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本发明属于集成电路领域，具体提供一种后畸变CMOS低噪声放大器，包括：输入级(ML1与MR1)、级联级(ML2与MR2)、后畸变消除级(M1aL与M1aR)及谐振负载，射频差分信号分别从输入级输入，经放大后的差分输出信号分别从级联级输出，畸...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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