【技术实现步骤摘要】
一种取向多孔聚偏氟乙烯压电膜及其制备方法
本专利技术涉及一种取向多孔聚偏氟乙烯压电膜的制备方法，属于新材料的制备
技术介绍
聚偏氟乙烯(PVDF)是一种由层状晶体和无定形区组成的半结晶高聚物，在不同条件下可结晶成α、β、γ和δ四种晶相，其中只有强极性的β相具有压电性能。提高PVDF膜中β相的比例并使其取向排布就成为提高聚偏氟乙烯压电膜机电转换效率的关键。目前聚偏氟乙烯压电膜是采用先制备聚偏氟乙烯膜，再经过晶型的转变工艺制备得到。聚偏氟乙烯的成膜可以是聚偏氟乙烯溶液的流延成膜。或聚偏氟乙烯的热压成膜，再经单轴热拉伸或在高温环境下电场极化实现β晶型的转变；或是静电纺丝成膜。现有的聚偏氟乙烯的成膜方法对制备条件和设备要求比较苛刻或易产生缺陷，不能达到高的β晶相转化以及β晶相的有序取向排布，不能连续化加工大面积聚偏氟乙烯压电膜，因而影响聚偏氟乙烯压电膜的压电性能，同时成膜与β晶相转化工艺分开进行，工序复杂，同时，在一些特定的应用场景中需要压电膜具有柔软的特性。目前，具有对制备条件与设备要求较低，成膜、β晶相转变及β晶相的有序取向排布同步进行具有柔软特性的聚偏氟乙...
【技术保护点】
1.一种取向多孔聚偏氟乙烯压电膜，其特征在于：所述取向多孔聚偏氟乙烯压电膜具有均匀大小、取向一致、垂直膜面的圆锥状的孔，圆锥状孔的下部孔径为0.5μm‑3μm，圆锥状孔的上部孔径为0.1μm‑0.5μm，孔深小于或等于压电膜的厚度，压电膜厚度为50μm‑3000μm。
【技术特征摘要】
1.一种取向多孔聚偏氟乙烯压电膜，其特征在于：所述取向多孔聚偏氟乙烯压电膜具有均匀大小、取向一致、垂直膜面的圆锥状的孔，圆锥状孔的下部孔径为0.5μm-3μm，圆锥状孔的上部孔径为0.1μm-0.5μm，孔深小于或等于压电膜的厚度，压电膜厚度为50μm-3000μm。2.一种取向多孔聚偏氟乙烯压电膜的制备方法，其特征在于：所述的制备方法按以下步骤：A.Fe3O4纳米磁性颗粒均匀分散的聚偏氟乙烯复合溶液的配制将直径为20-60nm的Fe3O4纳米磁性颗粒均匀分散于浓度为5wt％-15wt％的聚偏氟乙烯溶液中，Fe3O4纳米磁性颗粒与聚偏氟乙烯的质量比为1/10-1/1；B.模具(2)为绝缘透磁的平板，绝缘透磁的平板上开有1mm-3mm深的圆形浅槽，浅槽的直径小于或等于磁环(1)的内径，经步骤A中所配的聚偏氟乙烯复合溶液(3)置于模具(2)内流平，模具(2)置于磁环(1)上方垂直距离为磁环(1)内径的0.5-1倍处，磁...
【专利技术属性】
技术研发人员：柏自奎，陈冲，徐卫林，周应山，顾绍金，陶咏真，
申请(专利权)人：武汉纺织大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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