一种高稳定性单晶硅压差传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高稳定性单晶硅压差传感器，属于传感器领域。一种高稳定性单晶硅压差传感器，单晶硅传感器芯片左右两端分别与传感器正压腔和负压腔固定连接，传感器正压腔上设置有正压腔进油管，传感器负压腔设置有负压腔进油管，单晶硅传感器芯片通过传感器连接通道A与传感器接口A连接，通过传感器连接通道与传感器接口B连接；传感器正压腔左端设置有压力变送器A，其通过测量管路A与单晶硅传感器芯片固定连接，传感器负压腔右端设置有压力变送器B，其通过测量管路B与单晶硅传感器芯片固定连接；使用本实用新型专利技术能够使得压差传感器的静压性能得到改善，并且能够在比较复杂的工况下工作。

【技术实现步骤摘要】
一种高稳定性单晶硅压差传感器
本技术涉及传感器领域，更具体地说，涉及一种高稳定性单晶硅压差传感器。
技术介绍
压差传感器是工业领域中，测量气体或液体的压力差的常用工具，通常应用于工业过程中以测量各种工业过程流体中的压力，例如水泥、液体水汽和化学制品气体、纸浆、石油、气体、制药、食物和其它的流体式加工工厂；压差传感器通常包括一堆过程流体压力输入端，其可操作地连接到相应两个输入端之间的传感器芯片中，压差传感器通常还包括一堆隔离膜片，定位在过程流体入口中并且隔离压差传感器与感测的流体，压力通过在每个隔离膜片延伸到压差传感器的通路中携载的大致不能压缩的填充流体从过程流体传送到压差传感器；在现有技术中的的压差传感器在检测的过程中，往往由于传感器的内部结构以及芯片的布局，导致传感器的静压性能不佳，从而导致传感器在工作过程中的工作稳定性不佳，同时，传统的压差传感器的过压性能通常由传感器芯片而决定，进而导致压差传感器的过压性能受限，难以使得传感器适应更为复杂的工作环境。
技术实现思路
1.要解决的技术问题针对现有技术中存在的以下问题：（1）现有的压差传感器静压性能不佳。本技术的目的在于提供一种高稳定性单晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高稳定性单晶硅压差传感器，包括传感器正压腔（1）和传感器负压腔（2），其特征在于：所述传感器正压腔（1）右侧与单晶硅传感器芯片（3）左侧固定连接，所述单晶硅传感器芯片（3）右侧与传感器负压腔（2）左侧固定连接，所述传感器正压腔（1）上端左侧设置有正压腔进油管（12），所述传感器负压腔（2）上端右侧设置有负压腔进油管（13），所述传感器正压腔（1）和传感器负压腔（2）里设置有硅油（14），所述单晶硅传感器芯片（3）与传感器接口A（4）之间通过传感器连接通道A（6）固定连接，所述单晶硅传感器芯片（3）与传感器接口B（5）之间通过传感器连接通道B（7）固定连接；所述传感器正压腔（1）内部左端...

【技术特征摘要】
1.一种高稳定性单晶硅压差传感器，包括传感器正压腔（1）和传感器负压腔（2），其特征在于：所述传感器正压腔（1）右侧与单晶硅传感器芯片（3）左侧固定连接，所述单晶硅传感器芯片（3）右侧与传感器负压腔（2）左侧固定连接，所述传感器正压腔（1）上端左侧设置有正压腔进油管（12），所述传感器负压腔（2）上端右侧设置有负压腔进油管（13），所述传感器正压腔（1）和传感器负压腔（2）里设置有硅油（14），所述单晶硅传感器芯片（3）与传感器接口A（4）之间通过传感器连接通道A（6）固定连接，所述单晶硅传感器芯片（3）与传感器接口B（5）之间通过传感器连接通道B（7）固定连接；所述传感器正压腔（1）内部左端设置有压力变送器A（15），所述压力变送器A（15）右侧中部与测量管路A（19）一端固定连接，所述测量管路A（19）另一端与单晶硅传感器芯片（3）左侧中部固定连接，所述传感器负压腔（2）内部右端...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘爽，张立，陈志伟，
申请(专利权)人：刘爽，
类型：新型
国别省市：湖北,42