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本发明属于半导体技术领域，本发明为栅镇流结构的射频AlGaN/GaN HEMTs器件及其制备方法。其器件包括SiC上AlGaN/GaN衬底、栅极、源极和漏极；栅极为掺杂多晶硅，方阻在20~40Ω/□之间。本发明利用掺杂的多晶硅作为栅，势垒高...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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