The technical scheme of the invention discloses a method and device for detecting wafer bonding defects. The method comprises: placing the first wafer and the second wafer on the wafer bearing disc, on which several piezoelectric elements are distributed, and the piezoelectric elements have internal transmitter and receiver terminals; inputting a first signal at the transmitter of the piezoelectric elements; inputting a first wafer and a second wafer. In the bonding process, the second signal output by the receiving end of the piezoelectric element is detected to detect the defect and position of the wafer bonding. The technical scheme of the invention can detect wafer bonding defects in time during bonding process, reduce the void rate and defect rate of wafer bonding, and reduce the risk of peeling after wafer bonding.
【技术实现步骤摘要】
侦测晶圆键合缺陷的方法和装置
本专利技术涉及半导体制造工艺领域，尤其涉及一种侦测晶圆键合缺陷的方法和装置。
技术介绍
晶圆键合是指将两片平整的晶圆面对面贴合起来，并施加以一定的压力、温度、电压等外部条件，在原有的两片晶圆间的界面产生原子或分子间的结合力，如共价键、金属键、分子键等，使两片晶圆键合成为一体的技术。在晶圆键合过程中，如何减少键合界面空洞等缺陷的产生是一个长期研究的问题。现有技术中，在两片晶圆键合后，利用超声检测原理(C-SAMinspection)检测键合的空洞缺陷。然而，如何在晶圆键合过程中及时发现空洞缺陷，以及时调整晶圆键合过程，提高生产良率成为当前亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术技术方案要解决的技术问题是如何及时检测晶圆键合过程中产生的缺陷。为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种侦测晶圆键合缺陷的方法，包括：将第一晶圆和第二晶圆置于晶圆承载盘，所述晶圆承载盘上分布有若干压电元件，所述压电元件内置发射端和接收端；在所述压电元件的发射端输入第一信号；对所述第一晶圆和第二晶圆进行键合；在键合过程中，侦测所述压电元件的接收端输出的第二信号，...
【技术保护点】
1.一种侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，包括：将第一晶圆和第二晶圆置于晶圆承载盘，所述晶圆承载盘上分布有若干压电元件，所述压电元件内置发射端和接收端；在所述压电元件的发射端输入第一信号；对所述第一晶圆和第二晶圆进行键合；在键合过程中，侦测所述压电元件的接收端输出的第二信号，以检测晶圆键合的缺陷及位置。
【技术特征摘要】
1.一种侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，包括：将第一晶圆和第二晶圆置于晶圆承载盘，所述晶圆承载盘上分布有若干压电元件，所述压电元件内置发射端和接收端；在所述压电元件的发射端输入第一信号；对所述第一晶圆和第二晶圆进行键合；在键合过程中，侦测所述压电元件的接收端输出的第二信号，以检测晶圆键合的缺陷及位置。2.如权利要求1所述的侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，所述若干压电元件的数量和分布位置与晶圆尺寸和/或检测精确度需求相关。3.如权利要求2所述的侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，所述压电元件均匀分布在所述晶圆承载盘上。4.如权利要求2述的侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，所述压电元件的数量为9～121。5.如权利要求1所述的侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，所述第一信号为简谐信号、瞬变信号或随机信号。6.如权利要求1所述的侦测晶圆键合缺陷的方法，其特征在于，所述侦测所述压电元件的接收端输出的第二信号包括：将所述压电元件的...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭松辉，沈新林，吴孝哲，吴龙江，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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