【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光调制器、光观察装置以及光照射装置
本专利技术涉及光调制器、光观察装置以及光照射装置。
技术介绍
例如在专利文献1以及专利文献2中公开了一种电光元件。该电光元件包括：基板、层叠于基板的强电介质的KTN(KTa1-xNbxO3)层、配置于KTN层的前面的透明电极、以及配置于KTN层的后面的金属电极。KTN根据温度采用四个晶体结构，当为钙钛矿型的晶体结构时，用作电光元件。这样的KTN层形成于在金属电极上形成的晶种层之上。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014－89340号公报专利文献2：日本特开2014－89341号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在上述那样的电光元件中，是KTN层被一对电极夹着的结构。另外，一对电极遍及KTN层的前面及后面的整体而形成。因此，当对KTN层施加电场时，逆压电效应或者电致伸缩效应增大，有可能无法进行稳定的光调制。本专利技术的目的在于，提供一种能够抑制逆压电效应或者电致伸缩效应并且能够进行稳定的光调制的光调制器、光观察装置以及光照射装置。解决问题的技术手段一个方式的光调制器，是对输入光进行调制并输出调制后的调制光的光调制...
【技术保护点】
1.一种光调制器，其特征在于，是对输入光进行调制并输出调制后的调制光的光调制器，包括：钙钛矿型的电光晶体，具有输入所述输入光的第1面、及与所述第1面相对的第2面，相对介电常数为1000以上；第1光学元件，具有配置于所述电光晶体的所述第1面且透过所述输入光的第1电极；第2光学元件，具有配置于所述电光晶体的所述第2面且透过所述输入光的第2电极；以及驱动电路，向所述第1电极与所述第2电极之间施加电场，所述第1电极以单体配置于所述第1面，所述第2电极以单体配置于所述第2面，所述第1电极以及所述第2电极的至少一者部分地覆盖所述第1面或者所述第2面，所述电光晶体中的所述输入光的传播方向...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.06 JP 2016-1128521.一种光调制器，其特征在于，是对输入光进行调制并输出调制后的调制光的光调制器，包括：钙钛矿型的电光晶体，具有输入所述输入光的第1面、及与所述第1面相对的第2面，相对介电常数为1000以上；第1光学元件，具有配置于所述电光晶体的所述第1面且透过所述输入光的第1电极；第2光学元件，具有配置于所述电光晶体的所述第2面且透过所述输入光的第2电极；以及驱动电路，向所述第1电极与所述第2电极之间施加电场，所述第1电极以单体配置于所述第1面，所述第2电极以单体配置于所述第2面，所述第1电极以及所述第2电极的至少一者部分地覆盖所述第1面或者所述第2面，所述电光晶体中的所述输入光的传播方向与所述电场的施加方向平行。2.如权利要求1所述的光调制器，其特征在于，还包括：透明基板，具有与所述第2光学元件相对的第1面、及作为所述第1面的相反侧的面的第2面，所述透明基板输出透过了所述第2光学元件的所述输入光。3.一种光调制器，其特征在于，是对输入光进行调制并输出调制后的调制光的光调制器，包括：钙钛矿型的电光晶体，具有输入所述输入光的第1面、及与所述第1面相对的第2面，且相对介电常数为1000以上；第1光学元件，具有配置于所述电光晶体的所述第1面且透过所述输入光的第1电极；第2光学元件，具有配置于所述电光晶体的所述第2面的第2电极，将所述输入光朝着所述第1面反射；以及驱动电路，向所述第1电极与所述第2电极之间施加电场，所述第1电极以单体配置于所述第1面，所述第2电极以单体配置于所述第2面，所述第1电极以及所述第2电极的至少一者部分地覆盖所述第1面或者所述第2面，所述电光晶体中的所述输入光的传播方向与所述电场的施加方向平行。4.如权利要求3所述的光调制器，其特征在于，还包括具有与所述第2光学元件相对的第1面的基板。5.如权利要求1～4中任一项所述的光调制器，其特征在于，在令所述电光晶体的电场施加方向上的所述电光晶体的厚度为dμm的情况下，所述第1电极以及所述第2电极的至少一者的面积为25d2μm2以下。6.如权利要求1～5中任一项所...
【专利技术属性】
技术研发人员：泷泽国治，田中博，丰田晴义，大林宁，酒井宽人，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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