用于运算放大器的限幅电路制造技术

本发明专利技术公开了一种用于运算放大器的限幅电路，包括第一和第二PMOS管、第一和第二NMOS管、第一和第二电压产生电路；第一PMOS管和第二PMOS管的栅极均与第一电压产生电路的输出端连接，第一NMOS管和第二NOMS管的栅极均与第二电压产生电路的输出端连接；第一PMOS管和第一NMOS管的漏极均与运算放大器的反相输入端连接，第一PMOS管和第一NMOS管的源极均与运算放大器的正输出端连接，第二PMOS管和第二NOMS管的漏极均与运算放大器的同相输入端连接，第二PMOS管和第二NOMS管的源极均与运算放大器的负输出端连接。本发明专利技术的限幅电路可以使得运算放大器的输出摆幅限制在第一和第二阈值电压之间。

【技术实现步骤摘要】
用于运算放大器的限幅电路
本专利技术涉及电子
，特别涉及一种用于运算放大器的限幅电路。
技术介绍
中频电路是集成电路系统的重要模块，有源滤波器和可变增益放大器广泛地应用在各种收发系统中。为了保证后面的电路(比如sigma-deltaADC)不至于产生震荡现象，通常会在中频电路部分加限幅器。为了与后面的电路最大输入范围相匹配，限幅器需要有一定的精度。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中有源滤波器和可变增益放大器后面电路存在震荡现象的缺陷，提供一种能够准确控制运算放大器输出摆幅的限幅电路。本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题：一种用于运算放大器的限幅电路，运算放大器的反相输入端与正输出端之间串联有第一电阻，同相输入端与负输出端之间串联有第二电阻，所述限幅电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电压产生电路以及第二电压产生电路；第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极均与第一电压产生电路的输出端电连接，第一NMOS管的栅极和第二NOMS管的栅极均与第二电压产生电路的输出端电连接；第一PMOS管的漏极和第一NMOS管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于运算放大器的限幅电路，运算放大器的反相输入端与正输出端之间串联有第一电阻，同相输入端与负输出端之间串联有第二电阻，其特征在于，所述限幅电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电压产生电路以及第二电压产生电路；第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极均与第一电压产生电路的输出端电连接，第一NMOS管的栅极和第二NOMS管的栅极均与第二电压产生电路的输出端电连接；第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极均与运算放大器的反相输入端电连接，第一PMOS管的源极和第一NMOS管的源极均与运算放大器的正输出端电连接，第二PMOS管的漏极和第二NOMS管的...

【技术特征摘要】
1.一种用于运算放大器的限幅电路，运算放大器的反相输入端与正输出端之间串联有第一电阻，同相输入端与负输出端之间串联有第二电阻，其特征在于，所述限幅电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电压产生电路以及第二电压产生电路；第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极均与第一电压产生电路的输出端电连接，第一NMOS管的栅极和第二NOMS管的栅极均与第二电压产生电路的输出端电连接；第一PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极均与运算放大器的反相输入端电连接，第一PMOS管的源极和第一NMOS管的源极均与运算放大器的正输出端电连接，第二PMOS管的漏极和第二NOMS管的漏极均与运算放大器的同相输入端电连接，第二PMOS管的源极和第二NOMS管的源极均与运算放大器的负输出端电连接；第一电压产生电路包括第三P...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑晓燕，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31