一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法，该方法包括如下步骤：1)以金、铍金属为原料，在真空感应熔炼炉上，先将金完全熔化之后，再添加金属铍，熔炼铸造获得金铍合金铸锭；其中，合金铸锭中铍含量为合金名义成分0.5～2wt.％再多配一定比例，余量为金；2)利用加热炉对步骤1获得的合金铸锭进行热处理；3)利用塑性加工设备将铸锭沿厚度方向进行热塑性加工；4)每完成1～2道次加工将坯料于加热炉进行回火热处理；5)重复步骤3)和4)，直到所需的板材厚度尺寸；6)采用冲压模具，加工成所需金铍合金材料。通过本方法得到的金铍合金材料成分均匀，合金稳定，形状规则，可满足半导体器件欧姆接触电极的性能要求。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法
本专利技术属于微电子工业中半导体器件所需蒸发膜材
，具体涉及一种半导体器件用金铍合金材料及其制备方法。
技术介绍
金铍合金材料被用于GaP、GaAs和GaN等半导体器件的欧姆接触电极制备。随着我国半导体行业近年来的飞速发展，对金铍合金的需求日渐增加，与其同时，对产品的品质要求越来越高。首先是产品的合金成分均匀、稳定，而且对于纯度要求较高。国内已有的金铍材料制备方法大多是先合成铍含量较高的金铍中间合金，然后再以金铍中间合金与金为原材料再次熔炼合成金铍合金。采用这种二次熔炼的方法，易有杂质引入，从而降低产品纯度；同时，在合成中间合金过程中，由于Be的含量较高，而Be的化学性质特殊，易氧化且具有较大的毒性，故对设备的密封性要求极高，也需要操作者严格做好安全防护工作，否则会对人身造成极大的伤害。本专利技术提供一种直接制备金铍合金的方法，不但能将铍均匀地加入到金中，而且无毒、无污染。另一方面，金铍合金颗粒的尺寸越规则，其单个重量就越相近，半导体器件用户根据对蒸镀工艺的需求，可通过严格设定单个重量从而更能精确控制蒸发镀层的厚度。本专利技术的制备方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件用金铍合金材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)以金、铍金属为原料，按照合金名义成分Be 0.5～2wt.％再多配一定比例的金属铍，余料为金；金的纯度不低于4N，铍的纯度不低于3N；将金属铍用一部分金薄片包裹，其余金料放于石墨坩埚中；(2)抽真空至真空度达到×10‑1～×10‑2Pa之后，向熔炼炉中充入氩气，至0.03～0.08MPa；(3)感应加热使石墨坩埚中的金熔化；(4)金完全熔化后，使金片及其包裹的金属铍一同加入至坩埚内的金熔液中；(5)继续升温进行精炼，使得铍熔化，同时与金充分混合；(6)精炼后降低温度，进行浇注，获得金铍合金铸锭；(7)利用加热炉对步骤(...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件用金铍合金材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)以金、铍金属为原料，按照合金名义成分Be0.5～2wt.％再多配一定比例的金属铍，余料为金；金的纯度不低于4N，铍的纯度不低于3N；将金属铍用一部分金薄片包裹，其余金料放于石墨坩埚中；(2)抽真空至真空度达到×10-1～×10-2Pa之后，向熔炼炉中充入氩气，至0.03～0.08MPa；(3)感应加热使石墨坩埚中的金熔化；(4)金完全熔化后，使金片及其包裹的金属铍一同加入至坩埚内的金熔液中；(5)继续升温进行精炼，使得铍熔化，同时与金充分混合；(6)精炼后降低温度，进行浇注，获得金铍合金铸锭；(7)利用加热炉对步骤(6)获得的合金铸锭进行热处理；(8)将金铍合金铸锭进行多道次热轧加工，实现厚度减薄；(9)每完成1～2道次加工将坯料于加热炉进行回火热处理；(10)重复(8)、(9)步骤，直至达到所需厚度尺寸的板材；(11)将步骤(10)所得板材，加工成规则颗粒形状。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中所述配料时按合金名义成分多配0.05～0.3w...

【专利技术属性】
技术研发人员：张巧霞，郭姗姗，万小勇，薛宏宇，陈明，张晓娜，庞欣，贺昕，王绍帅，
申请(专利权)人：有研亿金新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11