基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路制造技术

技术编号:20729340 阅读:33 留言:0更新日期:2019-03-30 19:10
本发明专利技术属于直流电路领域,具体涉及一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路,包括多个负载单元,所述负载单元包括:MOSFET,其为两个MOSFET,所述两个MOSFET串联;电阻,其与串联的两个MOSFET再并联;其中,多个负载单元并联组成电子负载电路。本发明专利技术提高了基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路
本专利技术属于直流电路领域,具体涉及一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路。
技术介绍
传统的电子负载电路由单一的三极管或者MOSFET工作在线性区控制,电子负载的功率多大,三极管或者MOSFET消耗的功率就多大。三极管或者MOSFET属于温度敏感器件,结温高到一定程度就会烧毁。本电路能通过接入一定的固定电阻减少三极管或者MOSFET自身的功耗,提高了三极管或者MOSFET的稳定性。为了实现解决上述问题,本专利技术采用了一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷,并提供至少后面将说明的优点。本专利技术还有一个目的是提供一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路,极大地提高了三极管或者MOSFET的稳定性。本专利技术还有一个目的是提供一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路,其提高了基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路的稳定性。为了实现根据本专利技术的这些目的和其它优点,本专利技术提供了一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路,其特征在于,包括多个负载单元,所述负载单元包括:MOSFET,其为两个MOSFET,所述两个MOSFET串联;电阻,其与串联的两个MOSFET再并联;其中,多个负载单元并联组成电子负载电路。

【技术特征摘要】
1.一种基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路,其特征在于,包括多个负载单元,所述负载单元包括:MOSFET,其为两个MOSFET,所述两个MOSFET串联;电阻,其与串联的两个MOSFET再并联;其中,多个负载单元并联组成电子负载电路。2.如权利要求1所述的基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路,其特征在于,多个负载单元为一个负载单元时,其包括第一MOSFET、第二MOSFET及第一电阻,所述第一MOSFET的源极连接至所述第二MOSFET的漏极与所述第一电阻的接点,所述第一MOSFET的漏极连接至所述第一电阻。3.如权利要求2所述的基于MOSFET和固定电阻串并联的电子负载电路,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:钟任生
申请(专利权)人:华羿微电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:陕西,61

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