弹性波装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够减小由瑞利波等弹性波的高阶模造成的杂散的弹性波装置。弹性波装置(1)在作为元件基板的压电基板(2)上设置有IDT电极(3)以及绝缘膜(6)。在IDT电极(3)的交叉区域上，在将弹性波传播方向一端设为第一端部(3a)并将另一端设为第二端部(3b)的情况下，随着从第一端部(3a)以及第二端部(3b)朝向弹性波传播方向中央，绝缘膜(6)的厚度变薄或变厚。

Elastic wave device

The invention provides an elastic wave device capable of reducing stray waves caused by higher order modes of elastic waves such as Rayleigh waves. The elastic wave device (1) is provided with an IDT electrode (3) and an insulating film (6) on a piezoelectric substrate (2) as a component substrate. In the cross region of the IDT electrode (3), when one end of the elastic wave propagation direction is set as the first end (3a) and the other end as the second end (3b), the thickness of the insulating film (6) becomes thinner or thicker as it moves from the first end (3a) and the second end (3b) to the center of the elastic wave propagation direction.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】弹性波装置
本专利技术涉及设置有绝缘膜使得覆盖IDT电极的弹性波装置。
技术介绍
提出了各种利用了在LiNbO3基板传播的瑞利波的弹性波装置。在下述的专利文献1记载的弹性波装置中，在LiNbO3基板上设置有IDT电极，并设置有温度补偿用的氧化硅膜，使得覆盖IDT电极。在专利文献1记载的弹性波装置中，氧化硅膜设置为，对IDT电极的电极指间进行填埋，进而覆盖IDT电极的上表面。氧化硅膜的上表面被平坦化。在先技术文献专利文献专利文献1：WO2005/034347
技术实现思路
专利技术要解决的课题在专利文献1记载的弹性波装置中，利用的弹性波是瑞利波，但是也会激励高阶模。而且，该高阶模有时会在瑞利波的频率的1.2～1.3倍程度的频率区域强烈地产生。因此，有时瑞利波的高阶模会作为杂散而成为问题。此外，并不限于瑞利波，在设置有绝缘膜使得覆盖IDT电极的构造中，有时不仅激励所利用的弹性波的模式，还激励高阶模从而作为杂散而成为问题。本专利技术的目的在于，提供一种能够减小瑞利波等弹性波的高阶模的杂散的弹性波装置。用于解决课题的技术方案本专利技术涉及的弹性波装置具备：元件基板，具有压电体层；IDT电极，设置在所述压电体层上；以及绝缘膜，覆盖所述IDT电极，所述IDT电极具有作为激励弹性波的区域的交叉区域，在将所述交叉区域的弹性波传播方向上的一端设为第一端部并将另一端设为第二端部的情况下，在所述IDT电极的交叉区域上，随着从所述IDT电极的所述第一端部以及所述第二端部朝向弹性波传播方向中央，所述绝缘膜的厚度变薄或变厚。在本专利技术涉及的弹性波装置的某个特定的方式中，所述绝缘膜是直接覆盖所述IDT电极的电介质层。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方式中，所述绝缘膜具有在所述弹性波传播方向上相对于所述压电体层的上表面倾斜的倾斜面。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方式中，在所述IDT电极的至少所述交叉区域的上方，所述绝缘膜的厚度沿着所述弹性波传播方向连续地变化。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方式中，在将所述IDT电极的交叉宽度方向上的所述交叉区域的一端设为第三端部并将另一端设为第四端部的情况下，随着从所述第三端部以及所述第四端部朝向交叉宽度方向中央，所述绝缘膜的厚度变薄或变厚。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方式中，所述压电体层包含LiNbO3。在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方式中，利用了在所述LiNbO3传播的瑞利波。在本专利技术的又一个特定的局面中，可提供作为具有所述IDT电极的弹性波谐振器的弹性波装置。在本专利技术的又一个特定的局面中，提供一种弹性波装置，该弹性波装置是具有多个所述IDT电极的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器。专利技术效果在本专利技术涉及的弹性波装置中，能够有效地减小由瑞利波等弹性波的高阶模造成的杂散。附图说明图1是本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。图2是本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图，是沿着图1中的A-A线的部分的剖视图。图3的(a)以及图3的(b)是分别示出本专利技术的第一实施方式以及比较例的弹性波装置的阻抗-频率特性以及相位-频率特性的图。图4是将图3的(b)所示的相位-频率特性的一部分放大示出的图。图5是本专利技术的第二实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。图6的(a)以及图6的(b)是示出第二实施方式以及比较例的弹性波装置的阻抗-频率特性以及相位-频率特性的图。图7是将图6的(b)的一部分放大示出的图。图8是本专利技术的第三实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。图9是能够应用于本专利技术的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器的俯视图。图10是示出实验例1以及比较例1的弹性波装置的阻抗-频率特性的图。图11是示出实验例1以及比较例1的弹性波装置的相位-频率特性的图。图12是示出实验例2以及比较例2的弹性波装置的阻抗-频率特性的图。图13是示出实验例2以及比较例2的弹性波装置的相位-频率特性的图。图14是示出实验例3以及比较例3的弹性波装置的阻抗-频率特性的图。图15是示出实验例3以及比较例3的弹性波装置的相位-频率特性的图。图16是示出实验例4以及比较例4的弹性波装置的阻抗-频率特性的图。图17是示出实验例4以及比较例4的弹性波装置的相位-频率特性的图。图18是沿着图1中的B-B线的部分的剖视图。图19是沿着图1中的B-B线的部分的变形例的剖视图。具体实施方式以下，通过参照附图对本专利技术的具体的实施方式进行说明，从而明确本专利技术。另外，需要指出的是，在本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。图1是本专利技术的第一实施方式涉及的弹性波装置的俯视图。图2是沿着图1中的A-A线的剖视图。弹性波装置1具有作为元件基板的压电基板2。在本实施方式中，压电基板2由欧拉角为(0°，38.5°，0°)的LiNbO3基板构成。不过，也可以使用其它的压电单晶。此外，虽然压电基板2仅由压电体层构成，但是本专利技术中的元件基板也可以是在支承体、绝缘膜等层叠有压电体层的元件基板。在压电基板2上设置有IDT电极3。在IDT电极3的弹性波传播方向两侧设置有反射器4、5。由此，构成单端口型的弹性波谐振器。IDT电极3是多个金属膜的层叠体。即，具有从LiNbO3基板侧起依次层叠了Pt膜、Al膜的构造。IDT电极3以及反射器4、5的材料没有特别限定，能够使用Au、Ag、Pt、W、Cu、Mo、Al等适当的金属或合金。此外，在Pt膜、Al膜的上下表面，也可以层叠有薄的密接层、扩散防止层。作为密接层、扩散防止层，能够使用Ti膜、NiCr膜、Cr膜等。设置有绝缘膜6，使得覆盖IDT电极3以及反射器4、5。绝缘膜6包含氧化硅。此外，设置有被覆层7，使得覆盖绝缘膜6。被覆层7包含氮化硅。上述绝缘膜6除了氧化硅以外，也可以包含SiON等其它的绝缘材料。此外，关于被覆层7，也可以由氮化硅以外的材料形成。因为绝缘膜6包含氧化硅，所以在弹性波装置1中，能够减小频率温度系数TCF的绝对值。即，包含氧化硅的绝缘膜6实现温度补偿作用。不过，也可以使用不具有温度补偿功能的绝缘膜。此外，被覆层7包含氮化硅，由此，能够提高耐湿性。在IDT电极3的交叉区域中，将IDT电极3的弹性波传播方向上的一端设为第一端部3a，将另一端设为第二端部3b。另外，所谓交叉区域，是指电位不同的电极指彼此在弹性波传播方向上重叠的区域。此外，所谓交叉宽度方向，是指电极指延伸的方向。弹性波装置1的特征在于，在第一端部3a与第二端部3b之间的部分，绝缘膜6的厚度变化，使得绝缘膜6的厚度在IDT电极3的弹性波传播方向上随着朝向中央而变厚。即，与第一端部3a上以及第二端部3b上的绝缘膜6的厚度H相比，IDT电极3的弹性波传播方向中央的绝缘膜6的厚度变厚。另一方面，将IDT电极的交叉区域的沿着交叉宽度方向上的一端设为第三端部3c，将另一端设为第四端部3d。另外，所谓交叉宽度方向，是指电极指延伸的方向。如图18所示，在沿着图1中的B-B线的剖面中，在本实施方式中，与第三端部3c和第四端部3d处的绝缘膜6的厚度H相比，第三端部3c以及第四端部3d间的绝缘膜部分的厚度在交叉宽度方向上随着朝向中央而变薄。另外，绝缘膜6的厚度也可以不在交叉宽度方向上变化。不过，优选地，期望本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种弹性波装置，具备：元件基板，具有压电体层；IDT电极，设置在所述压电体层上；以及绝缘膜，覆盖所述IDT电极，所述IDT电极具有作为激励弹性波的区域的交叉区域，在将所述交叉区域的弹性波传播方向上的一端设为第一端部并将另一端设为第二端部的情况下，在所述IDT电极的交叉区域上，随着从所述IDT电极的所述第一端部以及所述第二端部朝向弹性波传播方向中央，所述绝缘膜的厚度变薄或变厚。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.28 JP 2016-1279111.一种弹性波装置，具备：元件基板，具有压电体层；IDT电极，设置在所述压电体层上；以及绝缘膜，覆盖所述IDT电极，所述IDT电极具有作为激励弹性波的区域的交叉区域，在将所述交叉区域的弹性波传播方向上的一端设为第一端部并将另一端设为第二端部的情况下，在所述IDT电极的交叉区域上，随着从所述IDT电极的所述第一端部以及所述第二端部朝向弹性波传播方向中央，所述绝缘膜的厚度变薄或变厚。2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，所述绝缘膜是直接覆盖所述IDT电极的电介质层。3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，所述绝缘膜具有在所述弹性波传播方向上相对于所述压电体层的上表面倾斜的倾斜面。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波装...

【专利技术属性】
技术研发人员：绀野彰，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP