栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，本发明专利技术为栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件及其制备方法。其器件包括SiC上AlGaN/GaN衬底、栅极、源极和漏极；栅极为掺杂多晶硅，方阻在20~40Ω/□之间。本发明专利技术利用掺杂的多晶硅作为栅，势垒高度高，可获得比传统Ni/Au肖特基栅更小的栅漏电，降低射频功率器件的功耗，提高效率。另外，掺杂的多晶硅栅有较低的Rg，起到镇流电阻的作用。本发明专利技术可用于多指栅器件AlGaN/GaN HEMTs，可通过调整Lg长度，达到优化Wg长度的目的，从而有效改善器件的散热，也可应用于AlGaN/GaN MIS‑HEMTs，多晶硅栅可被偏置更宽的Vgs摆幅。

【技术实现步骤摘要】
栅镇流结构的射频AlGaN/GaNHEMTs器件及其制备方法
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种栅镇流结构的射频AlGaN/GaNHEMTs器件及其制备方法。
技术介绍
GaN第三代半导体因具有较宽的禁带宽度(3.4eV)、高击穿场强(3MV/cm)以及在室温可以获得很高的电子迁移率(1500cm2/(V·s))、极高的峰值电子速度(3×107cm/s)和高二维电子气浓度(2×1013cm2)，AlGaN/GaNHEMTs功率器件正在逐渐取代RF-LDMOS、GaAs功率器件，成为相控阵雷达中T/R组件的首选微波功率器件。另一方面，随着5G通信对海量数据宽带传输的迫切需求，在高频段工作且有高功率密度优势的AlGaN/GaNHEMTs器件在民用无线通信中又将大展身手，但前者在5G通信应用中也面临着高频调制信号的高线性传输等难点需要突破。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种栅镇流结构的射频AlGaN/GaNHEMTs器件及其制备方法。本专利技术提供的栅镇流结构的射频AlGaN/GaNHEMTs器件，包括SiC上AlGaN/GaN衬底、栅极、源极和漏极，所述栅极为掺杂多晶硅，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1. 一种栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件，包括SiC上AlGaN/GaN衬底、栅极、源极和漏极，其特征在于，所述栅极为掺杂多晶硅，其方块电阻在20~40Ω/□之间。

【技术特征摘要】
1.一种栅镇流结构的射频AlGaN/GaNHEMTs器件，包括SiC上AlGaN/GaN衬底、栅极、源极和漏极，其特征在于，所述栅极为掺杂多晶硅，其方块电阻在20~40Ω/□之间。2.根据权利要求1所述的栅镇流结构的射频AlGaN/GaNHEMTs器件，其特征在于，所述掺杂多晶硅的厚度为90-110nm。3.根据权利要求1所述的栅镇流结构的射频AlGaN/GaNHEMTs器件，其特征在于，所述栅极的宽度在30μm~50μm之间。4.一种栅镇流结构的射频AlGaN/GaNHEMTs器件制备方法，其特征在于，具体步骤为：在SiC上AlGaN/GaN衬底上光刻曝光出源极和漏极图形，电子束蒸发金属并快速热退火，形成源极和漏极；淀积掩蔽层，曝光出器件台面图形，光刻、刻蚀掩蔽层至AlGaN界面形成栅开口；淀积多晶硅，进行离子注入和各项异性刻蚀，并快速热退火，形成方块电阻在20~40Ω/□之间的多晶硅栅。5.根据权利要求4所述的栅镇流结构的射频AlGaN/GaNHEMTs器件制备方法，其特征在于，所述栅极的宽度在30μm~50μm之间。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：张卫，孙清清，黄伟，察明扬，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海,31