【技术实现步骤摘要】
可削弱镀层边缘效应的晶圆镀铜工艺槽
本专利技术涉及一种晶圆镀铜工艺槽，特别涉及一种可降低镀层边缘效应的晶圆镀铜工艺槽。
技术介绍
晶圆电镀设备主要应用于集成电路先进封装中晶圆铜柱、凸点、图形、TSV铜填充等电镀的应用。目前，以3D封装为代表的先进封装技术正成为业界备受关注的新技术，尤其是电镀在其中的应用尤为重要。晶圆电镀设备中的晶圆镀铜工艺槽，用于8寸及以下晶圆镀铜工艺，实现在平面图形上铜柱、图形等制作，镀层厚度达到100微米，镀层厚度的均匀性要≤±10%；但在电镀过程中，电力线的放射状分布，会导致阴极电流分布不均匀，致使晶圆边缘位置镀层厚度急剧增加，形成了电镀工艺中常见的“边缘效应”，如何改善电力线的分布，提高溶液的极化度，使镀层更加均匀，是现场急需要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种可削弱镀层边缘效应的晶圆镀铜工艺槽，解决了晶圆在电镀过程中边缘位置镀层厚度急剧增加的技术问题。本专利技术是通过以下技术方案解决以上技术问题的：一种可降低镀层边缘效应的晶圆镀铜工艺槽，包括镀槽，在镀槽中设置有镀铜液，在镀槽中分别设置有阴极杆和阳极杆，在阳极杆上配有钛蓝阳极，在阴极杆上装有晶圆夹具，晶圆设置在晶圆夹具上，晶圆和钛蓝阳极均设置在镀铜液中，在晶圆与钛蓝阳极之间设置有垂直剪切屏，晶圆上的中心点与钛蓝阳极上的中心点之间的连线与垂直剪切屏所在平面是相互垂直设置的，垂直剪切屏为栅栏形状，在垂直剪切屏的两平行立柱之间等间隔地设置有L形剪切板。L形剪切板的长度与晶圆的直径的比为1.5:1，相邻的两L形剪切板的间距为30毫米，L形剪切板的高度为8毫米，L形剪切板与晶圆的...
【技术保护点】
1.一种可降低镀层边缘效应的晶圆镀铜工艺槽，包括镀槽（1），在镀槽（1）中设置有镀铜液（2），在镀槽（1）中分别设置有阴极杆（3）和阳极杆（6），在阳极杆（6）上配有钛蓝阳极（7），在阴极杆（3）上装有晶圆夹具（4），晶圆（5）设置在晶圆夹具（4）上，晶圆（5）和钛蓝阳极（7）均设置在镀铜液（2）中，其特征在于，在晶圆（5）与钛蓝阳极（7）之间设置有垂直剪切屏（8），晶圆（5）上的中心点与钛蓝阳极（7）上的中心点之间的连线与垂直剪切屏（8）所在平面是相互垂直设置的，垂直剪切屏（8）为栅栏形状，在垂直剪切屏（8）的两平行立柱（9）之间等间隔地设置有L形剪切板（10）。
【技术特征摘要】
1.一种可降低镀层边缘效应的晶圆镀铜工艺槽，包括镀槽（1），在镀槽（1）中设置有镀铜液（2），在镀槽（1）中分别设置有阴极杆（3）和阳极杆（6），在阳极杆（6）上配有钛蓝阳极（7），在阴极杆（3）上装有晶圆夹具（4），晶圆（5）设置在晶圆夹具（4）上，晶圆（5）和钛蓝阳极（7）均设置在镀铜液（2）中，其特征在于，在晶圆（5）与钛蓝阳极（7）之间设置有垂直剪切屏（8），晶圆（5）上的中心点与钛蓝阳极（7）上的中心点之间的连线与垂直剪切屏（8）所在平面是相互垂直设置的，垂直剪切屏（8）为栅栏形状，在垂直剪切屏（8）的两平行立柱（9）之间等间隔地设置有L形剪切板（10）。2.根据权利要求1所述的一种可削弱镀层边缘效应的晶圆镀铜工艺槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏红军，付明，常志，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二研究所，
类型：发明
国别省市：山西,14
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