一种后畸变CMOS低噪声放大器制造技术

本发明专利技术属于集成电路领域，具体提供一种后畸变CMOS低噪声放大器，包括：输入级(ML1与MR1)、级联级(ML2与MR2)、后畸变消除级(M1aL与M1aR)及谐振负载，射频差分信号分别从输入级输入，经放大后的差分输出信号分别从级联级输出，畸变消除级即为工作在强反型区的NMOS晶体管，连接在级联级。本发明专利技术后畸变CMOS低噪声放大器能够显著提高LNA的线性度，并同时获得较高的增益，以及较低的噪声性能。

【技术实现步骤摘要】
一种后畸变CMOS低噪声放大器
本专利技术属于集成电路领域，尤其涉及一种低噪声放大器设计技术，具体提供一种后畸变CMOS低噪声放大器。
技术介绍
互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的等比例缩减使得我们能够容易地设计出低噪声、低功耗的放大器，然而，CMOS晶体管的线性度却由于电源电压递减和迁移率的退化而恶化，这一挑战催生了若干线性化技术。回溯过去，最有效的线性化方法是多栅晶体管(MGTR)技术，如文献《T.W.Kim,B.-K.Kim,andK.-R.Lee,“Highlylinearreceiverfront-endadoptingMOSFETtransconductancelinearizationbymultiplegatedtransistors,”IEEEJ.Solid-StateCircuits,vol.39,no.1,pp.223–229,Jan.2004》，如图1所示，该技术通过在主晶体管旁边并联一个工作在弱反型区的，具有正的三阶非线性系数的辅助管，来抵消主管的负三阶非线性系数，进而在一个较宽的偏置电压范围内增加了电路的线性度；尽管如此，但在高频下，二阶非线性系数和输本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种后畸变CMOS低噪声放大器，包括：输入级(ML1与MR1)、级联级(ML2与MR2)、后畸变消除级(M1aL与M1aR)及谐振负载，其特征在于，所述级联级包括：NMOS管ML2与NMOS管MR2，所述NMOS管ML2与MR2的栅极均连接到电源VDD，NMOS管ML2与MR2的漏极分别通过谐振电路连接到电源VDD；所述输入级包括：NMOS管ML1与NMOS管MR1、电容CcL与电容CcR、电感Ls，其中，所述NMOS管ML1的漏极连接NMOS管ML2的源极、源极作为输入信号的正端+Vin、栅极经偏置电阻接偏置电压VBais，NMOS管MR1的漏极接NMOS管MR2的源极、源极作为输入信号...

【技术特征摘要】
1.一种后畸变CMOS低噪声放大器，包括：输入级(ML1与MR1)、级联级(ML2与MR2)、后畸变消除级(M1aL与M1aR)及谐振负载，其特征在于，所述级联级包括：NMOS管ML2与NMOS管MR2，所述NMOS管ML2与MR2的栅极均连接到电源VDD，NMOS管ML2与MR2的漏极分别通过谐振电路连接到电源VDD；所述输入级包括：NMOS管ML1与NMOS管MR1、电容CcL与电容CcR、电感Ls，其中，所述NMOS管ML1的漏极连接NMOS管ML2的源极、源极作为输入信号的正端+Vin、栅极经偏置电阻接偏置电压VBais，NMOS管MR1的漏极接NMOS管MR2的源极、源极作为输入信号的负端-Vin、栅极经偏置电阻接偏置电压VBais，电容CcL连接于NMOS管ML1的源极与NMOS管MR1的栅极之间，电容CcR连接于NMOS管ML1的栅极与NMOS管MR1的源极之间；NMOS管ML1和NMOS管MR1的源极均通过电感Ls后接地；所述后畸变...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭本青，陈鸿鹏，王雪冰，陈俊，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51