半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置具备第1电极、第2电极、第1半导体区域、多个第2半导体区域、多个第3半导体区域、多个第3电极以及多个栅极电极。在由从上述第1电极朝向上述第2电极的方向和上述第2方向规定的截面内的第1区域中，上述栅极电极以及上述第3电极以第3配置周期在上述第2方向上并行地且周期性地配置，上述第3配置周期是通过将上述栅极电极以及上述第3电极的个数之比为m1比1的第2方向上的第1配置周期、与上述栅极电极以及上述第3电极的个数之比为m2比1的上述第2方向上的第2配置周期组合而成为第1区域中的上述栅极电极以及上述第3电极的个数之比为m3比m4的配置周期，m1、m2、m3、m4为正整数，且m3为m4以上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的交叉引用本申请基于日本专利申请2017－180357号(申请日：2017年9月20日)主张优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
实施方式一般涉及半导体装置。
技术介绍
作为用于功率控制等用途的半导体装置，有MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。关于这样的MOSFET，提出了内置有二极管的构造。MOSFET的动作中，通过漏极电极相对于源极电极被正向偏置，从漏极电极向源极电极流过电流。另一方面，二极管的动作中，通过漏极电极相对于源极电极被负向偏置，内置二极管成为导通状态，从源极电极向漏极电极流过电流。用于功率控制等用途的一般的MOSFET中，与源极电极接触的p基底区域起到pn二极管的p区域(阳极)的作用，与漏极电极接触的n区域起到pn二极管的n区域(阴极)的作用，通过在MOSFET内部具有pn二极管，在栅极断开(gateoff)时向漏极施加了负偏置时，从与源极电极接触的p基底区域流过空穴，从与漏极电极接触的n区域流过电子，内置二极管导通。但是，存在以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其中，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第1电极以及上述第2电极之间；多个第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域以及上述第2电极之间，在与从上述第1电极朝向上述第2电极的方向垂直的平面内，在第1方向上延伸并在与上述第1方向交叉的第2方向上配置；多个第1导电型的第3半导体区域，设置在上述多个第2半导体区域以及上述第2电极之间，与上述第2电极电连接；多个第3电极，该多个第3电极与在上述第2方向上位于上述第2半导体区域间的上述第1半导体区域之间进行肖特基连接，该多个第3电极在上述第1方向上延伸，在上述第2方向上配置，与上述第2电极电连接...

【技术特征摘要】
2017.09.20 JP 2017-1803571.一种半导体装置，其中，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设置在上述第1电极以及上述第2电极之间；多个第2导电型的第2半导体区域，设置在上述第1半导体区域以及上述第2电极之间，在与从上述第1电极朝向上述第2电极的方向垂直的平面内，在第1方向上延伸并在与上述第1方向交叉的第2方向上配置；多个第1导电型的第3半导体区域，设置在上述多个第2半导体区域以及上述第2电极之间，与上述第2电极电连接；多个第3电极，该多个第3电极与在上述第2方向上位于上述第2半导体区域间的上述第1半导体区域之间进行肖特基连接，该多个第3电极在上述第1方向上延伸，在上述第2方向上配置，与上述第2电极电连接；以及多个栅极电极，在上述第1半导体区域、上述第2半导体区域以及上述第3半导体区域上，隔着栅极绝缘膜而设置，在上述第1方向上延伸，在上述第2方向上与上述多个第3电极并行地配置，在由从上述第1电极朝向上述第2电极的方向和上述第2方...

【专利技术属性】
技术研发人员：水上诚，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP