对电话线路的过电压保护制造技术

本发明专利技术涉及对电话线路的过电压保护。一种结构保护SLIC电话线路接口免于低于负阈值或者高于正阈值的过电压。该结构包括被连接在第一线路和第二线路中的每个线路与参考电势之间的至少一个晶闸管。对于所有晶闸管，与在栅极侧的主电极对应的金属通过金属的整个表面与对应的半导体区域相接触。此外，每个晶闸管的栅极被直接连接到限定所述阈值之一的电压源。

【技术实现步骤摘要】
对电话线路的过电压保护本申请为申请日为2016年2月29日、申请号为201610113619.2、题为“对电话线路的过电压保护”的专利技术专利申请的分案申请。优先权要求本申请要求于2015年7月13日递交的第1556647号法国专利申请的优先权权益，其内容以法律所允许的最大程度通过引用的方式整体并入于此。
本公开涉及用于保护被连接到电话线路的电子电路免受例如由于闪电所致的过电压。
技术介绍
图1示出了与第8,687,329号美国专利(通过引用并入)的图2相对应的被连接到电话线路的电子电路的一部分的结构。电子电话信号发送和接收电路1、或者SLIC(“SubscriberLineInterfaceCircuit”、“订户线接口电路”)被连接到由在电压VTIP和VRING处的两个导体3和5形成的电话线路。例如由于闪电所致的突发过电压(overvoltage)可以在导体3和5上发生并且可能损坏电路1。导体3、5被连接到保护结构7，该保护结构在导体中之一上的电压从两个阈值电压限定的区间出来时能够朝着接地9对过电压放电。电压阈值由具有正电势VH的电源电压源11和具有负电势VL的电源电压源13来限本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于保护第一线路和第二线路免于低于负阈值或者高于正阈值的过电压的结构，包括：至少一个晶闸管，被连接在所述第一线路和所述第二线路中的每个线路与参考电势之间；其中：所有晶闸管都不具有射极短路电路；以及所有晶闸管都具有通过栅极电极被保持在负DC电势和正DC电势之一处的半导体栅极区域。

【技术特征摘要】
2015.07.13 FR 15566471.一种用于保护第一线路和第二线路免于低于负阈值或者高于正阈值的过电压的结构，包括：至少一个晶闸管，被连接在所述第一线路和所述第二线路中的每个线路与参考电势之间；其中：所有晶闸管都不具有射极短路电路；以及所有晶闸管都具有通过栅极电极被保持在负DC电势和正DC电势之一处的半导体栅极区域。2.根据权利要求1所述的结构，其中所述正阈值为零，所述结构包括：所述第一线路和所述第二线路中的每个线路被耦合到二极管的阳极和阴极-栅极晶闸管的阴极，并且所述二极管的阴极和所述晶闸管的阳极被耦合到所述参考电势；在所述阴...

【专利技术属性】
技术研发人员：JM·西莫内，C·巴龙，
申请(专利权)人：意法半导体图尔公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR