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一种半导体装置具备第1电极、第2电极、第1半导体区域、多个第2半导体区域、多个第3半导体区域、多个第3电极以及多个栅极电极。在由从上述第1电极朝向上述第2电极的方向和上述第2方向规定的截面内的第1区域中，上述栅极电极以及上述第3电极以第3配...该专利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社授权不得商用。