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本发明公开了一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法，该方法包括如下步骤：1)以金、铍金属为原料，在真空感应熔炼炉上，先将金完全熔化之后，再添加金属铍，熔炼铸造获得金铍合金铸锭；其中，合金铸锭中铍含量为合金名义成分0.5～2wt.％再多配一定...
该专利属于有研亿金新材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过有研亿金新材料有限公司授权不得商用。

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