一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示技术领域，公开一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板包括衬底基板，衬底基板具有多个像素区间，每一像素区间设置有阳极层，相邻的像素区间之间的区域内设置有辅助阴极层；阳极层以及辅助阴极层上设置有像素定义层，像素定义层在阳极层上形成有像素开口，像素定义层在辅助阴极层上形成有辅助开口；辅助阴极层上设有搭接部，搭接部具有导电性、且位于辅助开口内；阳极层、像素定义层、辅助阴极层以及搭接部上设有发光功能层，位于搭接部上的发光功能层具有断裂区域；发光功能层上设有阴极层，阴极层通过断裂区域与搭接部相接触，该阵列基板能够改善阵列基板的阴极电阻分布，改善电压降的问题，提高发光均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
在显示
，有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器以其轻薄、自发光、驱动电压低、发光效率高、响应速度快、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器(LCD)之后的第三代显示技术，而能够获得更大的开口率的顶发射OLED显示器成为近年来研究的热点。现有顶发射OLED显示器通常由阳极层、发光功能层和阴极层组成，为了保证透光率，阴极层一般为较薄的透明阴极，但是这样的阴极层的导电能力差，在通电的过程中由于有阴极层电阻的存在会导致电压降低，导致屏幕的中心区域的亮度低于屏幕的边缘区域的亮度，使得屏幕的中心区域亮度偏暗，目前电压降的问题主要依靠对驱动电路的修正进行解决，但是这种解决方法难以有效改善电压降的问题。因此，本专利技术提供一种能够有效改善电压降的问题的阵列基板及其制备方法、显示装置显得尤为重要。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板通过设置辅助阴极层改善阵列基板上的阴极电阻分布，改善电压降的问题，提高了发光的均匀性，提升产品良率。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上具有多个像素区间，每一所述像素区间上设置有阳极层，相邻的所述像素区间之间的区域内设置有辅助阴极层；所述阳极层以及辅助阴极层上设置有像素定义层，所述像素定义层在所述阳极层上形成有像素开口，所述像素定义层在所述辅助阴极层上形成有辅助开口；所述辅助阴极层上设有搭接部，所述搭接部具有导电性、且位于所述辅助开口内；所述阳极层、像素定义层、辅助阴极层以及搭接部上设有发光功能层，位于所述搭接部上的发光功能层具有断裂区域；所述发光功能层上设有阴极层，所述阴极层通过所述断裂区域与所述搭接部相接触。在上述阵列基板中，由于阴极层通过断裂区域与搭接部相接触，而搭接部具有导电性、且位于像素定义层在辅助阴极层上形成的辅助开口内，故阴极层通过搭接部与辅助阴极层之间电连接，此时，与现有技术的阵列基板相比，上述阵列基板上具有辅助阴极层的区域的阴极电阻包括两部分，一部分是原有的阴极层，另一部分是与阴极层相导通的辅助阴极层，上述阵列基板上除具有辅助阴极层的区域之外的区域的阴极电阻仅包括原有的阴极层，即阵列基板上具有辅助阴极层的区域的阴极电阻发生变化，从而能够改善阵列基板上的阴极电阻分布，进而能够降低阵列基板上的电压降，并且阴极层通过断裂区域与搭接部相接触，还可以改善显示亮度，提高显示均匀性等特性，进而提升显示品质。可选地，所述搭接部与所述像素定义层之间存在间隔。可选地，所述位于所述搭接部上的发光功能层断开成多个部分，相邻的部分之间相互独立、且存在间隙，部分所述阴极层填充在所述间隙内。可选地，所述搭接部的材料为碳/聚四氟乙烯。可选地，所述搭接部的高度不大于所述像素定义层的高度。可选地，所述辅助阴极层的材料包括钼、铝、铜、银、铌中的至少一种。另外，本专利技术还提供了一种显示装置，包括如任一项上述技术方案所述的阵列基板。另外，本专利技术还提供了一种如权任一项上述技术方案所述的阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板的像素区间上形成阳极层，在衬底基板的相邻的所述像素区间之间的区域内形成辅助阴极层，在阳极层以及辅助阴极层上形成像素定义层，所述像素定义层在包括形成于阳极层上的像素开口以及形成于所述辅助阴极层上的辅助开口；在所述辅助阴极层上形成搭接部，所述搭接部位于所述辅助开口内；在所述阳极层、像素定义层、辅助阴极和搭接部上形成发光功能层，并通过搭接部膨胀以将搭接部上的发光功能层断裂；在所述发光功能层形成阴极层，所述阴极层通过所述发光功能层的断裂区域与所述搭接部相接触。可选地，在衬底基板上形成阳极层、辅助阴极层以及像素定义层之前，制备方法还包括在衬底基板上形成栅极层、有源层、刻蚀阻挡层、钝化层、树脂层以及平坦层。可选地，在所述阳极层、像素定义层、辅助阴极和搭接部上形成发光功能层，并通过搭接部受热膨胀以将搭接部上的发光功能层断裂，具体包括：通过热蒸镀或者喷墨打印方式在所述阳极层、像素定义层、辅助阴极和搭接部上形成发光功能层；对衬底基板进行升温，使搭接部受热膨胀以使所述搭接部上的发光功能层断裂。附图说明图1为本专利技术提供的一种衬底基板的结构示意图；图2为本专利技术提供的一种阵列基板的制备方法的流程图；图3a-3e为本专利技术提供的阵列基板的制备方法的状态示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1以及图3c所示，一种阵列基板，包括衬底基板1，衬底基板1上具有多个像素区间，每一像素区间上设置有阳极层2，相邻的像素区间之间的区域内设置有辅助阴极层3；阳极层2以及辅助阴极层3上设置有像素定义层4，像素定义层4在阳极层2上形成有像素开口41，像素定义层4在辅助阴极层3上形成有辅助开口42；辅助阴极层3上设有搭接部5，搭接部5具有导电性、且位于辅助开口42内；阳极层2、像素定义层4、辅助阴极层3以及搭接部5上设有发光功能层6，位于搭接部5上的发光功能层6具有断裂区域；发光功能层6上设有阴极层7，阴极层7通过断裂区域与搭接部5相接触。在上述阵列基板中，由于阴极层7通过断裂区域与搭接部5相接触，而搭接部5具有导电性、且位于像素定义层4在辅助阴极层3上形成的辅助开口42内，故阴极层7通过搭接部5与辅助阴极层3之间电连接，此时，与现有技术的阵列基板相比，上述阵列基板上具有辅助阴极层3的区域的阴极电阻包括两部分，一部分是原有的阴极层7，另一部分是与阴极层7相导通的辅助阴极层3，上述阵列基板上除具有辅助阴极层3的区域之外的区域的阴极电阻仅包括原有的阴极层7，即阵列基板上具有辅助阴极层3的区域的阴极电阻发生变化，从而能够改善阵列基板上的阴极电阻分布，进而能够降低阵列基板上的电压降，并且阴极层7通过断裂区域与搭接部5相接触，还可以改善显示亮度，提高显示均匀性等特性，进而提升显示品质。为了进一步提高显示品质，如图1以及图3c所示，一种优选实施方式中，搭接部5与像素定义层4之间存在间隔。在上述阵列基板中，通过搭接部5与像素定义层4之间存在间隔一方面，该间隔使得搭接部5与像素定义层4之间存在一定的缓冲区间，能够避免在发光功能层6断裂过程中搭接部5的膨胀变形等变化对像素定义层4造成影响，从而减小对像素开口41的影响，提高产品良率；另一方面，该间隔内设置的发光功能层6使得发光功能层6的分布较为均匀，改善显示亮度，提高显示品质。为了进一步改善阵列基板上的阴极电阻分布，如图3e所示，一种优选实施方式中，位于搭接部5上的发光功能层6断开成多个部分，相邻的部分之间相互独立、且存在间隙，部分阴极层7填充在间隙内。在上述阵列基板中，具有辅助阴极层3的区域的阴极电阻包括两部分，一部分是原有的阴极层7，另一部分是与阴极层7相导通的辅助阴极层3，而由于接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板上具有多个像素区间，每一所述像素区间上设置有阳极层，相邻的所述像素区间之间的区域内设置有辅助阴极层；所述阳极层以及辅助阴极层上设置有像素定义层，所述像素定义层在所述阳极层上形成有像素开口，所述像素定义层在所述辅助阴极层上形成有辅助开口；所述辅助阴极层上设有搭接部，所述搭接部具有导电性、且位于所述辅助开口内；所述阳极层、像素定义层、辅助阴极层以及搭接部上设有发光功能层，位于所述搭接部上的发光功能层具有断裂区域；所述发光功能层上设有阴极层，所述阴极层通过所述断裂区域与所述搭接部相接触。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板上具有多个像素区间，每一所述像素区间上设置有阳极层，相邻的所述像素区间之间的区域内设置有辅助阴极层；所述阳极层以及辅助阴极层上设置有像素定义层，所述像素定义层在所述阳极层上形成有像素开口，所述像素定义层在所述辅助阴极层上形成有辅助开口；所述辅助阴极层上设有搭接部，所述搭接部具有导电性、且位于所述辅助开口内；所述阳极层、像素定义层、辅助阴极层以及搭接部上设有发光功能层，位于所述搭接部上的发光功能层具有断裂区域；所述发光功能层上设有阴极层，所述阴极层通过所述断裂区域与所述搭接部相接触。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述搭接部与所述像素定义层之间存在间隔。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述位于所述搭接部上的发光功能层断开成多个部分，相邻的部分之间相互独立、且存在间隙，部分所述阴极层填充在所述间隙内。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述搭接部的材料为碳/聚四氟乙烯。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述搭接部的高度不大于所述像素定义层的高度。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助阴极层的材料包括钼、铝、铜、银、铌中的至少一种。7.一种显示装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：哈朗朗，江昌俊，李俊，毛波，李宁宁，徐阳，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34