一种QLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示器件领域，提供了QLED器件及其制备方法。本发明专利技术提供的QLED器件，其发光层引入了表面带官能团的碳材料层和孔隙填充有量子点的多孔硅膜层，一方面，量子点填充在多孔硅膜层的孔隙中，量子点的排布紧密程度及厚度能够通过改变多孔硅膜层的空隙率、空隙大小及膜厚等进行轻松地调控，从而提高器件的发光均匀性和稳定性；另一方面，表面带官能团的碳材料层的引入不仅能作为量子点排序的平台，而且其优异的导电性能可以提高载流子的传输和注入，从而提高器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种QLED器件及其制备方法
本专利技术属于显示器件领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。
技术介绍
量子点(Quantumdot，QD)是一种准零维纳米材料，类似超晶格和量子阱，其颗粒大小约为1nm-100nm，具有量子限域效应、表面效应、量子尺寸效应和量子隧道效应等性能，以及单色性好、色纯度高、发光光谱窄等突出优点，是一种非常有前景的纳米材料。基于量子点的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantumdotslight-emittingdiode,QLED)，是一种新型的显示技器件。量子点显示的优势在于色域覆盖广、色彩容易控制以及色纯度高等优点，被认为是显示技术的新星，同时也被认为是显示技术的革命性代表。目前，在QLED的制备技术中，最常用且最有希望实现大规模产业化的生产加工方法是溶液成膜法，特别是器件中的除电极外的量子点发光层以及各种功能层。例如，对于量子点发光层的沉积方法，目前大多数溶液相成膜工艺是将表面配体功能化的量子点溶于有机溶剂中，配置成量子点溶液或量子点墨水，接着通过旋涂或印刷方式沉积衬底或底功能层上，然后采用同样的成膜方法在量子点发光层上沉积电子传输层(如Z本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种QLED器件，所述器件包括依次设置的衬底、底电极、第一功能层、发光层、第二功能层以及顶电极，其特征在于，所述发光层包括设置在所述第一功能层上的表面带官能团的碳材料层；设置在所述碳材料层上的多孔硅膜层，所述多孔硅膜层的孔隙填充有量子点。

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件，所述器件包括依次设置的衬底、底电极、第一功能层、发光层、第二功能层以及顶电极，其特征在于，所述发光层包括设置在所述第一功能层上的表面带官能团的碳材料层；设置在所述碳材料层上的多孔硅膜层，所述多孔硅膜层的孔隙填充有量子点。2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述孔隙的直径为4nm-200nm。3.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述多孔硅膜层的膜层厚度为5nm-200nm。4.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述多孔硅膜层由硅烷偶联剂、嵌段共聚物、强酸促进剂以及有机溶剂制成。5.如权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述多孔硅膜层由硅烷偶联剂、嵌段共聚物、强酸促进剂以及有机溶剂的质量比为1:(0.0001-0.01):(0.0001-0.01):(0.5-50):(0.5-100)。6.如权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述嵌段共聚物所含的嵌段包括聚乙二醇、聚氧乙烯、聚氧丙烯、聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚乙烯吡喏烷酮、长链全氟烷基、聚硅氧烷基、聚乳酸、乳酸-羟基乙酸共聚物、聚ε-己内酯、聚苄基天门冬氨酸、聚苄基谷氨酸、聚苯乙烯、聚异丙基丙烯酰胺中的至少一种。7.如权利要求4所述的QLED器件，其特征在于，所述有机溶剂包括饱和烃、不饱和烃、芳香烃、醇、酮、醚、酯、以及它们的衍生物中的至少一种。8.如权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述碳材料层的材料包括石墨烯、氧化石墨烯、碳纳米管、介孔碳、碳纤维、碳纳米颗粒、富勒烯、碳量子点、石墨、碳气凝胶中的至少一种。9.如权利要求1-3任一项所述的QLE...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁柱荣，曹蔚然，刘佳，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44