高熵合金镀层、带高熵合金镀层的镍基接口锥及制备方法技术

本发明专利技术属于高熵合金技术领域，具体涉及一种高熵合金镀层、带高熵合金镀层的镍基接口锥及制备方法。所述高熵合金镀层包括：钽15‑20％；钨10‑15％；镍14‑20％；铁3‑8％；钼9‑13％；余量为钌、铂、锆、硼中的一种或多种。高熵合金镀层的晶粒尺寸≤5μm、致密度≥99.8％、厚度为0.1‑0.6mm、表面粗糙度＜0.5μm、热导率≥140W/(m·K)。本发明专利技术制备的带高熵合金镀层的镍基接口锥在4000‑8000K高温等离子体轰击下连续工作时间≥80h、在pH≤3或pH≥9的工作环境中不会发生腐蚀脱落，且杂质引入量≤5ppm。此外，本发明专利技术所述带高熵合金镀层的镍基接口锥，相较于带铂族金属涂层的镍基接口锥，其镀层的制作成本大于可以节约20％‑30％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高熵合金，具体涉及一种高熵合金镀层、带高熵合金镀层的镍基接口锥及制备方法。

技术介绍

1、在现代分析科学中，电感耦合等离子体质谱仪icp-ms作为一种高精密度的元素检测分析仪器，凭借高效精准、多元素同时分析、同位素分析、高灵敏度及低检出限等优势在同类型检测仪器中脱颖而出，是一种不可或缺的新兴痕量分析技术。在该仪器整个系统中，接口部分多采用接口锥结构来将icp离子源与质谱仪连接，在维持离子的一致性及完整性的同时保证了离子有效传输，巧妙结合了电感耦合等离子体的高温电离特性和质谱快速扫描及灵敏的性能，是icp-ms仪器重要且关键的组成部分。接口锥的传输特性直接影响着仪器的分析性能。接口锥由于需要面对高温高速的离子源，因此在工作中需要承受高温、高压和具有腐蚀性的环境，所以对接口锥材料的耐热性、耐腐蚀性和导热性提出了很高的要求，生产应用高品质的镍基接口锥为保证仪器的灵敏度、稳定性及使用寿命显得尤为重要。

2、目前提高镍基接口锥性能的方法主要是在镍基接口锥表面制备氧化铝、氧化锆等氧化物陶瓷镀层或铂族金属镀层，其中，氧化物陶瓷镀层在使用过程中优本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高熵合金镀层，其特征在于，所述高熵合金以质量百分比计，包括：

2.根据权利要求1所述的一种高熵合金镀层，其特征在于，厚度为0.1-0.6μm；和/或，表面粗糙度＜0.5μm。

3.根据权利要求1-2任一项所述的高熵合金镀层，其特征在于，热导率≥140W/(m·K)。

4.一种带有权利要求1-3任一项所述的高熵合金镀层的镍基接口锥。

5.根据权利要求4所述的一种带高熵合金镀层的镍基接口锥，其特征在于，在4000-8000K高温等离子体轰击下连续工作时间≥80h。

6.根据权利要求4所述的一种带高熵合金镀层的镍基接口锥，其特...

【技术特征摘要】

1.一种高熵合金镀层，其特征在于，所述高熵合金以质量百分比计，包括：

2.根据权利要求1所述的一种高熵合金镀层，其特征在于，厚度为0.1-0.6μm；和/或，表面粗糙度＜0.5μm。

3.根据权利要求1-2任一项所述的高熵合金镀层，其特征在于，热导率≥140w/(m·k)。

4.一种带有权利要求1-3任一项所述的高熵合金镀层的镍基接口锥。

5.根据权利要求4所述的一种带高熵合金镀层的镍基接口锥，其特征在于，在4000-8000k高温等离子体轰击下连续工作时间≥80h。

6.根据权利要求4所述的一种带高熵合金镀层的镍基接口锥，其特征在于，在ph≤3或ph≥9的工作环境中不会发生腐蚀物脱落，且杂质引入量≤0.5ppm。

7.一种权利要求4-6所述的带高熵合金镀层的镍基接口锥的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

8.根据权利要求7所述的一种带高熵合金镀层的镍基接口锥的制备方法，其特征在于，步骤s1：所述惰性气体为氩气，所述氩气氛围的压强为(2-5)×10-1pa；和/或，所述磁控溅射的功率为50-80w、时间为5-10min；和/或，所述磁控溅射电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：任泽华，何金江，吕超，尚再艳，刘书芹，张晓娜，
申请(专利权)人：有研亿金新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：