扫描电子显微镜校准图形样片及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种扫描电子显微镜校准图形样片及制备方法，属于半导体技术领域，包括基板、仪器放大倍率校准图形和快速寻迹标志图形，仪器放大倍率校准图形设置于基板上，用于对图形进行校准；快速寻迹标志图形设置于仪器放大倍率校准图形的旁侧，用于寻迹所述仪器放大倍率校准图形。本发明专利技术提供的扫描电子显微镜校准图形样片，利用快速寻迹标志图形，可以快速准确判断仪器工作状态是否正常，以便及时校准，从而保证扫描电子显微镜的测量精度，提高了校准效率和扫描电镜的测量准确性。

Scanning Electron Microscope Calibration Patterns and Preparation Method

The invention provides a scanning electron microscope calibration pattern and a preparation method, which belongs to the semiconductor technology field, including a substrate, an instrument magnification calibration pattern and a fast tracing logo pattern. The instrument magnification calibration pattern is set on the substrate for the calibration of the pattern; the fast tracing logo pattern is set on the side of the instrument magnification calibration pattern for the purpose of calibration. Trace the magnification calibration figure of the instrument. The calibration pattern sample of the scanning electron microscope provided by the invention can quickly and accurately judge whether the working state of the instrument is normal or not by using the fast tracing mark pattern, so as to timely calibrate, thereby ensuring the measurement accuracy of the scanning electron microscope, improving the calibration efficiency and the measurement accuracy of the scanning electron microscope.

【技术实现步骤摘要】
扫描电子显微镜校准图形样片及制备方法
本专利技术属于半导体
，更具体地说，是涉及一种扫描电子显微镜校准图形样片及其制备方法。
技术介绍
集成电路和微波功率器件制作工艺过程中涉及大量线条尺寸的测试问题，对线宽参数的精确测量，是保证器件质量的重要手段。目前，微电子行业中微纳米线宽尺寸测量类仪器包括有线宽测量仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜等等，其测量参数为样品的线条尺寸。其中扫描电子显微镜的应用最为广泛。扫描电子显微镜(scanningelectronmicroscope)，简称扫描电镜(SEM)，是一种利用电子束扫描样品表面从而获得样品信息的电子显微镜。扫描电镜的放大倍率从几倍到几十万倍，几乎在每个行业都得到了广泛的应用。扫描电子显微镜通常使用线距标准样片进行校准，线距样片的结构包括光栅和格栅两种。为了保证该类仪器在测量过程中得到准确数据，应该使用一系列相应的线距标准样片对它们进行校准。国外有微米量级的格栅结构的线距标准样片，但是没有相应尺寸的光栅结构的线距标准样片，并且没有将光栅结构和格栅结构共同制作在同一样片上的成品，而且价格相当昂贵。国内虽有相关的文献报道，但是制备样片的材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.扫描电子显微镜校准图形样片，其特征在于，包括：基板；仪器放大倍率校准图形，设置于所述基板上，用于对图形进行校准；快速寻迹标志图形，设置于所述仪器放大倍率校准图形的旁侧，用于寻迹所述仪器放大倍率校准图形。

【技术特征摘要】
1.扫描电子显微镜校准图形样片，其特征在于，包括：基板；仪器放大倍率校准图形，设置于所述基板上，用于对图形进行校准；快速寻迹标志图形，设置于所述仪器放大倍率校准图形的旁侧，用于寻迹所述仪器放大倍率校准图形。2.如权利要求1所述的扫描电子显微镜校准图形样片，其特征在于，所述仪器放大倍率校准图形包括：光栅结构，包括若干个顺次排列的光栅单元，每个所述光栅单元均具有多条明暗相间周期排列的栅条，每个所述光栅单元的旁侧对应设有一所述快速寻迹标志图形；和格栅结构，所述格栅结构的旁侧对应设有一所述快速寻迹标志图形。3.如权利要求2所述的扫描电子显微镜校准图形样片，其特征在于，所述光栅单元中明暗栅条的结构为：明栅条凸起在所述基板上，暗栅条为相邻两个明栅条之间形成的凹槽，其中，一明一暗为一个周期，每个周期尺寸的范围为100nm-10μm。4.如权利要求3所述的扫描电子显微镜校准图形样片，其特征在于，所述光栅结构的周期尺寸范围为100nm-500nm时，校准图形的有效加工尺寸为100μm×100μm；周期尺寸范围为1μm-10μm时，校准图形的有效加工尺寸为1mm×1mm。5.如权利要求2所述的扫描电子显微镜校准图形样片，其特征在于，每个所述光栅单元最外侧的两条明栅条用作被标记的栅条，所述用作被标记的栅条的长度长于其他的栅条的长度。6.如权利要求2-5任一项所述的扫描电子显微镜校准图形样...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锁印，赵琳，梁法国，韩志国，许晓青，冯亚南，张晓东，吴爱华，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北,13