晶体管结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶体管结构，包括：衬底，衬底上形成有核心结构，核心结构包括栅极结构及叠置于栅极结构上的盖帽结构，核心结构两侧的衬底上还形成有侧墙结构，侧墙结构贴置于核心结构的侧壁上；轻掺杂结构层，包括在侧墙结构的阻隔下自然分离在衬底不同深度且相互断离的轻掺杂结构层区和副结构层区，轻掺杂结构层区位于侧墙结构的下方，副结构层区位于轻掺杂结构层区的两侧；源漏结构区，形成于侧墙结构背离核心结构的一侧的衬底中，源漏结构区深于轻掺杂结构层区的深度差小于轻掺杂结构层区和副结构层区的深度间隔，使得源漏结构区相接于轻掺杂结构层区且不相接于副结构层区，由此提供了一种不同的晶体管结构以满足不同的技术需求。

【技术实现步骤摘要】
晶体管结构
本技术涉及半导体
，特别涉及一种晶体管结构。
技术介绍
存储器用于存储大量数字信息，最近据调查显示，在世界范围内，存储器芯片大约占了半导体交易的30％，多年来，工艺技术的进步和市场需求催生越来越多高密度的各种类型存储器，如RAM(随机存储器)、SRAM(静态随机存储器)、DRAM(动态随机存储器)和FRAM(铁电存储器)等。常见的DRAM的存储单元由一个晶体管(Transistor)和一个电容器(Capacitor)构成1T1C结构，通过晶体管控制数据信号存储。所述晶体管通常包括：位于一衬底上的栅极结构，位于所述栅极结构两侧的所述衬底中的轻掺杂结构层和源漏结构区。而提供不同的晶体管结构以满足不同的技术需求是本领域技术人员一直以来的追求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶体管结构，所述晶体管结构包括：一衬底，所述衬底上形成有一核心结构，所述核心结构包括一栅极结构及叠置于所述栅极结构上的一盖帽结构，所述核心结构两侧的所述衬底上还形成有一侧墙结构，所述侧墙结构贴置于所述核心结构的侧壁上；一轻掺杂结构层，形成于所述衬底中，所述轻掺杂结构层包括在所述侧墙结构的阻隔下自然分离在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：一衬底，所述衬底上形成有一核心结构，所述核心结构包括一栅极结构及叠置于所述栅极结构上的一盖帽结构，所述核心结构两侧的所述衬底上还形成有一侧墙结构，所述侧墙结构贴置于所述核心结构的侧壁上；一轻掺杂结构层，形成于所述衬底中，所述轻掺杂结构层包括在所述侧墙结构的阻隔下自然分离在不同深度且相互断离的轻掺杂结构层区和副结构层区，所述轻掺杂结构层区位于所述侧墙结构的下方，所述副结构层区位于所述轻掺杂结构层区的两侧；一源漏结构区，形成于所述侧墙结构背离所述核心结构的一侧的所述衬底中，其中所述源漏结构区深于所述轻掺杂结构层区的深度差小于所述轻掺杂结构层区和所...

【技术特征摘要】
1.一种晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：一衬底，所述衬底上形成有一核心结构，所述核心结构包括一栅极结构及叠置于所述栅极结构上的一盖帽结构，所述核心结构两侧的所述衬底上还形成有一侧墙结构，所述侧墙结构贴置于所述核心结构的侧壁上；一轻掺杂结构层，形成于所述衬底中，所述轻掺杂结构层包括在所述侧墙结构的阻隔下自然分离在不同深度且相互断离的轻掺杂结构层区和副结构层区，所述轻掺杂结构层区位于所述侧墙结构的下方，所述副结构层区位于所述轻掺杂结构层区的两侧；一源漏结构区，形成于所述侧墙结构背离所述核心结构的一侧的所述衬底中，其中所述源漏结构区深于所述轻掺杂结构层区的深度差小于所述轻掺杂结构层区和所述副结构层区的深度间隔，使得所述源漏结构区相接于所述轻掺杂结构层区且不相接于所述副结构层区。2.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述核心结构的顶面高于所述侧墙结构的顶面，所述轻掺杂结构层还包括空白区，位于所述核心结构的下方。3.如权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，所述核心结构还包括一栅介质层，介设于所述栅极结构和所述衬底之间。4.如权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，所述核心结构还包括一栅介质层，介设于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34