发光器件封装制造技术

本发明专利技术涉及一种发光器件封装。根据实施例的发光器件封装包括：封装主体；发光器件，其布置在封装主体上；以及粘合剂，其布置在封装主体和发光器件之间。封装主体包括在封装主体的上表面上穿过封装主体的第一和第二开口以及从封装主体的上表面在封装主体的下表面的方向中凹入的凹部。发光器件包括布置在第一开口上的第一结合部和布置在第二开口上的第二结合部。粘合剂被设置在凹部处。

【技术实现步骤摘要】
发光器件封装
本实施例涉及半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。
技术介绍
包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，诸如宽且易于调节的带隙能，因此该器件能够以各种方式用作发光器件、光接收器件和各种二极管。特别地，由于薄膜生长技术和器件材料的发展，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够实现具有各种波段的光，诸如红色、绿色、蓝色和紫外线。另外，通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧光物质或组合颜色来实现具有高效率的白光源。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，这种发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全性和环境友好性的优点。此外，当使用III-V族或II-VI族化合物半导体物质制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，随着器件材料的发展，通过吸收具有各种波长域的光来产生光电流，使得能够使用具有各种波长域的光，例如从伽马射线到无线电波。另外，上述光接收器件具有诸如响应速度快、安全、环保、易于控制器件材料等优点，使得光接收器件能够方便地用于电源控制、超高频电路或通信模块。因此，半导体器件已经应用并扩展到光通信工具的传输模块、替换构成液晶显示器(LCD)的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光源、可替换荧光灯或白炽灯泡的白色发光二极管照明装置、车辆前灯、交通灯和用于检测气体或火的传感器。另外，半导体器件的应用能够被扩展到高频应用电路、电力控制装置或通信模块。例如，发光器件可以被提供作为具有通过使用元素周期表中的III-V族元素或II-VI族元素将电能转换成光能的特性的pn结二极管，并且能够通过调节化合物半导体物质的组分比实现各种波长。例如，因为氮化物半导体具有高热稳定性和宽带隙能，所以在光学器件和高电力电子设备的开发领域中已经受到极大关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件、紫外(UV)发光器件和红色发光器件被商业化并广泛使用。例如，紫外发光器件指的是产生分布在200nm至400nm的波长范围内的光的发光二极管。在上述波长范围中，短波长可以被用于灭菌、纯化等，并且长波长可以被用于光刻机、固化装置等。紫外线可以按照长波长的顺序被分类成UV-A(315nm至400nm)、UV-B(280nm至315nm)和UV-C(200nm至280nm)。UV-A(315nm至400nm)领域被应用于各种领域，诸如工业UV固化、印刷油墨固化、曝光机、鉴别假币、光催化灭菌、特殊照明(诸如水族箱/农业)，UV-B(280nm至315nm)域被应用于医疗用途，并且UV-C(200nm至280nm)域被应用于空气净化、水净化、灭菌产品等。同时，由于已经要求能够提供高输出的半导体器件，因此正在进行能够通过施加高电力源来增加输出电力的半导体器件的研究。另外，对于半导体器件封装，已经进行改进半导体器件的光提取效率和改进封装阶段中的光强度的方法的研究。另外，关于半导体器件封装，已经进行改进封装电极和半导体器件之间的结合强度的方法的研究。另外，对于半导体器件封装，已经进行通过改进工艺效率和改变结构来降低制造成本和改进制造产量的方法的研究。
技术实现思路
实施例可以提供能够改进光提取效率和电特性的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。实施例可以提供能够降低制造成本并且改进制造产量的半导体器件封装、制造半导体器件封装的方法和光源装置。实施例提供半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法，其能够防止在将半导体器件重新结合到衬底等等的工艺期间在半导体器件封装的结合区域中发生再熔化现象。根据实施例的发光器件封装包括：封装主体；发光器件，该发光器件被布置在封装主体上；以及粘合剂，该粘合剂被布置在封装主体和发光器件之间，其中封装主体包括第一和第二开口，该第一和第二开口在封装主体的上表面上穿过封装主体；以及凹部，该凹部被设置为在封装主体的下表面的方向中从封装主体的上表面凹入，其中发光器件包括布置在第一开口上的第一粘合部和布置在第二开口上的第二粘合部，并且其中粘合剂设置在凹部处。根据实施例，凹部可以以闭环形状被设置在第一开口和第二开口的周边(periphery)处。根据实施例，当从发光器件的向上方向观看时，发光器件的尺寸可以设置为大于由凹部提供的闭环的内部区域。根据实施例，当从发光器件的向上方向观看时，由凹部提供的闭环可以布置在连接发光器件的四个侧表面的轮廓(outline)中。根据实施例，当从发光器件的向上方向观看时，连接发光器件的四个侧表面的轮廓可以设置为重叠在凹部上。根据实施例，封装主体可以包括第一框架、第二框架和布置在第一框架和第二框架之间的主体，其中第一开口可以设置在第一框架处，其中第二开口可以设置在第二框架处，并且其中凹部可以设置成与第一框架的上表面、主体的上表面和第二框架的上表面连接。根据实施例的发光器件封装可以进一步包括上凹部，该上凹部设置成从封装主体的上表面在封装主体的下表面的方向中凹入，其中上凹部可以设置在第一开口和第二开口之间。根据实施例，粘合剂可以布置在第一结合部和第二结合部的周边处。根据实施例的发光器件封装可以包括：第一导电层，该第一导电层被布置在第一开口处并且电连接到第一结合部；以及第二导电层，该第二导电层被布置在第二开口处并且电连接到第二结合部。根据实施例的发光器件封装可以包括布置在第一结合部和第一导电层之间的第一导体以及布置在第二结合部和第二导电层之间的第二导体。根据实施例，粘合剂可以被设置为与封装主体的上表面和发光器件的下表面直接接触，并且可以围绕并且密封第一和第二结合部的周边。根据实施例，第一和第二结合部可以包括选自由Ti、Al、In、Ir、Ta、Pd、Co、Cr、Mg、Zn、Ni、Si、Ge、Ag、Ag合金、Au、Hf、Pt、Ru、Rh、Sn、Cu、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au和Ni/IrOx/Au/ITO、或者其合金组成的组中的至少一种材料。根据实施例，第一导电层和第二导电层可以包括选自由Ag、Au、Pt、Sn、Cu和SAC(Sn-Ag-Cu)或其合金组成的组中的至少一种材料。根据实施例，第一导体可以布置在第一开口中，并且第二导体可以布置在第二开口中。根据实施例，第一导体可以布置为在垂直方向中与第一结合部重叠，并且第二导体可以设置为在垂直方向中与第二结合部重叠。根据实施例的发光器件封装包括：封装主体，包括：第一框架，该第一框架包括第一开口；第二框架，该第二框架包括第二开口；以及主体，该主体布置在第一框架和第二框架之间；发光器件，该发光器件布置在封装主体上并且包括第一结合部和第二结合部；以及粘合剂，该粘合剂布置在封装主体的上表面和发光器件的下表面之间，其中封装主体包括凹部，该凹部设置成从封装主体的上表面在封装主体的下表面的方向中凹入，并且其中凹部以闭环形状布置在第一和第二开口的周边处。根据实施例，凹部可以设置成与第一框架的上表面、主体的上表面和第二框架的上表面连接。根据实施例的发光器件封装可以包括：第一导电层，该第一导电层布置在第一开口处并且电连接到第一结合部；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光器件封装，包括：封装主体；发光器件，所述发光器件被布置在所述封装主体上；以及粘合剂，所述粘合剂被布置在所述封装主体和所述发光器件之间，其中，所述封装主体包括：第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口在所述封装主体的上表面上穿过所述封装主体；和凹部，所述凹部被设置为从所述封装主体的上表面在所述封装主体的下表面的方向中凹入，其中，所述发光器件包括第一结合部和第二结合部，所述第一结合部被布置在所述第一开口上，所述第二结合部被布置在所述第二开口上，以及其中，所述粘合剂被设置在所述凹部处。

【技术特征摘要】
2017.08.02 KR 10-2017-0097970;2017.08.24 KR 10-2011.一种发光器件封装，包括：封装主体；发光器件，所述发光器件被布置在所述封装主体上；以及粘合剂，所述粘合剂被布置在所述封装主体和所述发光器件之间，其中，所述封装主体包括：第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口在所述封装主体的上表面上穿过所述封装主体；和凹部，所述凹部被设置为从所述封装主体的上表面在所述封装主体的下表面的方向中凹入，其中，所述发光器件包括第一结合部和第二结合部，所述第一结合部被布置在所述第一开口上，所述第二结合部被布置在所述第二开口上，以及其中，所述粘合剂被设置在所述凹部处。2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述凹部以闭环形状被设置在所述第一和第二开口的周边处。3.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，当从所述发光器件的向上方向观看时，所述发光器件的尺寸被设置为大于由所述凹部设置的所述闭环的内部面积。4.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中，当从所述发光器件的向上方向观看时，由所述凹部设置的所述闭环被布置在连接所述发光器件的四个侧表面的轮廓中。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李太星，金元中，宋俊午，任仓满，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR