→将工件放入真空离子镀银设备抽真空并进行真空离子镀银→拆卸挂具→将工件浸保护剂→干燥→检验→包装。与现有技术相比,本专利技术所述工艺代替传统的电镀银技术和方法,解决大量有毒气体、有毒污水、含银重金属污水的产生;极大的保障了操作工人的身心健康;在保证零件具有良好外观质量的情况下,更好的控制产品尺寸,由于该技术的操作和加工流程都比传统的电镀银技术简单,所以再生产过程中就不会因为流程复杂而影响生产进度,适用于螺栓、螺母、连接件以及装饰产品等零件的加工,适用于高温合金、不锈钢、钛合金、铜及铜合金等材料,能够普遍应用于航空、航天、光学、汽车、电子、机械、轻工等领域。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本专利技术作进一步的详细说明。实施例1:本实施例提供一种真空离子镀银工艺,具体流程如下:工件验收→除油→清洗→上挂具→将工件放入真空离子镀银设备抽真空并进行真空离子镀银→拆卸挂具→将工件浸保护剂→干燥→检验→包装。其中,将工件放入真空离子镀银设备抽真空并进行真空离子镀银的具体步骤及参数如下:①刻蚀:真空:4.0x10-1Pa,偏压150伏(电压从40伏逐渐增加,每5分钟加20伏,加到150伏后,稳定20min),刻蚀电流:120A,用钛柱弧轰击5分钟。②中频镀银:真空:5.0x10-1Pa,光栓:20°,电压:100V,占空比:80%,电流:20A,时间:20min;③直流镀膜:真空:5.0x10-1Pa,光栓:20°,电压:100V,占空比:80%,电流:25A,时间:60min;工架转速:8~10r/min。实施例2:本实施例提供一种真空离子镀银工艺,具体流程如下:工件验收→除油→清洗→上挂具→将工件放入真空离子镀银设备抽真空并进行真空离子镀银→拆卸挂具→将工件浸保护剂→干燥→检验→包装。其中,将工件放入真空离子镀银设备抽真空并进行真空离子镀银的具体步骤及参数如下:①刻蚀:真空:4.0x10-1Pa,偏压150伏(电压从40伏逐渐增加,每5分钟加20伏,加到150伏后,稳定20min),刻蚀电流:100A,用钛柱弧轰击5分钟。②中频镀银:真空:5.0x10-1Pa,光栓:20°,电压:100V,占空比:80%,电流:18A,时间:20min;③直流镀膜:真空:5.0x10-1Pa,光栓:20°,电压:100V,占空比:80%,电流:20A,时间:60min;工架转速:8~10r/min。实施例3:本实施例提供一种真空离子镀银工艺,具体流程如下:工件验收→除油→清洗→上挂具→将工件放入真空离子镀银设备抽真空并进行真空离子镀银→拆卸挂具→将工件浸保护剂→干燥→检验→包装。其中,将工件放入真空离子镀银设备抽真空并进行真空离子镀银的具体步骤及参数如下:①刻蚀:真空:4.0x10-1Pa,偏压150伏(电压从40伏逐渐增加,每5分钟加20伏,加到150伏后,稳定20min),刻蚀电流:150A,用钛柱弧轰击5分钟。②中频镀银:真空:5.0x10-1Pa,光栓:20°,电压:100V,占空比:80%,电流:22A,时间:20min;③直流镀膜:真空:5.0x10-1Pa,光栓:20°,电压:100V,占空比:80%,电流:28A,时间:60min;工架转速:8~10r/min。以上实施例仅用以说明而非限制本专利技术的技术方案,尽管参照上述实施例对本专利技术进行了详细说明,本领域的普通技术人员应该理解:依然可以对本专利技术进行修改或者等同替换,而不脱离本专利技术的精神和范围的任何修改或局部替换,其均应涵盖在本专利技术的权利要求范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空离子镀银工艺,其特征在于:具体工艺如下:①刻蚀:真空:4.0x10‑1Pa,偏压150伏,刻蚀电流:100‑150A,用钛柱弧轰击5分钟l②中频镀银:真空:5.0x10‑1Pa,光栓:20°,电压:100V,占空比:80%,电流:18‑22A,时间:20min;③直流镀膜:真空:5.0x10‑1Pa,光栓:20°,电压:100V,占空比:80%,电流:20‑28A,时间:60min。

【技术特征摘要】
1.一种真空离子镀银工艺,其特征在于:具体工艺如下:①刻蚀:真空:4.0x10-1Pa,偏压150伏,刻蚀电流:100-150A,用钛柱弧轰击5分钟l②中频镀银:真空:5.0x10-1Pa,光栓:20°,电压:100V,占空比:80%,电流:18-22A,时间:20min;③直流镀膜:真空:5.0x10-1Pa,光栓:20°,电压:100V,占空比:80%,电流:20-28A,时间:60min。2.根据权利要求1所述一种真空离子镀银工艺,其特征在于:工架转速:8~10r/mi...

【专利技术属性】
技术研发人员:代文彪袁光生罗元凯王文娟
申请(专利权)人:贵州航天精工制造有限公司
类型:发明
国别省市:贵州,52

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