一种3D渗花晶化釉料及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种3D渗花晶化釉料及其应用。该釉料包括底釉和面釉，其中，面釉的原料为：钾长石、钠长石、石英、高岭土、烧滑石、助色剂。本发明专利技术的釉料配方能真正达到3D釉中彩的效果，实现了表面装饰效果、耐磨性及硬度的统一，并且该釉料原料价格低廉，性能稳定、透明度高、通透感强、色泽鲜艳、图案纹理清晰，基本可与原石媲美，完全颠覆了已有渗花釉料的装饰效果。使用本发明专利技术的渗花釉料可使渗花墨水的用量相对于普通渗花釉料减少35％，同时，助色剂相对于普通渗花釉料可减少30％，因而降低了生产成本，更有利于推广市场，提高竞争力，并且助色剂用量的降低可以减少喷墨渗花产品釉裂的倾向，有效减少成品的缺陷，使得成品率提高1％～3％。

A 3D Infiltrated Crystallized Glaze and Its Application

The invention discloses a 3D infiltrating crystal glaze and its application. The glaze consists of bottom glaze and surface glaze. The raw materials of the glaze are potassium feldspar, albite, quartz, kaolin, calcined talc and additives. The glaze formula of the invention can really achieve the effect of color in 3D glaze, realizing the unification of surface decoration effect, wear resistance and hardness, and the glaze raw material has the advantages of low price, stable performance, high transparency, strong permeability, bright color, clear pattern and texture, basically comparable to the original stone, completely overturning the decorative effect of the existing infiltrated glaze. Using the infiltrating glaze of the invention can reduce the amount of infiltrating ink by 35% compared with the ordinary infiltrating glaze, at the same time, the additive can reduce the production cost by 30% compared with the ordinary infiltrating glaze, thus reducing the production cost, promoting the market and improving the competitiveness, and the decrease of the amount of the additive can reduce the tendency of glaze cracking of the ink-jet infiltrating product, effectively reduce the defects of the finished product, and make the product more competitive. The yield of finished product is increased by 1%-3%.

【技术实现步骤摘要】
一种3D渗花晶化釉料及其应用
本专利技术涉及陶瓷
，尤其涉及一种3D渗花晶化釉料及其应用。
技术介绍
喷墨渗花技术是近几年发展起来的技术，基本工艺为：坯体压制→干燥→淋浆→喷渗花墨水和助渗剂→烧成→抛光。喷墨渗花产品和常规喷墨产品的主要区别在于渗花墨水可以渗透到坯体或者釉层内一定深度并发色，而常规墨水只能停留在表面，从而使得喷墨渗花产品相对于常规喷墨产品的图案具有一定的立体感，但目前，市场上生产的普通喷墨渗花砖的纹理线条不是特别清晰细腻、立体感也不强，甚至图案出现发蒙、发白的现象，完全达不到全抛釉透明、通透的效果。目前对于渗花砖的改进主要集中在渗花墨水、渗花釉以及制备工艺上。关于渗花釉，CN107777886A公开了一种以钾长石、钠长石、水洗高岭土、煅烧高岭土、石英、煅烧滑石、纳米二氧化硅、纳米二氧化钛为组分的喷墨渗透的釉料；CN107032612A公开了以钾长石、钠长石、石英、高岭土、烧滑石和锂云母尾矿为成分的陶瓷喷墨渗花面釉；而CN105481478A涉及到两层釉，分别为底釉和防污釉，底釉的组分为钾长石、钠长石、高岭土、烧土、石英、硅酸锆、添加剂A，添加剂B，防污釉的组分为钾长石、钠长石、高岭土、烧土、石英、硅灰石、烧滑石粉、硅酸锆、添加剂A、添加剂B。但上述渗花釉制备的渗花产品仍然出现纹理线条不清晰、颜色不够鲜艳、或是面釉硬度不够、耐磨性不强、立体感及通透感均较差等问题。渗花釉对产品的装饰效果及性能具有很大的影响，如何将渗花砖的釉料配方进行改进，使得到的产品的装饰效果及综合性能均较好的渗花砖仍然具有一定的挑战性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种3D渗花晶化釉料及其应用。本专利技术所采取的技术方案是：本专利技术的目的之一在于提供一种3D渗花晶化釉料，其包括底釉和面釉，其中，面釉的原料的质量份数为：53～75份钾长石、11～18份钠长石、12～35份石英、3～13份高岭土、0～5份烧滑石、2～3份助色剂。优选地，上述底釉的原料的质量份数为22～38份钾长石、8～18份钠长石、18～28份石英、3～13份高岭土、1～10份氧化铝、0～3份烧滑石、8～18份烧土和8～18份硅酸锆。更优选地，上述面釉的原料的质量份数为57～70份钾长石、13～15份钠长石、15～33份石英、5～11份高岭土、0～3份烧滑石、2.5～3份助色剂。更优选地，上述底釉的原料的质量份数为25～35份钾长石、10～18份钠长石、20～28份石英、5～12份高岭土、3～7份氧化铝、0～3份烧滑石、10～18份烧土和10～15份硅酸锆。优选地，上述面釉的比重为1.75～1.85g/cm3。更优选地，上述面釉的比重为1.78～1.83g/cm3。优选地，上述底釉的比重为1.75～1.85g/cm3。更优选地，上述底釉的比重为1.78～1.83g/cm3。优选地，上述助色剂为超细二氧化硅，其中超细二氧化硅的原生粒径≤500nm，比表面积≥10m2/g。优选地，上述超细二氧化硅的原生粒径介于1nm～100nm之间，比表面积大于50m2/g。更优选地，上述超细二氧化硅为其表面沉积有助色盐的超细二氧化硅，其中，助色盐选自水溶性金属盐和含硼盐中的至少一种，更优选地，水溶性金属盐选自水溶性钠、钾、钙、镁、铝、镧、钛中的至少一种。本专利技术的另一目的在于提供一种渗花砖的制备方法，包括如下制备步骤：1)在坯体上均匀布施底釉；2)进一步在底釉上布施面釉，得到砖坯；3)待砖坯干燥后，喷印渗花墨水，烧制、抛光，得渗花砖，其中，步骤1)中的底釉为上述所述的底釉、步骤2)中的面釉为上述所述的面釉。优选地，步骤1)中底釉的施釉量为80～100g/300*600mm。更优选地，步骤1)中底釉的施釉量为85～95g/300*600mm。优选地，步骤2)中面釉的施釉量为130～150g/300*600mm。更优选地，步骤2)中面釉的施釉量为135～145g/300*600mm。本专利技术还提供了一种渗花砖。上述渗花砖中包含釉层，所述釉层由上述3D渗花晶化釉料形成，或按上述的制备方法制备得到的渗花砖。本专利技术的有益效果是：1、本专利技术通过调整渗花釉料的基础配方，使其在烧成过程中熔体易于析晶，从而产生高硬度耐磨的釉面，大大提高了产品的表面耐磨度和硬度，同时使得釉面具有更高的透明度及更强的通透感，渗花墨水在釉中的发色鲜艳，花色纹理细腻，釉面平滑均匀，且改进后的釉料更容易使渗花墨水渗透到釉中内部，从而真正达到3D釉中彩的效果，实现了表面装饰效果、耐磨性及硬度的统一，并且该釉料原料价格低廉，性能稳定，易于实现工业化大规模生产。2、利用本专利技术的渗花釉料烧制的渗花产品透明度高、通透感强、色泽由内而外透出来，且鲜艳、图案纹理清晰，基本可与原石媲美，完全颠覆了已有的渗花釉料的装饰效果。3、使用本专利技术的渗花釉料可使渗花墨水的用量相对于普通渗花釉料减少35％，同时，昂贵的助色剂相对于普通渗花釉料可减少30％，因而降低了生产成本，更有利于推广市场，提高竞争力，并且助色剂用量的降低可以减少喷墨渗花产品釉裂的倾向，有效减少成品的缺陷，使得成品率提高1％～3％。附图说明图1是本专利技术实施例1(左)的3D渗花晶化釉料和对比例1(中)、对比例5(右)的渗花釉料制备的渗花砖的对比图；图2是本专利技术实施例2(左)3D渗花晶化釉料和对比例2(中)、对比例4(右)的渗花釉料制备的渗花砖的对比图；图3是本专利技术实施例3(左)3D渗花晶化釉料和对比例3(右)的渗花釉料制备的渗花砖的对比图；图4是布施本专利技术对比例6的3D渗花晶化釉料(左)和单独布施本专利技术对比例6的3D渗花晶化釉料中的底釉(右)的渗花砖对比图。具体实施方式下面进一步列举实施例以详细说明本专利技术。同样应理解，以下实施例只用于对本专利技术进行进一步说明，不能理解为对本专利技术保护范围的限制，本领域技术人员根据本专利技术阐述的原理做出的一些非本质的改进和调整均属于本专利技术的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适范围内的选择，而并非要限定于下文示例的具体数据。实施例1一种渗花砖的制备方法，包括如下步骤：1)通过钟罩淋釉，在坯体上均匀地布施底釉，所施底釉的比重为1.78g/cm3，施釉量为：93g/300*600mm；2)进一步在底釉上通过钟罩淋釉布施面釉，所施面釉的比重为1.83g/cm3，施釉量为：135g/300*600mm，得砖坯；3)将砖坯经釉线干燥窑干燥后，通过釉线喷墨加助渗剂打印方式，将13g/m2渗花墨水喷印于步骤2)的砖坯上，后放入辊道窑中烧制，后抛光，得渗花砖。实施例2一种渗花砖的制备方法，包括如下步骤：1)通过钟罩淋釉，在坯体上均匀地布施底釉，所施底釉的比重为1.83g/cm3，施釉量为：87g/300*600mm；2)进一步在底釉上通过钟罩淋釉布施面釉，所施面釉的比重为1.78g/cm3，施釉量为：143g/300*600mm，得砖坯；3)将砖坯经釉线干燥窑干燥后，通过釉线喷墨加助渗剂打印方式，将19g/m2渗花墨水喷印于步骤2)的砖坯上，后放入辊道窑中烧制，后抛光，得渗花砖。实施例3一种渗花砖的制备方法，包括如下步骤：1)通过钟罩淋釉，在坯体上均匀地布施底釉，所施底釉的比重为1.80g/cm3，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D渗花晶化釉料，其特征在于：包括底釉和面釉，其中，所述面釉的原料的质量份数为：53～75份钾长石、11～18份钠长石、12～35份石英、3～13份高岭土、0～5份烧滑石、2～3份助色剂。

【技术特征摘要】
1.一种3D渗花晶化釉料，其特征在于：包括底釉和面釉，其中，所述面釉的原料的质量份数为：53～75份钾长石、11～18份钠长石、12～35份石英、3～13份高岭土、0～5份烧滑石、2～3份助色剂。2.根据权利要求1所述的3D渗花晶化釉料，其特征在于：所述底釉的原料的质量份数为22～38份钾长石、8～18份钠长石、18～28份石英、3～13份高岭土、1～10份氧化铝、0～3份烧滑石、8～18份烧土和8～18份硅酸锆。3.根据权利要求1所述的3D渗花晶化釉料，其特征在于：所述面釉的原料的质量份数为57～70份钾长石、13～15份钠长石、15～33份石英、5～11份高岭土、0～3份烧滑石、2.5～3份助色剂。4.根据权利要求2所述的3D渗花晶化釉料，其特征在于：所述底釉的原料的质量份数为25～35份钾长石、10～18份钠长石、20～28份石英、5～12份高岭土、3～7份氧化铝、0～3份烧滑石、10～18份烧土和10～15份硅酸锆。5.根据权利要求1或3所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵秀娟，余水林，陈奕，曾青蓉，
申请(专利权)人：广东道氏技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44