软性基板及线路结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种软性基板及线路结构的制造方法，其步骤如下。于载体上形成离形层。将至少一晶片配置在离形层上。注入高分子材料，以至少覆盖至少一晶片的部分侧壁。将高分子材料固化为高分子基板。分离高分子基板与离形层，其中至少一晶片嵌入高分子基板中。于高分子基板的第一表面上形成第一线路结构，第一线路结构与至少一晶片的第一接垫电性连接。

Soft Base Board and Circuit Structure and Its Manufacturing Method

The invention discloses a manufacturing method of a soft base plate and a circuit structure, the steps of which are as follows. The ionosphere is formed on the carrier. Configure at least one chip on the ionosphere. A polymer material is injected to cover at least part of the side wall of at least one wafer. Polymer materials were solidified into polymer substrates. A polymer substrate and an ionosphere are separated, in which at least one wafer is embedded in the polymer substrate. A first circuit structure is formed on the first surface of the polymer substrate, and the first circuit structure is electrically connected with the first pad of at least one wafer.

【技术实现步骤摘要】
软性基板及线路结构及其制造方法
本专利技术是有关于一种软性基板及线路结构及其制造方法。
技术介绍
随着半导体技术日益进步，发光二极管(lightemittingdiode，LED)的发光亮度与发光效率大幅地提升。因此，发光二极管显示器已逐渐取代传统的显示器而成为新一代的照明元件，其广泛地应用在例如家用照明装置、汽车照明装置、手持照明装置、液晶面板背光源、交通号志指示灯、指示或广告看板等照明应用上。然而，在一般发光二极管晶片打件时，容易因线路板不平整而造成晶片位移(shift)、晶片旋转(rotate)的问题，或者是在一般发光二极管显示器的转置制程时容易发生晶片偏移问题。如何解决上述晶片位移、旋转或是偏移问题将成为未来重要的一门课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种软性基板及线路结构及其制造方法，其可制造出可挠性或具有拉伸性的线路基板结构，并解决晶片打件时因线路板不平整所造成的晶片位移、晶片旋转的问题或改善一般发光二极管显示器的转置制程时的晶片偏移问题。本专利技术提供一种软性基板及线路结构的制造方法，其步骤如下。于载体上形成离形层。将至少一晶片配置在离形层上。注入高分子材料，以至少覆盖至少一晶片的部分侧壁。将高分子材料固化为高分子基板。分离高分子基板与离形层，其中至少一晶片嵌入高分子基板中。于高分子基板的第一表面上形成第一线路结构，第一线路结构与至少一晶片的第一接垫电性连接。本专利技术提供一种软性基板及线路结构，包括高分子基板、多个发光元件晶片以及第一线路结构。高分子基板具有相对的第一表面与第二表面。多个发光元件晶片嵌入高分子基板中。第一线路结构配置于高分子基板的第一表面上。各发光元件晶片中的第一接垫或第二接垫与高分子基板的第一表面共平面。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1A至图1E是依照本专利技术的第一实施例的一种软性基板及线路结构的制造流程的立体示意图。图2A至图2F是依照本专利技术的第二实施例的一种软性基板及线路结构的制造流程的剖面示意图。图3A至图3E是依照本专利技术的第三实施例的一种软性基板及线路结构的制造流程的剖面示意图。图4是依照本专利技术的第四实施例的一种软性基板及线路结构的剖面示意图。其中，附图标记：100、200、300：晶片102：载体104：离形层106：高分子材料108：高分子基板108a：第一表面108b：第二表面109：开口110：网印步骤112、212、312a：第一线路结构312b：第二线路结构114、118、120、214、218、220：导电层116、216：绝缘层200s、300s：晶片的侧壁202：第一半导体层204：发光层206：第二半导体层208：第一接垫208t：第一接垫的顶面210：第二接垫210t：第二接垫的顶面H1：高度差H2：高分子基板的厚度T1：高分子材料的厚度T2：晶片的厚度具体实施方式参照本实施例的图式以更全面地阐述本专利技术。然而，本专利技术亦可以各种不同的形式体现，而不应限于本文中所述的实施例。图式中的层与区域的厚度会为了清楚起见而放大。相同或相似的标号表示相同或相似的元件，以下段落将不再一一赘述。图1A至图1E是依照本专利技术的第一实施例的一种软性基板及线路结构的制造流程的立体示意图。本实施例提供一种软性基板及线路结构的制造方法，其以晶片优先模封方式将晶片100嵌入高分子基板108中，详细步骤如下。请参照图1A，首先，于载体102上形成离形层104。在一实施例中，载体102的材料可以是玻璃、石英、金属、陶瓷或其它合适的材料。在一些实施例中，离形层104的材料可以是聚合物、有机材料、无机材料或其组合。在其他实施例中，离形层104可包括固态、液态或是凝胶态。请参照图1B，藉由转置法将多个晶片100配置在离形层104上。在一实施例中，所述转置法包括静电方式、真空吸取方式、机械手臂取放(pickandplace)方式、晶圆对晶圆接合(wafertowaferbonding)方式或黏取方式。但本专利技术不以此为限，只要是能将晶片100配置在离形层104上的任何转置方式皆为本专利技术的范畴。在一实施例中，晶片100可以是长、宽、高皆小于1毫米(mm)的微发光二极管。由于晶片100的体积小，在转置时容易位移或旋转，因此离形层104可用以将晶片100暂时固定或贴附在载体102上，而改善产生位移或旋转的现象。在一些实施例中，离形层104的材料包括具有暂时固定特性的材料。另外，晶片100的数量、功能以及配置可依实际需求来进行调整。举例来说，图1B中的单一个晶片100可以是发出单色的发光二极管。另一方面，图1B中的单一个晶片100可包括将红色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管整合在一模块中。在一些实施例中，晶片100可例如是发光元件晶片、主动元件晶片、被动元件晶片或其组合。在替代实施例中，各个晶片100可以是具有相同功能的晶片或是具有不同功能的晶片。请参照图1C与图1D，在将晶片100配置在离形层104上之后，注入高分子材料106，以覆盖晶片100。在一实施例中，高分子材料106包括聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)、聚氨酯(Polyurethane，PU)、热可塑性聚氨酯(ThermoplasticUrethane，TPU)、聚亚酰胺(Polyimide，PI)或其组合。请参照图1D，将高分子材料106固化为高分子基板108。此时，高分子基板108的第一表面108a朝向且接触离形层104。在一实施例中，所述固化步骤例如采用加温成膜处理，举例来说藉由将高分子材料106加热至60℃至220℃之间，以使高分子材料106固化或成膜。但本专利技术不以此为限，在其他实施例中，依据高分子材料106的种类不同，所述固化的方式或温度也有所不同。请参照图1D与图1E，分离高分子基板108与离形层104。具体来说，可藉由物理性脱模(mechanicaldebond)、激光脱模(laserdebond)或变温脱模(heatingorcoolingdebond)的方式将高分子基板108与离形层104(或载体102)分开或分离。在此情况下，可将高分子基板108上下翻转，使得高分子基板108的第一表面108a朝上，如图1E所示，晶片100嵌入于高分子基板108中，且晶片100的至少一接垫(如图2B所示的接垫208、210)外露于高分子基板108。某种程度来说，各个晶片100的所述至少一接垫可视为共平面，其便于进行后续网印步骤(screenprinting)110，以更进一步地提高软性基板及线路结构的良率。接着，进行网印步骤110，以将第一线路结构112(如图2F所示)形成在高分子基板108的表面上。在一实施例中，网印步骤110使用可拉伸性的导电银胶与绝缘胶间隔设置，来印刷出所需多层不同输入信号的导电线路，但本专利技术不以此为限。在本实施例中，将晶片100嵌入至高分子基板108之后再形成第一线路结构112的步骤可固定晶片100的位置，并使得晶片100的所述至少一接垫共平面，以利于网印步骤110。详细地说，在本实施例中，将晶片100转置至离形层104上，再注入高分子材料106的步骤可减少高分子基板108与嵌入高分子基板108中的晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种软性基板及线路结构的制造方法，其特征在于，包括：于载体上形成离形层；将至少一晶片配置在所述离形层上；注入高分子材料，以至少覆盖所述至少一晶片的部分侧壁；将所述高分子材料固化为高分子基板；分离所述高分子基板与所述离形层，其中所述至少一晶片嵌入所述高分子基板中；以及于所述高分子基板的第一表面上形成第一线路结构，所述第一线路结构与所述至少一晶片的第一接垫电性连接。

【技术特征摘要】
2018.08.16 TW 1071285921.一种软性基板及线路结构的制造方法，其特征在于，包括：于载体上形成离形层；将至少一晶片配置在所述离形层上；注入高分子材料，以至少覆盖所述至少一晶片的部分侧壁；将所述高分子材料固化为高分子基板；分离所述高分子基板与所述离形层，其中所述至少一晶片嵌入所述高分子基板中；以及于所述高分子基板的第一表面上形成第一线路结构，所述第一线路结构与所述至少一晶片的第一接垫电性连接。2.如权利要求1所述的软性基板及线路结构的制造方法，其特征在于，所述至少一晶片包括发光元件晶片、主动元件晶片、被动元件晶片或其组合。3.如权利要求1所述的软性基板及线路结构的制造方法，其特征在于，所述至少一晶片包括发光元件晶片，所述发光元件晶片包括发光二极管，其包括：第一半导体层；发光层，形成于所述第一半导体层上；第二半导体层，形成于所述发光层上；所述第一接垫，形成于所述第一半导体层上；以及第二接垫，形成于所述第二半导体层上。4.如权利要求3所述的软性基板及线路结构的制造方法，其特征在于，将所述至少一晶片配置在所述离形层上的步骤包括：将所述至少一晶片的所述第一接垫与所述第二接垫朝向所述离形层，且所述第一接垫与所述第二接垫中的至少一者抵靠所述离形层。5.如权利要求3所述的软性基板及线路结构的制造方法，其特征在于，于所述高分子基板的表面上形成所述第一线路结构之前，更包括移除所述高分子基板的一部分，以暴露出所述至少一晶片的所述第一接垫与所述第二接垫。6.如权利要求3所述的软性基板及线路结构的制造方法，其特征在于，将所述至少一晶片配置在所述离形层上的步骤包括：将所述至少一晶片的所述第一接垫与所述第二接垫背离所述离形层。7.如权利要求1所述的软性基板及线路结构的制造方法，其特征在于，在注入所述高分子材料的步骤中，所述高分子材料的厚度小于或等于所述至少一晶片的厚度。8.如权利要求1所述的软性基板及线路结构的制造方法，其特征在于，在注入所述高分子材料的步骤中，所述高分子材料至少覆盖所述至少一晶片的侧壁的高度的三分之一。9.如权利要求1所述的软性基板及线路结构的制造方法，其特征在于，所述高分子材料包括聚二甲基硅氧烷、聚氨酯、热可塑性聚氨酯、聚亚酰胺或其组合。10.如权利要求1所述的软性基板及线路结构的制造方法，其特征在于，将所述高分子材料固化为所述高分子基板的步骤包括加热至60℃至220℃之间。11.如权利要求1所述的软性基板及线路结构的制造方法，其特征在于，将所述至少一晶片配置在所述离形层上的方法包括转置法，所述转置法包括静电方式、真空吸取方式、机械手...

【专利技术属性】
技术研发人员：张恕豪，余王傑，萧夏彩，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71