有机发光器件制造技术

公开有机发光器件，其包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层，其中所述发射层包括电子传输主体、空穴传输主体、和掺杂剂，其中所述掺杂剂包括有机金属化合物，且其中所述有机金属化合物不包括铱，其中所述有机发光器件满足说明书中描述的预定参数。

【技术实现步骤摘要】
有机发光器件对相关申请的交叉引用本申请要求在韩国知识产权局于2017年7月31日提交的韩国专利申请No.10-2017-0097132的优先权、以及由其产生的所有权益，将其内容全部引入本文中作为参考。
一种或多种实施方式涉及有机发光器件。
技术介绍
有机发光器件(OLED)是在视角、响应时间、亮度、驱动电压、和响应速度方面具有优良的特性并且产生全色图像的自发射器件。在实例中，有机发光器件包括阳极、阴极、以及设置在阳极和阴极之间的有机层，其中有机层包括发射层。空穴传输区域可设置在阳极和发射层之间，和电子传输区域可设置在发射层和阴极之间。从阳极提供的空穴可通过空穴传输区域朝着发射层移动，和从阴极提供的电子可通过电子传输区域朝着发射层移动。空穴和电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，由此产生光。多种类型的有机发光器件是已知的。然而，在具有低的驱动电压、高的效率、高的亮度、和长的寿命的OLED方面仍然存在需要。
技术实现思路
本公开内容的方面提供具有低的驱动电压、高的发射效率和长的寿命的有机发光器件，其中所述有机发光器件包括满足某些参数的不含铱的有机金属化合物。额外的方面将部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.有机发光器件，包括：第一电极，面对所述第一电极的第二电极，以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层，所述发射层包括电子传输主体、空穴传输主体、和掺杂剂，所述掺杂剂包括有机金属化合物，且所述有机金属化合物不包括铱，所述有机发光器件满足如下的条件：LUMO(掺杂剂)‑LUMO(主体‑E)≥0.15eV，和LUMO(主体‑E)‑HOMO(主体‑H)>T1(掺杂剂)，LUMO(掺杂剂)表示所述发射层中的掺杂剂的以电子伏表示的最低未占分子轨道(LUMO)能级，LUMO(主体‑E)表示所述发射层中的电子传输主体的以电子伏表示的LUMO能级，HOMO(主体‑H)表示所述...

【技术特征摘要】
2017.07.31 KR 10-2017-00971321.有机发光器件，包括：第一电极，面对所述第一电极的第二电极，以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层，所述发射层包括电子传输主体、空穴传输主体、和掺杂剂，所述掺杂剂包括有机金属化合物，且所述有机金属化合物不包括铱，所述有机发光器件满足如下的条件：LUMO(掺杂剂)-LUMO(主体-E)≥0.15eV，和LUMO(主体-E)-HOMO(主体-H)>T1(掺杂剂)，LUMO(掺杂剂)表示所述发射层中的掺杂剂的以电子伏表示的最低未占分子轨道(LUMO)能级，LUMO(主体-E)表示所述发射层中的电子传输主体的以电子伏表示的LUMO能级，HOMO(主体-H)表示所述发射层中的空穴传输主体的以电子伏表示的最高占据分子轨道(HOMO)能级，T1(掺杂剂)表示所述发射层中的掺杂剂的以电子伏表示的三线态能级，LUMO(掺杂剂)、LUMO(主体-E)、和HOMO(主体-H)各自表示使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值，和T1(掺杂剂)为由使用发光测量设备测量的所述掺杂剂的磷光光谱的峰值波长计算的值。2.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述有机发光器件满足如下的条件：0.15eV≤LUMO(掺杂剂)-LUMO(主体-E)≤0.6电子伏。3.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述有机发光器件满足如下的条件：0电子伏<[LUMO(主体-E)-HOMO(主体-H)]-T1(掺杂剂)≤0.5电子伏。4.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述有机发光器件满足如下的条件：LUMO(掺杂剂)<LUMO(主体-H)，其中LUMO(主体-H)表示所述发射层中的空穴传输主体的以电子伏表示的LUMO能级，其为使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值。5.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述有机发光器件满足如下的条件：LUMO(主体-E)<LUMO(主体-H)，其中LUMO(主体-H)表示所述发射层中的空穴传输主体的以电子伏表示的LUMO能级，其为使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值。6.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述有机发光器件满足如下的条件：LUMO(主体-E)<LUMO(掺杂剂)<LUMO(主体-H)，其中LUMO(主体-H)表示所述发射层中的空穴传输主体的以电子伏表示的LUMO能级，其为使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值。7.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述有机发光器件满足如下的条件：HOMO(主体-E)<HOMO(主体-H)，其中HOMO(主体-E)表示所述发射层中的电子传输主体的以电子伏表示的HOMO能级，其为使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值。8.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述掺杂剂为包括铂(Pt)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铥(Tm)、铑(Rh)、钌(Ru)、铼(Re)、铍(Be)、镁(Mg)、铝(Al)、钙(Ca)、锰(Mn)、钴(Co)、铜(Cu)、锌(Zn)、镓(Ga)、锗(Ge)、钯(Pd)、银(Ag)、或金(Au)的有机金属化合物。9.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述掺杂剂为具有正方形平面配位结构的有机金属化合物。10.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述掺杂剂满足如下的条件：T1(掺杂剂)≤E能隙(掺杂剂)≤T1(掺杂剂)+0.5电子伏，其中E能隙(掺杂剂)为在所述掺杂剂的HOMO(掺杂剂)和LUMO(掺杂剂)之间的差，和HOMO(掺杂剂)表示所述掺杂剂的HOMO能级，其为使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值。11.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述有机发光器件满足如下的条件：-2.8电子伏≤LUMO(掺杂剂)≤-2.3电子伏，和-6.0电子伏≤HOMO(掺杂剂)≤-4.5电子伏，其中HOMO(掺杂剂)表示所述掺杂剂的HOMO能级，其为使用二茂铁作为参比材料通过微分脉冲伏安法测量的负的值。12.如权利要求1所述的有机发光器件，其中所述掺杂剂包括金属M和有机配体，且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晟熏，金象同，郭丞燕，具贤，李贞仁，黄圭荣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR