一种星钻裂纹釉、釉浆及其陶瓷制造技术

本发明专利技术属于陶瓷领域，公开了一种星钻裂纹釉、釉浆及其陶瓷，星钻裂纹釉的化学质量组成为：SiO2：65～80%、Al2O3：10～15%、K2O：2～7%、Na2O：3～10%、Fe2O3：0～0.5%、CaO：0～0.5%、MgO：0～1%、TiO2：0～0.5%。本发明专利技术一些实例的星钻裂纹釉，膨胀系数大于素坯、面釉，在烧制的坯釉冷却过程中，星钻裂纹釉层收缩大于坯体的收缩，坯体收到压应力而釉受到张应力，导致釉层开裂形成网状裂纹。同时抛釉层局部薄弱区域发生局部屈服和塑性变形而周围材料并未屈服，局部拉伸时所需的横向收缩受到限制，在星钻裂纹釉与抛釉间产生微裂纹，光线在微裂纹表面发生完全反射，形成星钻效果，具有意料之外的效果。具有意料之外的效果。

A star drill crack glaze, glaze slurry and its ceramics

【技术实现步骤摘要】
一种星钻裂纹釉、釉浆及其陶瓷


[0001]本专利技术属于陶瓷领域，具体涉及一种星钻裂纹釉、釉浆及其陶瓷。

技术介绍

[0002]裂纹釉的产生十分地偶然，是一种在陶瓷釉面炸裂形成许多小裂纹的艺术釉，裂纹有疏有密、有曲有直、有长有短。裂纹的产生是因为釉的膨胀系数大于坯的膨胀系数，在烧制过程中釉面产生应力形成裂纹。釉面产生裂纹原本是陶瓷烧成中的一种缺陷，但人们从一些制品表面裂纹纹路均匀清晰、布满器面获得启发，认为它有种别具一格的艺术美感，因此以产生裂纹为目的研发釉料，这样就逐渐创造出了裂纹釉。
[0003]裂纹釉以其独特的裂纹效果受到许多消费者的喜爱，但现有的裂纹釉釉面效果单一，多数只含有裂纹效果，因为釉面内部存在裂纹，导致其防污效果差、不易清洗，难以运用在建筑陶瓷行业中。烧成的裂纹釉产品中一般只具有单纯的裂纹效果，其装饰效果也相对单一。
[0004]裂纹釉的这些缺陷，导致其应用受限。开发出一种具有独特装饰效果的裂纹釉，对于扩展裂纹釉的应用场合，提升其装饰效果，具有非常重要的意义。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于克服现有技术的至少一个不足，提供一种星钻裂纹釉、釉浆及其陶瓷。
[0006]本专利技术所采取的技术方案是：本专利技术的第一个方面，提供：一种星钻裂纹釉，其化学质量组成为：SiO2：65～80%、Al2O3：10～15%、K2O：2～7%、Na2O：3～10%、Fe2O3：0～0.5%、CaO：0～0.5%、MgO：0～1%、TiO2：0～0.5%及不可避免的杂质。
[0007]在一些星钻裂纹釉的实例中，其膨胀系数为354～367。
[0008]在一些星钻裂纹釉的实例中，其完全熔融的温度不低于1220 ℃。
[0009]在一些星钻裂纹釉的实例中，其原料按质量组成为：钠长石8～18份，钾长石45～60份，烧滑石1～5份，高岭土3～7份，石英20～35份，低温熔块3～7份；所述低温熔块的始熔温度不超过950℃，膨胀系数为380～395。
[0010]本专利技术的第二个方面，提供：一种星钻裂纹釉浆，由本专利技术第一个方面所述的星钻裂纹釉、悬浮剂、解胶剂和水组成。
[0011]在一些星钻裂纹釉浆的实例中，其中颗粒的平均粒径为35～70 μm。
[0012]在一些星钻裂纹釉浆的实例中，水的质量百分含量为30～50%，悬浮剂的质量百分含量为0.1～0.3%，解胶剂的质量百分含量为0.2～0.5%，余量为星钻裂纹釉。
[0013]在一些星钻裂纹釉浆的实例中，其比重为1.69～1.91。
[0014]在一些星钻裂纹釉浆的实例中，25℃时的粘度为50.72～71.18 cP。
[0015]本专利技术的第三个方面，提供：一种星钻裂纹陶瓷，包括坯体、星钻裂纹釉层和抛釉层，所述星钻裂纹釉层由本专利技术第一个方面所述的星钻裂纹釉，或本专利技术第二个方面所述的星钻裂纹釉浆烧成得到。
[0016]在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述坯体的膨胀系数为220～245。
[0017]在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述抛釉层的膨胀系数为290～330。
[0018]在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述抛釉层的熔融温度较所述星钻裂纹釉的熔融温度低至少50℃。
[0019]在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述星钻裂纹釉层的厚度为0.5～0.8mm。
[0020]在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述抛釉层的厚度为0.2～0.5mm。
[0021]在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，所述抛釉层的熔融温度为1165～1180℃。
[0022]在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，其制备方法包括：坯体工艺：将本专利技术第一个方面所述的星钻裂纹釉，或本专利技术第二个方面所述的星钻裂纹釉浆混入或数码定位布入通体或薄层布料中，压制成型，施透明抛釉，烧成，全抛光、半抛光或不抛光。
[0023]在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，其制备方法包括：釉面工艺：直接在坯上或面釉上，通过喷釉或淋釉的生产方法结合其他材料定位或者整面布施本专利技术第一个方面所述的星钻裂纹釉，或本专利技术第二个方面所述的星钻裂纹釉浆，施抛釉，烧成，全抛光、半抛光或不抛光。
[0024]在一些星钻裂纹陶瓷的实例中，其制备方法包括：全抛工艺：在坯体面釉上喷墨设计图案，在上面通过喷釉或淋釉的生产方法结合其他材料定位或者整面布施本专利技术第一个方面所述的星钻裂纹釉，或本专利技术第二个方面所述的星钻裂纹釉浆，施全抛釉或干粒抛釉，烧成，全抛光。
[0025]本专利技术的有益效果是：本专利技术一些实例的星钻裂纹釉，膨胀系数大于素坯、面釉(抛釉)。在烧制的坯釉冷却过程中，由于星钻裂纹釉膨胀系数大于上下釉层，星钻裂纹釉层收缩大于坯体的收缩，坯体收到压应力而釉受到张应力，导致釉层开裂形成网状裂纹。同时抛釉层局部薄弱区域发生局部屈服和塑性变形而周围材料并未屈服，局部拉伸时所需的横向收缩受到限制，在星钻裂纹釉与抛釉间产生微裂纹，光线在微裂纹表面发生完全反射，形成星钻效果。具有意料之外的效果。
[0026]本专利技术一些实例的星钻裂纹陶瓷，窑内温度升温至1185～1213℃，该温度并未达到星钻裂纹釉釉料全部熔融的温度，使得星钻裂纹釉层有玉石般半乳浊的深厚光泽；表面抛釉层在高温煅烧中，外层充分熔融而内里不熔融，使釉面平整光滑而不掩盖裂纹效果，克服了现有技术裂纹釉易吸污，应用场合受限的不足。
附图说明
[0027]图1是实施例S1的瓷砖样品的照片；图2是实施例S2的瓷砖样品的照片；图3是实施例S3的瓷砖样品的照片；图4是实施例S4的瓷砖样品的照片；图5是实施例S5的瓷砖样品的照片；
图6是实施例S6的瓷砖样品的照片；图7是实施例S7的瓷砖样品的照片；图8是实施例S8的瓷砖样品的照片；图9是对比例D1瓷砖样品的照片；图10是对比例D2的瓷砖样品的照片；图11是对比例D3的瓷砖样品的照片；图12是对比例D4的瓷砖样品的照片；图13是对比例D5的瓷砖样品的照片；图14是对比例D6的瓷砖样品的照片；图15是对比例D7的瓷砖样品的照片；图16是对比例D8的瓷砖样品的照片。
具体实施方式
[0028]本专利技术的第一个方面，提供：一种星钻裂纹釉，其化学质量组成为：SiO2：65～80%、Al2O3：10～15%、K2O：2～7%、Na2O：3～10%、Fe2O3：0～0.5%、CaO：0～0.5%、MgO：0～1%、TiO2：0～0.5%及不可避免的杂质。该组成的星钻裂纹釉具有较大的膨胀系数，有利于得到星钻裂纹效果。
[0029]在一些星钻裂纹釉的实例中，其膨胀系数为354～367。在这一膨胀系数下，更有利于得到星钻裂纹效果，且可以配合更多种类的抛釉使用。
[0030]在一些星钻裂纹釉的实例中，其完全熔融的温度不低于1220 ℃。这样可以保证其在过程中不会完全熔融，而抛釉可以完全熔融形成完整的面釉层，提高烧成后产品的抗污性。
[0031]本专利技术中，星钻裂纹釉的主要成分为二氧化硅、氧化铝、氧化钠、氧化钾等，其中：二氧化硅是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种星钻裂纹釉，其特征在于：其化学质量组成为：SiO2：65～80%、Al2O3：10～15%、K2O：2～7%、Na2O：3～10%、Fe2O3：0～0.5%、CaO：0～0.5%、MgO：0～1%、TiO2：0～0.5%及不可避免的杂质；和/或所述星钻裂纹釉的膨胀系数为354～367；和/或所述星钻裂纹釉的完全熔融温度不低于1220 ℃。2.根据权利要求1所述的星钻裂纹釉，其特征在于：其原料按质量组成为：钠长石8～18份，钾长石45～60份，烧滑石1～5份，高岭土3～7份，石英20～35份，低温熔块3～7份；所述低温熔块的始熔温度不超过950℃，膨胀系数为380～395。3.一种星钻裂纹釉浆，其特征在于：由权利要求1或2所述的星钻裂纹釉、悬浮剂、解胶剂和水组成。4.根据权利要求3所述的星钻裂纹釉浆，其特征在于：其中颗粒的平均粒径为35～70 μm；和/或所述星钻裂纹釉浆中，水的质量百分含量为30～50%，悬浮剂的质量百分含量为0.1～0.3%，解胶剂的质量百分含量为0.2～0.5%，余量为星钻裂纹釉。5.根据权利要求3或4所述的星钻裂纹釉浆，其特征在于：其比重为1.69～1.91，25℃时的粘度为50.72～71.18 cP。6.一种星钻裂纹陶瓷，其特征在于：包括坯体、星钻裂纹釉层和抛釉层，所述星钻裂纹釉层由权利要求1或2所述的星钻裂纹釉，或权利要求3所述的星钻裂纹釉浆烧成得到；和/或所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：余水林，马碧仪，赵秀娟，曾青蓉，
申请(专利权)人：广东道氏技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：