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本发明公开了一种可削弱镀层边缘效应的晶圆镀铜工艺槽，解决了晶圆在电镀过程中边缘位置镀层厚度急剧增加的问题。在镀槽（1）中分别设置有阴极杆（3）和阳极杆（6），在阳极杆（6）上配有钛蓝阳极（7），在阴极杆（3）上装有晶圆夹具（4），晶圆（5）...该专利属于中国电子科技集团公司第二研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第二研究所授权不得商用。
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本发明公开了一种可削弱镀层边缘效应的晶圆镀铜工艺槽，解决了晶圆在电镀过程中边缘位置镀层厚度急剧增加的问题。在镀槽（1）中分别设置有阴极杆（3）和阳极杆（6），在阳极杆（6）上配有钛蓝阳极（7），在阴极杆（3）上装有晶圆夹具（4），晶圆（5）...