基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路制造技术

本发明专利技术属于直流电路领域，具体涉及一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路，包括多个负载单元，所述负载单元包括：MOSFET，其为两个MOSFET，所述两个MOSFET串联；电阻，其与串联的两个MOSFET再并联；其中，多个负载单元并联组成电子负载电路。本发明专利技术提高了基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路
本专利技术属于直流电路领域，具体涉及一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路。
技术介绍
传统的电子负载电路由单一的三极管或者MOSFET工作在线性区控制，电子负载的功率多大，三极管或者MOSFET消耗的功率就多大。三极管或者MOSFET属于温度敏感器件，结温高到一定程度就会烧毁。本电路能通过接入一定的固定电阻减少三极管或者MOSFET自身的功耗，提高了三极管或者MOSFET的稳定性。为了实现解决上述问题，本专利技术采用了一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优点。本专利技术还有一个目的是提供一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路，极大地提高了三极管或者MOSFET的稳定性。本专利技术还有一个目的是提供一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路，其提高了基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路的稳定性。为了实现根据本专利技术的这些目的和其它优点，本专利技术提供了一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路，包括多个负载单元，所述负载单元包括：MOSFET，其为两个MOSFET，所述两个MOSFET串联；电阻，其与串联的两个MOSFET再并联；其中，多个负载单元并联组成电子负载电路。优选的是，多个负载单元为一个负载单元时，其包括第一MOSFET、第二MOSFET及第一电阻，所述第一MOSFET的源极连接至所述第二MOSFET的漏极与所述第一电阻的接点，所述第一MOSFET的漏极连接至所述第一电阻；优选的是，所述多个负载单元为两个负载单元时，其中的第二个负载单元包括第三MOSFET、第四MOSFET及第二电阻，所述第三MOSFET与所述第四MOSFET串联，所述第二电阻与所述第三MOSFET串联；其中，所述第三MOSFET的源极连接至所述第四MOSFET的漏极与所述第二电阻的接点，所述第三MOSFET的漏极连接至所述第二电阻；其中，所述第三MOSFET和所述第四MOSFET与所述第一MOSFET和所述第二MOSFET并联，所述第一电阻和所述第二电阻并联。优选的是，多个负载单元中的各个MOSFET的型号相同，多个负载单元中的各个电阻的阻值不同。本专利技术至少包括以下有益效果：1、本专利技术提供的一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路，其中多个模块模块的功能完全相同，只是由于并联的电阻的阻值不同，能在不同的工作电压中各自分担的耗散功率最大，从而使MOSFET承担的耗散功率最小。2、本专利技术提供的一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路，其结构简单，成本低，有市场竞争力，便于推广。3、本专利技术提供的一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路，其通过接入一定的固定电阻减少了MOSFET自身的功耗，提高了MOSFET的稳定性。附图说明图1是本专利技术所述的基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路的一个实施例的电路工作原理图；图2是本专利技术所述的基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路的电路工作原理图；其中，Q1为第一MOSFET，Q2为第二MOSFET，Q3为第三MOSFET，Q4为第四MOSFET，R1为第一电阻，R2为第二电阻，Q2N-1为第2N-1MOSFET，Q2N为第2NMOSFET，RN为第N电阻。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。在本说明书中，当一个元件被提及为“连接至或耦接至”另一个元件或“设置在另一个元件中”时，其可以“直接”连接至或耦接至另一元件或“直接”设置在另一元件中。或以其他元件介于其间的方式连接至或耦接至另一元件或设置在另一元件中，除非其被体积为“直接耦接至或连接至”另一元件或“直接设置”在另一元件中。此外，应理解，当一个元件被提及为“在另一元件上”、“在另一元件上方”、“在另一元件下”或“在另一元件下方”时，其可与另一元件“直接”接触或以其间介入有其他元件的方式与另一元件接触，除非其被提及为与另一元件直接接触。如图2所示，本专利技术提供了一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路，包括多个负载单元，所述负载单元包括：MOSFET，其为两个MOSFET，所述两个MOSFET串联；电阻，其与串联的两个MOSFET再并联；其中，多个负载单元并联组成电子负载电路。为了方便说明，其中，多个负载单元包括的负载单元可以依次定义为第一负载单元、第二负载单元、第三负载单元....、第N负载单元，其中，第一负载单元中的两个MOSFET可以依次定义为第一MOSFET，第二MOSFET，电阻定义为第一电阻，同理，第N负载单元中的MOSFET和电阻，定义为Q2N-1为第2N-1MOSFET，Q2N为第2NMOSFET，RN为第N电阻。在上述情况的基础上，又一个实施例，多个负载单元为一个负载单元时，其包括第一MOSFET、第二MOSFET及第一电阻，所述第一MOSFET的源极连接至所述第二MOSFET的漏极与所述第一电阻的接点，所述第一MOSFET的漏极连接至所述第一电阻；其中，所述第一MOSFET的栅极连接和所述第二MOSFET的栅极都是连接控制电路。在上述实施例的基础上，又一个实施例，如图1所示，所述多个负载单元为两个负载单元时，其中的第二个负载单元包括第三MOSFET、第四MOSFET及第二电阻，所述第三MOSFET与所述第四MOSFET串联，所述第二电阻与所述第三MOSFET串联；其中，所述第三MOSFET的源极连接至所述第四MOSFET的漏极与所述第二电阻的接点，所述第三MOSFET的漏极连接至所述第二电阻，所述第三MOSFET的栅极连接和所述第四MOSFET的栅极都是连接控制电路。其中，所述第三MOSFET和所述第四MOSFET与所述第一MOSFET和所述第二MOSFET并联，所述第一电阻和所述第二电阻并联。其中，多个负载单元中的各个MOSFET的型号相同，多个负载单元中的各个电阻的阻值不同。多个负载单元中的各个MOSFET的栅极与控制电路连接。本专利技术的工作原理：以多个负载单元为两个负载单元为例进行说明：图1中两个模块第一负载单元和第二负载单元的功能完全相同，只是由于R1和R2的阻值不同，能在不同的工作电压中各自分担的耗散功率最大。下面以第一模块为例分析其工作原理。设：R:第一模块的总电阻；RQ1：MOSFETQ1的电阻；RQ2：MOSFETQ2的电阻；RDSON:MOSFETQ1、MOSFETQ2完全导通的电阻,设所有MOSFET采用相同型号的MOSFET，RDSON一致；根据电路图，可以得出第一模块的总电阻R＝RQ1//R1+RQ2，当Q1、Q2完全开通时RQ1＝RQ2＝RDSON；R1远大于RDSON时第一模块具有最小电阻Rmin＝2*RDSON此时虽然电流很大，但是电压很低，功耗即使全部MOSFET承担也不大。随着电压的增加，要求电子负载吸收的功率增加时，我们可以降低Q1的栅极电压，让RQ1增加，这样R1上的电压和电流都会增加。起到了在电子负载需要吸收大功率时由R1分摊大部分功率。当Q2截止时，RQ2无穷大，所以模块的总电阻R也无穷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路，其特征在于，包括多个负载单元，所述负载单元包括：MOSFET，其为两个MOSFET，所述两个MOSFET串联；电阻，其与串联的两个MOSFET再并联；其中，多个负载单元并联组成电子负载电路。

【技术特征摘要】
1.一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路，其特征在于，包括多个负载单元，所述负载单元包括：MOSFET，其为两个MOSFET，所述两个MOSFET串联；电阻，其与串联的两个MOSFET再并联；其中，多个负载单元并联组成电子负载电路。2.如权利要求1所述的基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路，其特征在于，多个负载单元为一个负载单元时，其包括第一MOSFET、第二MOSFET及第一电阻，所述第一MOSFET的源极连接至所述第二MOSFET的漏极与所述第一电阻的接点，所述第一MOSFET的漏极连接至所述第一电阻。3.如权利要求2所述的基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟任生，
申请(专利权)人：华羿微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61