An example embodiment of the present invention provides a temperature control method, a memory storage device and a memory control circuit unit. The method includes: sensing temperature by temperature sensor and obtaining temperature value; performing cooling operation based on the first cooling grade and updating the grade parameter to the first grade parameter if the temperature value reaches the first threshold value; and after performing cooling operation based on the first cooling grade, if the temperature value does not decrease to less than the first threshold value in the first time range, according to the first grade. The cooling operation is performed based on the second cooling level and the grade parameter is updated to the second level parameter. The cooling ability of the cooling operation based on the second cooling level is higher than that of the cooling operation based on the first cooling level.
【技术实现步骤摘要】
温度控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元
本专利技术涉及一种存储器管理技术，尤其涉及一种温度控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。
技术介绍
数码相机、行动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritablenon-volatilememorymodule)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。在长时间执行数据读取或写入时，存储器存储装置的温度可能会逐渐上升。为了避免高温影响到存储器存储装置的性能且避免装置损坏，存储器存储装置可能会内建有温度控制机制。一般常见的温度控制机制会设置有多个温度范围。每一个温度范围会对应一个固定的降温机制。当存储器存储装置的温度升高到某一个温度范围时，对应于此温度范围的降温机制会被启动，以尝试降低存储器存储装置的温度。当存储器存储装置的温度进一步升高到另一个温度范围时，下一个降温机制会被启动。藉此，存储器存储装置的温度可逐渐下降。然而，随着存储器存储装...
【技术保护点】
1.一种温度控制方法，用于存储器控制电路单元，其中所述存储器控制电路单元用以控制可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，所述温度控制方法包括：经由温度传感器感测温度并获得温度值；若所述温度值达到第一门槛值，基于第一降温等级执行降温操作，并将等级参数更新为第一等级参数，其中所述第一等级参数对应于所述第一降温等级；以及在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值未在第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值，根据所述第一等级参数而变更为基于第二降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数从所述第一等级参数更新为第二等级参数，其中所述第二等级参数对应于所述第二降温等级，其中...
【技术特征摘要】
1.一种温度控制方法，用于存储器控制电路单元，其中所述存储器控制电路单元用以控制可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，所述温度控制方法包括：经由温度传感器感测温度并获得温度值；若所述温度值达到第一门槛值，基于第一降温等级执行降温操作，并将等级参数更新为第一等级参数，其中所述第一等级参数对应于所述第一降温等级；以及在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值未在第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值，根据所述第一等级参数而变更为基于第二降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数从所述第一等级参数更新为第二等级参数，其中所述第二等级参数对应于所述第二降温等级，其中基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第一降温等级执行的所述降温操作的降温能力。2.根据权利要求1所述的温度控制方法，还包括：在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值达到第二门槛值，根据所述第二等级参数而回复为基于所述第一降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为所述第一等级参数，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。3.根据权利要求1所述的温度控制方法，还包括：在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，持续基于所述第二降温等级执行所述降温操作，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。4.根据权利要求1所述的温度控制方法，还包括：在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值又回升至所述第一门槛值，根据所述第二等级参数而变更为基于第三降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为第三等级参数，其中所述第三等级参数对应于所述第三降温等级，其中基于所述第三降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的所述降温能力。5.根据权利要求1所述的温度控制方法，还包括：在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在所述第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，持续基于所述第一降温等级执行所述降温操作，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。6.根据权利要求1所述的温度控制方法，还包括：在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之前，若所述温度值达到第三门槛值，基于初始降温等级执行所述降温操作，并将所述等级参数更新为初始等级参数，其中所述初始等级参数对应于所述初始降温等级，其中所述第三门槛值介于所述第一门槛值与所述第二门槛值之间。7.根据权利要求1所述的温度控制方法，其中所述降温操作包括：根据写入数据的数据量是否大于数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。8.根据权利要求7所述的温度控制方法，其中根据所述写入数据的所述数据量是否大于所述数据门槛值决定是否指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块的步骤包括：若所述写入数据的所述数据量大于所述数据门槛值，暂不指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块；动态更新所述数据门槛值；以及若所述写入数据的所述数据量不大于所述数据门槛值，指示将所述写入数据写入至所述可复写式非易失性存储器模块。9.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：连接接口单元，用以连接至主机系统；可复写式非易失性存储器模块；温度传感器；以及存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元、所述可复写式非易失性存储器模块及所述温度传感器，其中所述存储器控制电路单元用以经由所述温度传感器感测温度并获得温度值，其中若所述温度值达到第一门槛值，所述存储器控制电路单元更用以基于第一降温等级执行降温操作并将等级参数更新为第一等级参数，其中所述第一等级参数对应于所述第一降温等级，其中在基于所述第一降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值未在第一时间范围内降低至小于所述第一门槛值，所述存储器控制电路单元更用以根据所述第一等级参数而变更为基于第二降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数从所述第一等级参数更新为第二等级参数，其中所述第二等级参数对应于所述第二降温等级，其中基于所述第二降温等级执行的所述降温操作的降温能力高于基于所述第一降温等级执行的所述降温操作的降温能力。10.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值达到第二门槛值，所述存储器控制电路单元用以根据所述第二等级参数而回复为基于所述第一降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为所述第一等级参数，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。11.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值未达到第二门槛值，所述存储器控制电路单元更用以持续基于所述第二降温等级执行所述降温操作，其中所述第二门槛值小于所述第一门槛值。12.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中在基于所述第二降温等级执行所述降温操作之后，若所述温度值在第二时间范围内降低至小于所述第一门槛值且所述温度值又回升至所述第一门槛值，所述存储器控制电路单元更用以根据所述第二等级参数而变更为基于第三降温等级执行所述降温操作并将所述等级参数从所述第二等级参数更新为第三等级参数...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘绍先，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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